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Conductancia del canal de MOSFET Fórmula

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La conductancia del canal se define típicamente como la relación entre la corriente que pasa a través del canal y el voltaje que lo atraviesa. Marque FAQs

G = μ s \cdot C ox \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot V ox

G - Conductancia del canal?μ_s - Movilidad de electrones en la superficie del canal.?C_ox - Capacitancia de óxido?W_c - Ancho de banda?L - Longitud del canal?V_ox - Voltaje a través de óxido?

Ejemplo de Conductancia del canal de MOSFET

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Conductancia del canal de MOSFET con Valores.

Así es como se ve la ecuación Conductancia del canal de MOSFET con unidades.

Así es como se ve la ecuación Conductancia del canal de MOSFET.

19.2888 = 38 \cdot 940 \cdot (\frac{10}{100}) \cdot 5.4

19.2888mS = 38m²/V*s \cdot 940μF \cdot (\frac{10μm}{100μm}) \cdot 5.4V

19.2888 = 38 \cdot 940 \cdot (\frac{10}{100}) \cdot 5.4

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Electrónica analógica » fx Conductancia del canal de MOSFET

Conductancia del canal de MOSFET Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Conductancia del canal de MOSFET?

Primer paso Considere la fórmula

G = μ s \cdot C ox \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot V ox

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

G = 38m²/V*s \cdot 940μF \cdot (\frac{10μm}{100μm}) \cdot 5.4V

Próximo paso Convertir unidades

∴

G = 38m²/V*s \cdot 0.0009F \cdot (\frac{1E-5m}{0.0001m}) \cdot 5.4V

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

G = 38 \cdot 0.0009 \cdot (\frac{1E-5}{0.0001}) \cdot 5.4

Próximo paso Evaluar

∴

G = 0.0192888S

Último paso Convertir a unidad de salida

∴

G = 19.2888mS

Conductancia del canal de MOSFET Fórmula Elementos

variables

Conductancia del canal

La conductancia del canal se define típicamente como la relación entre la corriente que pasa a través del canal y el voltaje que lo atraviesa.

Símbolo: G

Medición: Conductancia eléctricaUnidad: mS

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Conductancia del canal

Movilidad de electrones en la superficie del canal.

La movilidad de los electrones en la superficie del canal se refiere a la capacidad de los electrones para moverse o viajar a través de la superficie de un material semiconductor, como un canal de silicio en un transistor.

Símbolo: μ_s

Medición: MovilidadUnidad: m²/V*s

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Movilidad de electrones en la superficie del canal.

Capacitancia de óxido

La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.

Símbolo: C_ox

Medición: CapacidadUnidad: μF

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Capacitancia de óxido

Ancho de banda

El ancho del canal se refiere al rango de frecuencias utilizadas para transmitir datos a través de un canal de comunicación inalámbrica. También se le conoce como ancho de banda y se mide en hercios (Hz).

Símbolo: W_c

Medición: LongitudUnidad: μm

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Ancho de banda

Longitud del canal

La longitud del canal se refiere a la distancia entre los terminales de fuente y drenaje en un transistor de efecto de campo (FET).

Símbolo: L

Medición: LongitudUnidad: μm

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Longitud del canal

Voltaje a través de óxido

Voltaje a través del óxido debido a la carga en la interfaz óxido-semiconductor y el tercer término se debe a la densidad de carga en el óxido.

Símbolo: V_ox

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Voltaje a través de óxido

Otras fórmulas en la categoría Efectos capacitivos internos y modelo de alta frecuencia

Ir Ancho de puerta a canal de origen de MOSFET

W c = \frac{C oc}{C ox \cdot L ov}

Ir Capacitancia de superposición de MOSFET

C oc = W c \cdot C ox \cdot L ov

Ir Capacitancia total entre puerta y canal de MOSFET

C g = C ox \cdot W c \cdot L

Ir Frecuencia de transición de MOSFET

f t = \frac{g m}{2 \cdot π \cdot (C sg + C gd)}

¿Cómo evaluar Conductancia del canal de MOSFET?

El evaluador de Conductancia del canal de MOSFET usa Conductance of Channel = Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*(Ancho de banda/Longitud del canal)*Voltaje a través de óxido para evaluar Conductancia del canal, La conductancia del canal de los MOSFET, definida como la relación entre la corriente iónica a través del canal y el voltaje aplicado, se puede calcular una vez que la corriente, el número de iones que atraviesan el canal por unidad de tiempo cuando se aplica un campo eléctrico externo al sistema. . Conductancia del canal se indica mediante el símbolo G.

¿Cómo evaluar Conductancia del canal de MOSFET usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Conductancia del canal de MOSFET, ingrese Movilidad de electrones en la superficie del canal. (μ_s), Capacitancia de óxido (C_ox), Ancho de banda (W_c), Longitud del canal (L) & Voltaje a través de óxido (V_ox) y presione el botón calcular.

FAQs en Conductancia del canal de MOSFET

¿Cuál es la fórmula para encontrar Conductancia del canal de MOSFET?

La fórmula de Conductancia del canal de MOSFET se expresa como Conductance of Channel = Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*(Ancho de banda/Longitud del canal)*Voltaje a través de óxido. Aquí hay un ejemplo: 19288.8 = 38*0.00094*(1E-05/0.0001)*5.4.

¿Cómo calcular Conductancia del canal de MOSFET?

Con Movilidad de electrones en la superficie del canal. (μ_s), Capacitancia de óxido (C_ox), Ancho de banda (W_c), Longitud del canal (L) & Voltaje a través de óxido (V_ox) podemos encontrar Conductancia del canal de MOSFET usando la fórmula - Conductance of Channel = Movilidad de electrones en la superficie del canal.*Capacitancia de óxido*(Ancho de banda/Longitud del canal)*Voltaje a través de óxido.

¿Puede el Conductancia del canal de MOSFET ser negativo?

Sí, el Conductancia del canal de MOSFET, medido en Conductancia eléctrica poder sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Conductancia del canal de MOSFET?

Conductancia del canal de MOSFET generalmente se mide usando milisiemens[mS] para Conductancia eléctrica. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Conductancia del canal de MOSFET.

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Conductancia del canal de MOSFET Fórmula

Ejemplo de Conductancia del canal de MOSFET

Conductancia del canal de MOSFET Solución

Conductancia del canal de MOSFET Fórmula Elementos

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