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Concentración de portador intrínseco Fórmula

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La concentración de portadores intrínsecos se utiliza para describir la concentración de portadores de carga (electrones y huecos) en un material semiconductor intrínseco o no dopado en equilibrio térmico. Marque FAQs

n i = \sqrt{N v \cdot N c} \cdot \exp (- \frac{E g}{2 \cdot [BoltZ] \cdot T})

n_i - Concentración de portador intrínseco?N_v - Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia?N_c - Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción?E_g - Brecha de energía?T - Temperatura?[BoltZ] - constante de Boltzmann?

Ejemplo de Concentración de portador intrínseco

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Concentración de portador intrínseco con Valores.

Así es como se ve la ecuación Concentración de portador intrínseco con unidades.

Así es como se ve la ecuación Concentración de portador intrínseco.

2.7E+8 = \sqrt{2.4E+11 \cdot 6.4E+8} \cdot \exp (- \frac{0.198}{2 \cdot 1.4E-23 \cdot 300})

2.7E+81/m³ = \sqrt{2.4E+111/m³ \cdot 6.4E+81/m³} \cdot \exp (- \frac{0.198eV}{2 \cdot 1.4E-23J/K \cdot 300K})

2.7E+8 = \sqrt{2.4E+11 \cdot 6.4E+8} \cdot \exp (- \frac{0.198}{2 \cdot 1.4E-23 \cdot 300})

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Dispositivos de estado sólido » fx Concentración de portador intrínseco

Concentración de portador intrínseco Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Concentración de portador intrínseco?

Primer paso Considere la fórmula

n i = \sqrt{N v \cdot N c} \cdot \exp (- \frac{E g}{2 \cdot [BoltZ] \cdot T})

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

n i = \sqrt{2.4E+111/m³ \cdot 6.4E+81/m³} \cdot \exp (- \frac{0.198eV}{2 \cdot [BoltZ] \cdot 300K})

Próximo paso Valores sustitutos de constantes

∴

n i = \sqrt{2.4E+111/m³ \cdot 6.4E+81/m³} \cdot \exp (- \frac{0.198eV}{2 \cdot 1.4E-23J/K \cdot 300K})

Próximo paso Convertir unidades

∴

n i = \sqrt{2.4E+111/m³ \cdot 6.4E+81/m³} \cdot \exp (- \frac{3.2E-20J}{2 \cdot 1.4E-23J/K \cdot 300K})

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

n i = \sqrt{2.4E+11 \cdot 6.4E+8} \cdot \exp (- \frac{3.2E-20}{2 \cdot 1.4E-23 \cdot 300})

Próximo paso Evaluar

∴

n i = 269195320.4077421/m³

Último paso Respuesta de redondeo

∴

n i = 2.7E+81/m³

Concentración de portador intrínseco Fórmula Elementos

variables

Constantes

Funciones

Concentración de portador intrínseco

Símbolo: n_i

Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/m³

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Concentración de portador intrínseco

Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia

La densidad de estado efectiva en la banda de valencia se define como la banda de orbitales de electrones de la que los electrones pueden saltar y pasar a la banda de conducción cuando se excitan.

Símbolo: N_v

Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/m³

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia

Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción

La Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción se define como el número de mínimos de energía equivalente en la banda de conducción.

Símbolo: N_c

Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/m³

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción

Brecha de energía

Brecha de energía en la física del estado sólido, una brecha de energía es un rango de energía en un sólido donde no existen estados de electrones.

Símbolo: E_g

Medición: EnergíaUnidad: eV

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Brecha de energía

Temperatura

La temperatura es el grado o intensidad de calor presente en una sustancia u objeto.

Símbolo: T

Medición: La temperaturaUnidad: K

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Temperatura

constante de Boltzmann

La constante de Boltzmann relaciona la energía cinética promedio de las partículas en un gas con la temperatura del gas y es una constante fundamental en mecánica estadística y termodinámica.

Símbolo: [BoltZ]

Valor: 1.38064852E-23 J/K

exp

En una función exponencial, el valor de la función cambia en un factor constante por cada cambio de unidad en la variable independiente.

Sintaxis: exp(Number)

sqrt

Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado.

Sintaxis: sqrt(Number)

Otras fórmulas en la categoría Banda de energía y portador de carga

Ir Coeficiente de distribución

k d = \frac{C solid}{C L}

Ir Energía de fotoelectrones

E photo = [hP] \cdot f

Ir Función Fermi

f E = \frac{n 0}{N c}

Ir Energía de banda de conducción

E c = E g + E v

¿Cómo evaluar Concentración de portador intrínseco?

El evaluador de Concentración de portador intrínseco usa Intrinsic Carrier Concentration = sqrt(Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia*Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción)*exp(-Brecha de energía/(2*[BoltZ]*Temperatura)) para evaluar Concentración de portador intrínseco, La fórmula de concentración de portador intrínseco se define como el número de electrones en la banda de conducción o el número de huecos en la banda de valencia en el material intrínseco. Este número de portadores depende del intervalo de banda del material y de la temperatura del material. Concentración de portador intrínseco se indica mediante el símbolo n_i.

¿Cómo evaluar Concentración de portador intrínseco usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Concentración de portador intrínseco, ingrese Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia (N_v), Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción (N_c), Brecha de energía (E_g) & Temperatura (T) y presione el botón calcular.

FAQs en Concentración de portador intrínseco

¿Cuál es la fórmula para encontrar Concentración de portador intrínseco?

La fórmula de Concentración de portador intrínseco se expresa como Intrinsic Carrier Concentration = sqrt(Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia*Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción)*exp(-Brecha de energía/(2*[BoltZ]*Temperatura)). Aquí hay un ejemplo: 2.7E+8 = sqrt(240000000000*640000000)*exp(-3.17231111340001E-20/(2*[BoltZ]*300)).

¿Cómo calcular Concentración de portador intrínseco?

Con Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia (N_v), Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción (N_c), Brecha de energía (E_g) & Temperatura (T) podemos encontrar Concentración de portador intrínseco usando la fórmula - Intrinsic Carrier Concentration = sqrt(Densidad Efectiva de Estado en Banda de Valencia*Densidad Efectiva de Estado en Banda de Conducción)*exp(-Brecha de energía/(2*[BoltZ]*Temperatura)). Esta fórmula también utiliza funciones constante de Boltzmann y , Crecimiento exponencial (exp), Raíz cuadrada (sqrt).

¿Puede el Concentración de portador intrínseco ser negativo?

No, el Concentración de portador intrínseco, medido en Concentración de portadores no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Concentración de portador intrínseco?

Concentración de portador intrínseco generalmente se mide usando 1 por metro cúbico[1/m³] para Concentración de portadores. 1 por centímetro cúbico[1/m³], por litro[1/m³] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Concentración de portador intrínseco.

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Concentración de portador intrínseco Fórmula

Ejemplo de Concentración de portador intrínseco

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