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Concentración de dopante del donante Fórmula

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La concentración de dopante donante es la concentración de átomos donantes por unidad de volumen. Marque FAQs

N d = \frac{I sat \cdot L t}{[Charge-e] \cdot W t \cdot μ n \cdot C dep}

N_d - Concentración de dopante del donante?I_sat - Corriente de saturación?L_t - Longitud del transistor?W_t - Ancho del transistor?μ_n - Movilidad electrónica?C_dep - Capacitancia de la capa de agotamiento?[Charge-e] - carga de electrones?

Ejemplo de Concentración de dopante del donante

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Concentración de dopante del donante con Valores.

Así es como se ve la ecuación Concentración de dopante del donante con unidades.

Así es como se ve la ecuación Concentración de dopante del donante.

1.7E+23 = \frac{2.015 \cdot 3.2}{1.6E-19 \cdot 5.5 \cdot 30 \cdot 1.4}

1.7E+23electrons/m³ = \frac{2.015A \cdot 3.2μm}{1.6E-19C \cdot 5.5μm \cdot 30m²/V*s \cdot 1.4μF}

1.7E+23 = \frac{2.015 \cdot 3.2}{1.6E-19 \cdot 5.5 \cdot 30 \cdot 1.4}

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

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Circuitos integrados (CI) » fx Concentración de dopante del donante

Concentración de dopante del donante Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Concentración de dopante del donante?

Primer paso Considere la fórmula

N d = \frac{I sat \cdot L t}{[Charge-e] \cdot W t \cdot μ n \cdot C dep}

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

N d = \frac{2.015A \cdot 3.2μm}{[Charge-e] \cdot 5.5μm \cdot 30m²/V*s \cdot 1.4μF}

Próximo paso Valores sustitutos de constantes

∴

N d = \frac{2.015A \cdot 3.2μm}{1.6E-19C \cdot 5.5μm \cdot 30m²/V*s \cdot 1.4μF}

Próximo paso Convertir unidades

∴

N d = \frac{2.015A \cdot 3.2E-6m}{1.6E-19C \cdot 5.5E-6m \cdot 30m²/V*s \cdot 1.4E-6F}

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

N d = \frac{2.015 \cdot 3.2E-6}{1.6E-19 \cdot 5.5E-6 \cdot 30 \cdot 1.4E-6}

Próximo paso Evaluar

∴

N d = 1.74221865211214E+23electrons/m³

Último paso Respuesta de redondeo

∴

N d = 1.7E+23electrons/m³

Concentración de dopante del donante Fórmula Elementos

variables

Constantes

Concentración de dopante del donante

La concentración de dopante donante es la concentración de átomos donantes por unidad de volumen.

Símbolo: N_d

Medición: Densidad de electronesUnidad: electrons/m³

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Concentración de dopante del donante

Corriente de saturación

La corriente de saturación se refiere a la corriente máxima que puede fluir a través del transistor cuando está completamente encendido.

Símbolo: I_sat

Medición: Corriente eléctricaUnidad: A

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Corriente de saturación

Longitud del transistor

La longitud del transistor se refiere a la longitud de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.

Símbolo: L_t

Medición: LongitudUnidad: μm

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Longitud del transistor

Ancho del transistor

El ancho del transistor se refiere al ancho de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.

Símbolo: W_t

Medición: LongitudUnidad: μm

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Ancho del transistor

Movilidad electrónica

La movilidad electrónica describe la rapidez con la que los electrones pueden moverse a través del material en respuesta a un campo eléctrico.

Símbolo: μ_n

Medición: MovilidadUnidad: m²/V*s

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Movilidad electrónica

Capacitancia de la capa de agotamiento

La capacitancia de la capa de agotamiento por unidad de área es la capacitancia de la capa de agotamiento por unidad de área.

Símbolo: C_dep

Medición: CapacidadUnidad: μF

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Capacitancia de la capa de agotamiento

carga de electrones

La carga del electrón es una constante física fundamental que representa la carga eléctrica transportada por un electrón, que es la partícula elemental con carga eléctrica negativa.

Símbolo: [Charge-e]

Valor: 1.60217662E-19 C

Otras fórmulas en la categoría Fabricación de circuitos integrados MOS

Ir Efecto corporal en MOSFET

V t = V th + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot Φ f + V bs} - \sqrt{2 \cdot Φ f})

Ir Frecuencia de ganancia unitaria MOSFET

f t = \frac{g m}{C gs + C gd}

Ir Corriente de drenaje de MOSFET en la región de saturación

I d = \frac{β}{2} \cdot {(V gs - V th)}^{2} \cdot (1 + λ i \cdot V ds)

Ir Resistencia del canal

R ch = \frac{L t}{W t} \cdot \frac{1}{μ n \cdot Q on}

¿Cómo evaluar Concentración de dopante del donante?

El evaluador de Concentración de dopante del donante usa Donor Dopant Concentration = (Corriente de saturación*Longitud del transistor)/([Charge-e]*Ancho del transistor*Movilidad electrónica*Capacitancia de la capa de agotamiento) para evaluar Concentración de dopante del donante, La fórmula de concentración de dopantes donantes se define como la concentración de átomos donantes introducidos intencionalmente en un material semiconductor para aumentar el número de portadores de carga libres (electrones) disponibles para la conducción. Concentración de dopante del donante se indica mediante el símbolo N_d.

¿Cómo evaluar Concentración de dopante del donante usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Concentración de dopante del donante, ingrese Corriente de saturación (I_sat), Longitud del transistor (L_t), Ancho del transistor (W_t), Movilidad electrónica (μ_n) & Capacitancia de la capa de agotamiento (C_dep) y presione el botón calcular.

FAQs en Concentración de dopante del donante

¿Cuál es la fórmula para encontrar Concentración de dopante del donante?

La fórmula de Concentración de dopante del donante se expresa como Donor Dopant Concentration = (Corriente de saturación*Longitud del transistor)/([Charge-e]*Ancho del transistor*Movilidad electrónica*Capacitancia de la capa de agotamiento). Aquí hay un ejemplo: 1.7E+23 = (2.015*3.2E-06)/([Charge-e]*5.5E-06*30*1.4E-06).

¿Cómo calcular Concentración de dopante del donante?

Con Corriente de saturación (I_sat), Longitud del transistor (L_t), Ancho del transistor (W_t), Movilidad electrónica (μ_n) & Capacitancia de la capa de agotamiento (C_dep) podemos encontrar Concentración de dopante del donante usando la fórmula - Donor Dopant Concentration = (Corriente de saturación*Longitud del transistor)/([Charge-e]*Ancho del transistor*Movilidad electrónica*Capacitancia de la capa de agotamiento). Esta fórmula también usa carga de electrones constante(s).

¿Puede el Concentración de dopante del donante ser negativo?

No, el Concentración de dopante del donante, medido en Densidad de electrones no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Concentración de dopante del donante?

Concentración de dopante del donante generalmente se mide usando Electrones por metro cúbico[electrons/m³] para Densidad de electrones. Electrones por centímetro cúbico[electrons/m³] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Concentración de dopante del donante.

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Concentración de dopante del donante Fórmula

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