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Concentración de dopante aceptor Fórmula

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La concentración de dopante aceptor es la movilidad de los portadores de carga (agujeros en este caso) y las dimensiones del dispositivo semiconductor. Marque FAQs

N a = \frac{1}{2 \cdot π \cdot L t \cdot W t \cdot [Charge-e] \cdot μ p \cdot C dep}

N_a - Concentración de dopante aceptor?L_t - Longitud del transistor?W_t - Ancho del transistor?μ_p - Movilidad del agujero?C_dep - Capacitancia de la capa de agotamiento?[Charge-e] - carga de electrones?π - La constante de Arquímedes.?

Ejemplo de Concentración de dopante aceptor

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Concentración de dopante aceptor con Valores.

Así es como se ve la ecuación Concentración de dopante aceptor con unidades.

Así es como se ve la ecuación Concentración de dopante aceptor.

1E+32 = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2 \cdot 5.5 \cdot 1.6E-19 \cdot 400 \cdot 1.4}

1E+32electrons/m³ = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2μm \cdot 5.5μm \cdot 1.6E-19C \cdot 400m²/V*s \cdot 1.4μF}

1E+32 = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2 \cdot 5.5 \cdot 1.6E-19 \cdot 400 \cdot 1.4}

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

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Circuitos integrados (CI) » fx Concentración de dopante aceptor

Concentración de dopante aceptor Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Concentración de dopante aceptor?

Primer paso Considere la fórmula

N a = \frac{1}{2 \cdot π \cdot L t \cdot W t \cdot [Charge-e] \cdot μ p \cdot C dep}

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

N a = \frac{1}{2 \cdot π \cdot 3.2μm \cdot 5.5μm \cdot [Charge-e] \cdot 400m²/V*s \cdot 1.4μF}

Próximo paso Valores sustitutos de constantes

∴

N a = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2μm \cdot 5.5μm \cdot 1.6E-19C \cdot 400m²/V*s \cdot 1.4μF}

Próximo paso Convertir unidades

∴

N a = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2E-6m \cdot 5.5E-6m \cdot 1.6E-19C \cdot 400m²/V*s \cdot 1.4E-6F}

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

N a = \frac{1}{2 \cdot 3.1416 \cdot 3.2E-6 \cdot 5.5E-6 \cdot 1.6E-19 \cdot 400 \cdot 1.4E-6}

Próximo paso Evaluar

∴

N a = 1.00788050957133E+32electrons/m³

Último paso Respuesta de redondeo

∴

N a = 1E+32electrons/m³

Concentración de dopante aceptor Fórmula Elementos

variables

Constantes

Concentración de dopante aceptor

La concentración de dopante aceptor es la movilidad de los portadores de carga (agujeros en este caso) y las dimensiones del dispositivo semiconductor.

Símbolo: N_a

Medición: Densidad de electronesUnidad: electrons/m³

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Concentración de dopante aceptor

Longitud del transistor

La longitud del transistor se refiere a la longitud de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.

Símbolo: L_t

Medición: LongitudUnidad: μm

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Longitud del transistor

Ancho del transistor

El ancho del transistor se refiere al ancho de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.

Símbolo: W_t

Medición: LongitudUnidad: μm

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Ancho del transistor

Movilidad del agujero

La movilidad de los agujeros representa la capacidad de estos portadores de carga para moverse en respuesta a un campo eléctrico.

Símbolo: μ_p

Medición: MovilidadUnidad: m²/V*s

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Movilidad del agujero

Capacitancia de la capa de agotamiento

La capacitancia de la capa de agotamiento por unidad de área es la capacitancia de la capa de agotamiento por unidad de área.

Símbolo: C_dep

Medición: CapacidadUnidad: μF

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Capacitancia de la capa de agotamiento

carga de electrones

La carga del electrón es una constante física fundamental que representa la carga eléctrica transportada por un electrón, que es la partícula elemental con carga eléctrica negativa.

Símbolo: [Charge-e]

Valor: 1.60217662E-19 C

La constante de Arquímedes.

La constante de Arquímedes es una constante matemática que representa la relación entre la circunferencia de un círculo y su diámetro.

Símbolo: π

Valor: 3.14159265358979323846264338327950288

Otras fórmulas en la categoría Fabricación de circuitos integrados MOS

Ir Efecto corporal en MOSFET

V t = V th + γ \cdot (\sqrt{2 \cdot Φ f + V bs} - \sqrt{2 \cdot Φ f})

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¿Cómo evaluar Concentración de dopante aceptor?

El evaluador de Concentración de dopante aceptor usa Acceptor Dopant Concentration = 1/(2*pi*Longitud del transistor*Ancho del transistor*[Charge-e]*Movilidad del agujero*Capacitancia de la capa de agotamiento) para evaluar Concentración de dopante aceptor, La fórmula de concentración de dopante aceptor se define como la concentración de átomos aceptores por unidad de volumen. Se refiere a la concentración de átomos dopantes añadidos intencionalmente a un material semiconductor para crear un exceso de "agujeros" cargados positivamente en la red cristalina. Concentración de dopante aceptor se indica mediante el símbolo N_a.

¿Cómo evaluar Concentración de dopante aceptor usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Concentración de dopante aceptor, ingrese Longitud del transistor (L_t), Ancho del transistor (W_t), Movilidad del agujero (μ_p) & Capacitancia de la capa de agotamiento (C_dep) y presione el botón calcular.

FAQs en Concentración de dopante aceptor

¿Cuál es la fórmula para encontrar Concentración de dopante aceptor?

La fórmula de Concentración de dopante aceptor se expresa como Acceptor Dopant Concentration = 1/(2*pi*Longitud del transistor*Ancho del transistor*[Charge-e]*Movilidad del agujero*Capacitancia de la capa de agotamiento). Aquí hay un ejemplo: 1E+32 = 1/(2*pi*3.2E-06*5.5E-06*[Charge-e]*400*1.4E-06).

¿Cómo calcular Concentración de dopante aceptor?

Con Longitud del transistor (L_t), Ancho del transistor (W_t), Movilidad del agujero (μ_p) & Capacitancia de la capa de agotamiento (C_dep) podemos encontrar Concentración de dopante aceptor usando la fórmula - Acceptor Dopant Concentration = 1/(2*pi*Longitud del transistor*Ancho del transistor*[Charge-e]*Movilidad del agujero*Capacitancia de la capa de agotamiento). Esta fórmula también usa carga de electrones, La constante de Arquímedes. .

¿Puede el Concentración de dopante aceptor ser negativo?

No, el Concentración de dopante aceptor, medido en Densidad de electrones no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Concentración de dopante aceptor?

Concentración de dopante aceptor generalmente se mide usando Electrones por metro cúbico[electrons/m³] para Densidad de electrones. Electrones por centímetro cúbico[electrons/m³] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Concentración de dopante aceptor.

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