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Concentración de donantes después de VLSI a plena escala Fórmula

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La concentración de donantes después de la escala completa podría implicar una consideración de cómo la concentración de impurezas de los donantes se ve afectada por la reducción de las dimensiones del transistor. Marque FAQs

N D' = N D \cdot Sf

N_D' - Concentración de donantes después de la ampliación total?N_D - Concentración de donantes?Sf - Factor de escala?

Ejemplo de Concentración de donantes después de VLSI a plena escala

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Concentración de donantes después de VLSI a plena escala con Valores.

Así es como se ve la ecuación Concentración de donantes después de VLSI a plena escala con unidades.

Así es como se ve la ecuación Concentración de donantes después de VLSI a plena escala.

1.5E+17 = 1E+17 \cdot 1.5

1.5E+171/cm³ = 1E+171/cm³ \cdot 1.5

1.5E+17 = 1E+17 \cdot 1.5

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Fabricación de VLSI » fx Concentración de donantes después de VLSI a plena escala

Concentración de donantes después de VLSI a plena escala Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Concentración de donantes después de VLSI a plena escala?

Primer paso Considere la fórmula

N D' = N D \cdot Sf

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

N D' = 1E+171/cm³ \cdot 1.5

Próximo paso Convertir unidades

∴

N D' = 1E+231/m³ \cdot 1.5

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

N D' = 1E+23 \cdot 1.5

Próximo paso Evaluar

∴

N D' = 1.5E+231/m³

Último paso Convertir a unidad de salida

∴

N D' = 1.5E+171/cm³

Concentración de donantes después de VLSI a plena escala Fórmula Elementos

variables

Concentración de donantes después de la ampliación total

Símbolo: N_D'

Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/cm³

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Concentración de donantes después de la ampliación total

Concentración de donantes

La concentración de donante se refiere a la concentración de átomos dopantes donantes introducidos en un material semiconductor para aumentar el número de electrones libres.

Símbolo: N_D

Medición: Concentración de portadoresUnidad: 1/cm³

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Concentración de donantes

Factor de escala

El factor de escala se define como la relación por la cual las dimensiones del transistor cambian durante el proceso de diseño.

Símbolo: Sf

Medición: NAUnidad: Unitless

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Factor de escala

Otras fórmulas en la categoría Optimización de materiales VLSI

Ir Coeficiente de efecto corporal

γ = mod \underset{̲}{u} s (\frac{V t - V t0}{\sqrt{Φ s + (V sb)} - \sqrt{Φ s}})

Ir Carga de canal

Q ch = C g \cdot (V gc - V t)

Ir Voltaje crítico

V x = E x \cdot E ch

Ir Coeficiente DIBL

η = \frac{V t0 - V t}{V ds}

¿Cómo evaluar Concentración de donantes después de VLSI a plena escala?

El evaluador de Concentración de donantes después de VLSI a plena escala usa Donor Concentration after Full Scaling = Concentración de donantes*Factor de escala para evaluar Concentración de donantes después de la ampliación total, La fórmula de concentración de donante después de la escala completa de VLSI podría implicar una consideración de cómo la concentración de impurezas del donante se ve afectada por la reducción de las dimensiones del transistor. Concentración de donantes después de la ampliación total se indica mediante el símbolo N_D'.

¿Cómo evaluar Concentración de donantes después de VLSI a plena escala usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Concentración de donantes después de VLSI a plena escala, ingrese Concentración de donantes (N_D) & Factor de escala (Sf) y presione el botón calcular.

FAQs en Concentración de donantes después de VLSI a plena escala

¿Cuál es la fórmula para encontrar Concentración de donantes después de VLSI a plena escala?

La fórmula de Concentración de donantes después de VLSI a plena escala se expresa como Donor Concentration after Full Scaling = Concentración de donantes*Factor de escala. Aquí hay un ejemplo: 1.5E+11 = 1E+23*1.5.

¿Cómo calcular Concentración de donantes después de VLSI a plena escala?

Con Concentración de donantes (N_D) & Factor de escala (Sf) podemos encontrar Concentración de donantes después de VLSI a plena escala usando la fórmula - Donor Concentration after Full Scaling = Concentración de donantes*Factor de escala.

¿Puede el Concentración de donantes después de VLSI a plena escala ser negativo?

No, el Concentración de donantes después de VLSI a plena escala, medido en Concentración de portadores no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Concentración de donantes después de VLSI a plena escala?

Concentración de donantes después de VLSI a plena escala generalmente se mide usando 1 por centímetro cúbico[1/cm³] para Concentración de portadores. 1 por metro cúbico[1/cm³], por litro[1/cm³] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Concentración de donantes después de VLSI a plena escala.

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Concentración de donantes después de VLSI a plena escala Fórmula

Ejemplo de Concentración de donantes después de VLSI a plena escala

Concentración de donantes después de VLSI a plena escala Solución

Concentración de donantes después de VLSI a plena escala Fórmula Elementos

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