Coeficiente de polarización del sustrato Fórmula

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El coeficiente de polarización del sustrato es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos de transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET). Marque FAQs
γs=2[Charge-e][Permitivity-silicon]NACox
γs - Coeficiente de polarización del sustrato?NA - Concentración de dopaje del aceptor?Cox - Capacitancia de óxido?[Charge-e] - carga de electrones?[Permitivity-silicon] - Permitividad del silicio?

Ejemplo de Coeficiente de polarización del sustrato

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Coeficiente de polarización del sustrato con Valores.

Así es como se ve la ecuación Coeficiente de polarización del sustrato con unidades.

Así es como se ve la ecuación Coeficiente de polarización del sustrato.

5.7E-7Edit=21.6E-1911.71.32Edit3.9Edit
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Coeficiente de polarización del sustrato Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Coeficiente de polarización del sustrato?

Primer paso Considere la fórmula
γs=2[Charge-e][Permitivity-silicon]NACox
Próximo paso Valores sustitutos de variables
γs=2[Charge-e][Permitivity-silicon]1.32electrons/cm³3.9F
Próximo paso Valores sustitutos de constantes
γs=21.6E-19C11.71.32electrons/cm³3.9F
Próximo paso Convertir unidades
γs=21.6E-19C11.71.3E+6electrons/m³3.9F
Próximo paso Prepárese para evaluar
γs=21.6E-1911.71.3E+63.9
Próximo paso Evaluar
γs=5.70407834987726E-07
Último paso Respuesta de redondeo
γs=5.7E-7

Coeficiente de polarización del sustrato Fórmula Elementos

variables
Constantes
Funciones
Coeficiente de polarización del sustrato
El coeficiente de polarización del sustrato es un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos de transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET).
Símbolo: γs
Medición: NAUnidad: Unitless
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Concentración de dopaje del aceptor
La concentración de dopaje del aceptor se refiere a la concentración de átomos aceptores agregados intencionalmente a un material semiconductor.
Símbolo: NA
Medición: Densidad de electronesUnidad: electrons/cm³
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Capacitancia de óxido
La capacitancia de óxido se refiere a la capacitancia asociada con la capa de óxido aislante en una estructura semiconductora de óxido metálico (MOS), como en los MOSFET.
Símbolo: Cox
Medición: CapacidadUnidad: F
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
carga de electrones
La carga del electrón es una constante física fundamental que representa la carga eléctrica transportada por un electrón, que es la partícula elemental con carga eléctrica negativa.
Símbolo: [Charge-e]
Valor: 1.60217662E-19 C
Permitividad del silicio
La permitividad del silicio mide su capacidad para almacenar energía eléctrica en un campo eléctrico, vital en la tecnología de semiconductores.
Símbolo: [Permitivity-silicon]
Valor: 11.7
sqrt
Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado.
Sintaxis: sqrt(Number)

Otras fórmulas en la categoría Transistor MOS

​Ir Capacitancia de unión de pared lateral de polarización cero por unidad de longitud
Cjsw=Cj0swxj
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¿Cómo evaluar Coeficiente de polarización del sustrato?

El evaluador de Coeficiente de polarización del sustrato usa Substrate Bias Coefficient = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentración de dopaje del aceptor)/Capacitancia de óxido para evaluar Coeficiente de polarización del sustrato, La fórmula del coeficiente de polarización del sustrato se define como un parámetro utilizado en el modelado de dispositivos de transistores de efecto de campo semiconductores de óxido metálico (MOSFET). Coeficiente de polarización del sustrato se indica mediante el símbolo γs.

¿Cómo evaluar Coeficiente de polarización del sustrato usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Coeficiente de polarización del sustrato, ingrese Concentración de dopaje del aceptor (NA) & Capacitancia de óxido (Cox) y presione el botón calcular.

FAQs en Coeficiente de polarización del sustrato

¿Cuál es la fórmula para encontrar Coeficiente de polarización del sustrato?
La fórmula de Coeficiente de polarización del sustrato se expresa como Substrate Bias Coefficient = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentración de dopaje del aceptor)/Capacitancia de óxido. Aquí hay un ejemplo: 5.7E-7 = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000)/3.9.
¿Cómo calcular Coeficiente de polarización del sustrato?
Con Concentración de dopaje del aceptor (NA) & Capacitancia de óxido (Cox) podemos encontrar Coeficiente de polarización del sustrato usando la fórmula - Substrate Bias Coefficient = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Concentración de dopaje del aceptor)/Capacitancia de óxido. Esta fórmula también utiliza funciones carga de electrones, Permitividad del silicio constante(s) y Raíz cuadrada (sqrt).
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