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Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS Fórmula

IrCarga de capa de inversión en PMOS Fórmula

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La carga de la capa de inversión se refiere a la acumulación de portadores de carga en la interfaz entre el semiconductor y la capa de óxido aislante cuando se aplica un voltaje al electrodo de puerta. Marque FAQs

Q p = - C ox \cdot (V GS - V T - V DS)

Q_p - Carga de capa de inversión?C_ox - Capacitancia de óxido?V_GS - Voltaje entre puerta y fuente?V_T - Voltaje de umbral?V_DS - Voltaje entre drenaje y fuente?

Ejemplo de Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS con Valores.

Así es como se ve la ecuación Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS con unidades.

Así es como se ve la ecuación Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS.

0.0002 = - 0.0008 \cdot (2.86 - 0.7 - 2.45)

0.0002C/m² = - 0.0008F \cdot (2.86V - 0.7V - 2.45V)

0.0002 = - 0.0008 \cdot (2.86 - 0.7 - 2.45)

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Electrónica analógica » fx Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS

Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS?

Primer paso Considere la fórmula

Q p = - C ox \cdot (V GS - V T - V DS)

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

Q p = - 0.0008F \cdot (2.86V - 0.7V - 2.45V)

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

Q p = - 0.0008 \cdot (2.86 - 0.7 - 2.45)

Próximo paso Evaluar

∴

Q p = 0.000232C/m²

Último paso Respuesta de redondeo

∴

Q p = 0.0002C/m²

Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS Fórmula Elementos

variables

Carga de capa de inversión

Símbolo: Q_p

Medición: Densidad de carga superficialUnidad: C/m²

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Carga de capa de inversión

Capacitancia de óxido

La capacitancia de óxido es un parámetro importante que afecta el rendimiento de los dispositivos MOS, como la velocidad y el consumo de energía de los circuitos integrados.

Símbolo: C_ox

Medición: CapacidadUnidad: F

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Capacitancia de óxido

Voltaje entre puerta y fuente

El voltaje entre la puerta y la fuente de un transistor de efecto de campo (FET) se conoce como voltaje puerta-fuente (VGS). Es un parámetro importante que afecta el funcionamiento del FET.

Símbolo: V_GS

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Voltaje entre puerta y fuente

Voltaje de umbral

El voltaje de umbral, también conocido como voltaje de umbral de puerta o simplemente Vth, es un parámetro crítico en el funcionamiento de los transistores de efecto de campo, que son componentes fundamentales en la electrónica moderna.

Símbolo: V_T

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Voltaje de umbral

Voltaje entre drenaje y fuente

El voltaje entre el drenaje y la fuente es un parámetro clave en el funcionamiento de un transistor de efecto de campo (FET) y, a menudo, se lo denomina "voltaje entre el drenaje y la fuente" o VDS.

Símbolo: V_DS

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor puede ser positivo o negativo.

Fórmulas para encontrar Voltaje entre drenaje y fuente

Otras fórmulas para encontrar Carga de capa de inversión

Ir Carga de capa de inversión en PMOS

Q p = - C ox \cdot (V GS - V T)

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Ir Corriente de drenaje en la región triodo del transistor PMOS

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

Ir Corriente de drenaje en la región del triodo del transistor PMOS dado Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

Ir Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

Ir Corriente de drenaje en la región de saturación del transistor PMOS dado Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

¿Cómo evaluar Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS?

El evaluador de Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS usa Inversion Layer Charge = -Capacitancia de óxido*(Voltaje entre puerta y fuente-Voltaje de umbral-Voltaje entre drenaje y fuente) para evaluar Carga de capa de inversión, La carga de la capa de inversión en la condición de pellizco en la fórmula PMOS se define como la carga de la capa de inversión en la condición de pellizco en un transistor PMOS que es la cantidad de carga que se acumula en la interfaz entre el sustrato de tipo p y la capa de óxido cuando el el transistor está apagado y determina la conductancia del transistor cuando está encendido. Carga de capa de inversión se indica mediante el símbolo Q_p.

¿Cómo evaluar Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS, ingrese Capacitancia de óxido (C_ox), Voltaje entre puerta y fuente (V_GS), Voltaje de umbral (V_T) & Voltaje entre drenaje y fuente (V_DS) y presione el botón calcular.

FAQs en Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS

¿Cuál es la fórmula para encontrar Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS?

La fórmula de Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS se expresa como Inversion Layer Charge = -Capacitancia de óxido*(Voltaje entre puerta y fuente-Voltaje de umbral-Voltaje entre drenaje y fuente). Aquí hay un ejemplo: 0.000232 = -0.0008*(2.86-0.7-2.45).

¿Cómo calcular Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS?

Con Capacitancia de óxido (C_ox), Voltaje entre puerta y fuente (V_GS), Voltaje de umbral (V_T) & Voltaje entre drenaje y fuente (V_DS) podemos encontrar Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS usando la fórmula - Inversion Layer Charge = -Capacitancia de óxido*(Voltaje entre puerta y fuente-Voltaje de umbral-Voltaje entre drenaje y fuente).

¿Cuáles son las otras formas de calcular Carga de capa de inversión?

Estas son las diferentes formas de calcular Carga de capa de inversión-

Inversion Layer Charge=-Oxide Capacitance*(Voltage between Gate and Source-Threshold Voltage)

¿Puede el Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS ser negativo?

Sí, el Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS, medido en Densidad de carga superficial poder sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS?

Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS generalmente se mide usando culombio por metro cuadrado[C/m²] para Densidad de carga superficial. culombio por centímetro cuadrado[C/m²], Culombio por pulgada cuadrada[C/m²], Abculombio por metro cuadrado[C/m²] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS.

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Carga de capa de inversión en condición de pellizco en PMOS Fórmula

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