Capacitancia efectiva en CMOS Fórmula

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La capacitancia efectiva en CMOS se define como la relación entre la cantidad de carga eléctrica almacenada en un conductor y una diferencia de potencial eléctrico. Marque FAQs
Ceff=Dioff(10Vbc)Ng[BoltZ]Vbc
Ceff - Capacitancia efectiva en CMOS?D - Ciclo de trabajo?ioff - Apagado actual?Vbc - Voltaje base del colector?Ng - Puertas en el camino crítico?[BoltZ] - constante de Boltzmann?

Ejemplo de Capacitancia efectiva en CMOS

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Capacitancia efectiva en CMOS con Valores.

Así es como se ve la ecuación Capacitancia efectiva en CMOS con unidades.

Así es como se ve la ecuación Capacitancia efectiva en CMOS.

5.1379Edit=1.3E-25Edit0.01Edit(102.02Edit)0.95Edit1.4E-232.02Edit
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Capacitancia efectiva en CMOS Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Capacitancia efectiva en CMOS?

Primer paso Considere la fórmula
Ceff=Dioff(10Vbc)Ng[BoltZ]Vbc
Próximo paso Valores sustitutos de variables
Ceff=1.3E-250.01mA(102.02V)0.95[BoltZ]2.02V
Próximo paso Valores sustitutos de constantes
Ceff=1.3E-250.01mA(102.02V)0.951.4E-23J/K2.02V
Próximo paso Convertir unidades
Ceff=1.3E-251E-5A(102.02V)0.951.4E-23J/K2.02V
Próximo paso Prepárese para evaluar
Ceff=1.3E-251E-5(102.02)0.951.4E-232.02
Próximo paso Evaluar
Ceff=5.13789525162511E-06F
Próximo paso Convertir a unidad de salida
Ceff=5.13789525162511μF
Último paso Respuesta de redondeo
Ceff=5.1379μF

Capacitancia efectiva en CMOS Fórmula Elementos

variables
Constantes
Capacitancia efectiva en CMOS
La capacitancia efectiva en CMOS se define como la relación entre la cantidad de carga eléctrica almacenada en un conductor y una diferencia de potencial eléctrico.
Símbolo: Ceff
Medición: CapacidadUnidad: μF
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Ciclo de trabajo
Un ciclo de trabajo o ciclo de energía es la fracción de un período en el que una señal o sistema está activo.
Símbolo: D
Medición: NAUnidad: Unitless
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Apagado actual
La corriente apagada de un interruptor es un valor que no existe en la realidad. Los interruptores reales normalmente tienen una corriente de apagado muy pequeña, que a veces se denomina corriente de fuga.
Símbolo: ioff
Medición: Corriente eléctricaUnidad: mA
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Voltaje base del colector
El voltaje del colector base es un parámetro crucial en la polarización de transistores. Se refiere a la diferencia de voltaje entre los terminales base y colector del transistor cuando está en su estado activo.
Símbolo: Vbc
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Puertas en el camino crítico
Las puertas en la ruta crítica se definen como el número total de puertas lógicas requeridas durante un ciclo en CMOS.
Símbolo: Ng
Medición: NAUnidad: Unitless
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
constante de Boltzmann
La constante de Boltzmann relaciona la energía cinética promedio de las partículas en un gas con la temperatura del gas y es una constante fundamental en mecánica estadística y termodinámica.
Símbolo: [BoltZ]
Valor: 1.38064852E-23 J/K

Otras fórmulas en la categoría Características del circuito CMOS

​Ir Voltaje crítico CMOS
Vc=EcL
​Ir CMOS significa ruta libre
L=VcEc
​Ir Ancho de difusión de la fuente
W=AsDs
​Ir Área de difusión de fuentes
As=DsW

¿Cómo evaluar Capacitancia efectiva en CMOS?

El evaluador de Capacitancia efectiva en CMOS usa Effective Capacitance in CMOS = Ciclo de trabajo*(Apagado actual*(10^(Voltaje base del colector)))/(Puertas en el camino crítico*[BoltZ]*Voltaje base del colector) para evaluar Capacitancia efectiva en CMOS, La fórmula de capacitancia efectiva en CMOS se define como la relación entre la cantidad de carga eléctrica almacenada en un conductor y la diferencia de potencial eléctrico. Capacitancia efectiva en CMOS se indica mediante el símbolo Ceff.

¿Cómo evaluar Capacitancia efectiva en CMOS usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Capacitancia efectiva en CMOS, ingrese Ciclo de trabajo (D), Apagado actual (ioff), Voltaje base del colector (Vbc) & Puertas en el camino crítico (Ng) y presione el botón calcular.

FAQs en Capacitancia efectiva en CMOS

¿Cuál es la fórmula para encontrar Capacitancia efectiva en CMOS?
La fórmula de Capacitancia efectiva en CMOS se expresa como Effective Capacitance in CMOS = Ciclo de trabajo*(Apagado actual*(10^(Voltaje base del colector)))/(Puertas en el camino crítico*[BoltZ]*Voltaje base del colector). Aquí hay un ejemplo: 5.1E+6 = 1.3E-25*(1E-05*(10^(2.02)))/(0.95*[BoltZ]*2.02).
¿Cómo calcular Capacitancia efectiva en CMOS?
Con Ciclo de trabajo (D), Apagado actual (ioff), Voltaje base del colector (Vbc) & Puertas en el camino crítico (Ng) podemos encontrar Capacitancia efectiva en CMOS usando la fórmula - Effective Capacitance in CMOS = Ciclo de trabajo*(Apagado actual*(10^(Voltaje base del colector)))/(Puertas en el camino crítico*[BoltZ]*Voltaje base del colector). Esta fórmula también usa constante de Boltzmann .
¿Puede el Capacitancia efectiva en CMOS ser negativo?
No, el Capacitancia efectiva en CMOS, medido en Capacidad no puedo sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Capacitancia efectiva en CMOS?
Capacitancia efectiva en CMOS generalmente se mide usando Microfaradio[μF] para Capacidad. Faradio[μF], kilofaradio[μF], milifaradio[μF] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Capacitancia efectiva en CMOS.
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