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Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición Fórmula

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La capacitancia de fuente de puerta se refiere a la capacitancia entre los terminales de puerta y fuente de un transistor de efecto de campo (FET). Marque FAQs

C gs = (\frac{2}{3} \cdot W t \cdot L t \cdot C ox) + (W t \cdot C ov)

C_gs - Capacitancia de la fuente de puerta?W_t - Ancho del transistor?L_t - Longitud del transistor?C_ox - Capacitancia de óxido?C_ov - Capacitancia de superposición?

Ejemplo de Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición con Valores.

Así es como se ve la ecuación Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición con unidades.

Así es como se ve la ecuación Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición.

13.75 = (\frac{2}{3} \cdot 5.5 \cdot 3.2 \cdot 3.9) + (5.5 \cdot 2.5)

13.75μF = (\frac{2}{3} \cdot 5.5μm \cdot 3.2μm \cdot 3.9F) + (5.5μm \cdot 2.5F)

13.75 = (\frac{2}{3} \cdot 5.5 \cdot 3.2 \cdot 3.9) + (5.5 \cdot 2.5)

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Circuitos integrados (CI) » fx Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición

Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición?

Primer paso Considere la fórmula

C gs = (\frac{2}{3} \cdot W t \cdot L t \cdot C ox) + (W t \cdot C ov)

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

C gs = (\frac{2}{3} \cdot 5.5μm \cdot 3.2μm \cdot 3.9F) + (5.5μm \cdot 2.5F)

Próximo paso Convertir unidades

∴

C gs = (\frac{2}{3} \cdot 5.5E-6m \cdot 3.2E-6m \cdot 3.9F) + (5.5E-6m \cdot 2.5F)

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

C gs = (\frac{2}{3} \cdot 5.5E-6 \cdot 3.2E-6 \cdot 3.9) + (5.5E-6 \cdot 2.5)

Próximo paso Evaluar

∴

C gs = 1.375004576E-05F

Próximo paso Convertir a unidad de salida

∴

C gs = 13.75004576μF

Último paso Respuesta de redondeo

∴

C gs = 13.75μF

Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición Fórmula Elementos

variables

Capacitancia de la fuente de puerta

La capacitancia de fuente de puerta se refiere a la capacitancia entre los terminales de puerta y fuente de un transistor de efecto de campo (FET).

Símbolo: C_gs

Medición: CapacidadUnidad: μF

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Capacitancia de la fuente de puerta

Ancho del transistor

El ancho del transistor se refiere al ancho de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.

Símbolo: W_t

Medición: LongitudUnidad: μm

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Ancho del transistor

Longitud del transistor

La longitud del transistor se refiere a la longitud de la región del canal en un MOSFET. Esta dimensión juega un papel crucial en la determinación de las características eléctricas y el rendimiento del transistor.

Símbolo: L_t

Medición: LongitudUnidad: μm

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Longitud del transistor

Capacitancia de óxido

La capacitancia de óxido se refiere a la capacitancia asociada con la capa de óxido aislante en una estructura semiconductora de óxido metálico (MOS), como en los MOSFET.

Símbolo: C_ox

Medición: CapacidadUnidad: F

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Capacitancia de óxido

Capacitancia de superposición

La capacitancia de superposición es una capacitancia parásita que surge debido a la superposición física entre la puerta y las regiones de fuente/drenaje.

Símbolo: C_ov

Medición: CapacidadUnidad: F

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Capacitancia de superposición

Otras fórmulas en la categoría Fabricación de circuitos integrados bipolares

Ir Impureza con concentración intrínseca

n i = \sqrt{\frac{n e \cdot p}{t o}}

Ir Conductividad óhmica de la impureza

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

Ir Voltaje de ruptura del emisor colector

V ce = \frac{V cb}{{(i g)}^{\frac{1}{n}}}

Ir Conductividad de tipo N

σ = q \cdot (μ n \cdot N d + μ p \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N d}))

¿Cómo evaluar Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición?

El evaluador de Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición usa Gate Source Capacitance = (2/3*Ancho del transistor*Longitud del transistor*Capacitancia de óxido)+(Ancho del transistor*Capacitancia de superposición) para evaluar Capacitancia de la fuente de puerta, La fórmula de capacitancia de superposición dada la capacitancia de la fuente de la puerta se define como la capacitancia entre los terminales de la puerta y la fuente. Capacitancia de la fuente de puerta se indica mediante el símbolo C_gs.

¿Cómo evaluar Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición, ingrese Ancho del transistor (W_t), Longitud del transistor (L_t), Capacitancia de óxido (C_ox) & Capacitancia de superposición (C_ov) y presione el botón calcular.

FAQs en Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición

¿Cuál es la fórmula para encontrar Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición?

La fórmula de Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición se expresa como Gate Source Capacitance = (2/3*Ancho del transistor*Longitud del transistor*Capacitancia de óxido)+(Ancho del transistor*Capacitancia de superposición). Aquí hay un ejemplo: 1.4E-5 = (2/3*5.5E-06*3.2E-06*3.9)+(5.5E-06*2.5).

¿Cómo calcular Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición?

Con Ancho del transistor (W_t), Longitud del transistor (L_t), Capacitancia de óxido (C_ox) & Capacitancia de superposición (C_ov) podemos encontrar Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición usando la fórmula - Gate Source Capacitance = (2/3*Ancho del transistor*Longitud del transistor*Capacitancia de óxido)+(Ancho del transistor*Capacitancia de superposición).

¿Puede el Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición ser negativo?

No, el Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición, medido en Capacidad no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición?

Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición generalmente se mide usando Microfaradio[μF] para Capacidad. Faradio[μF], kilofaradio[μF], milifaradio[μF] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición.

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Capacitancia de la fuente de puerta dada la capacitancia de superposición Fórmula

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