Capacitancia de drenaje de compuerta de FET Fórmula

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La capacitancia de drenaje de compuerta FET es la capacitancia entre la compuerta y los terminales de drenaje del FET. Es causado por la superposición entre la compuerta y las regiones de drenaje. Marque FAQs
Cgd(fet)=Tgd-off(fet)(1-Vgd(fet)Ψ0(fet))13
Cgd(fet) - Capacitancia de drenaje de puerta FET?Tgd-off(fet) - Capacitancia de drenaje de compuerta Tiempo de inactividad FET?Vgd(fet) - FET de voltaje de puerta a drenaje?Ψ0(fet) - FET de potencial de superficie?

Ejemplo de Capacitancia de drenaje de compuerta de FET

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Capacitancia de drenaje de compuerta de FET con Valores.

Así es como se ve la ecuación Capacitancia de drenaje de compuerta de FET con unidades.

Así es como se ve la ecuación Capacitancia de drenaje de compuerta de FET.

6.4756Edit=6.47Edit(1-0.0128Edit4.976Edit)13
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Capacitancia de drenaje de compuerta de FET Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Capacitancia de drenaje de compuerta de FET?

Primer paso Considere la fórmula
Cgd(fet)=Tgd-off(fet)(1-Vgd(fet)Ψ0(fet))13
Próximo paso Valores sustitutos de variables
Cgd(fet)=6.47s(1-0.0128V4.976V)13
Próximo paso Prepárese para evaluar
Cgd(fet)=6.47(1-0.01284.976)13
Próximo paso Evaluar
Cgd(fet)=6.47555722841382F
Último paso Respuesta de redondeo
Cgd(fet)=6.4756F

Capacitancia de drenaje de compuerta de FET Fórmula Elementos

variables
Capacitancia de drenaje de puerta FET
La capacitancia de drenaje de compuerta FET es la capacitancia entre la compuerta y los terminales de drenaje del FET. Es causado por la superposición entre la compuerta y las regiones de drenaje.
Símbolo: Cgd(fet)
Medición: CapacidadUnidad: F
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Capacitancia de drenaje de compuerta Tiempo de inactividad FET
Tiempo de desactivación de la capacitancia de drenaje de puerta FET denota la duración de la descarga de la capacitancia de puerta a drenaje, lo que influye en las características de conmutación y la eficiencia energética en los circuitos electrónicos.
Símbolo: Tgd-off(fet)
Medición: TiempoUnidad: s
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
FET de voltaje de puerta a drenaje
El FET de voltaje de compuerta a drenaje es la diferencia de voltaje entre los terminales de compuerta y drenaje de un FET.
Símbolo: Vgd(fet)
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor puede ser positivo o negativo.
FET de potencial de superficie
El FET de potencial de superficie funciona en función del potencial de superficie del canal semiconductor, controlando el flujo de corriente a través de un voltaje de compuerta sin generar capas de inversión.
Símbolo: Ψ0(fet)
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Otras fórmulas en la categoría FET

​Ir Pellizcar el voltaje del FET
Voff(fet)=Vds-off(fet)-Vds(fet)
​Ir Corriente de drenaje de FET
Id(fet)=Idss(fet)(1-Vds(fet)Vcut-off(fet))2
​Ir Transconductancia de FET
Gm(fet)=2Idss(fet)Voff(fet)(1-Vds(fet)Voff(fet))
​Ir Voltaje de fuente de drenaje de FET
Vds(fet)=Vdd(fet)-Id(fet)(Rd(fet)+Rs(fet))

¿Cómo evaluar Capacitancia de drenaje de compuerta de FET?

El evaluador de Capacitancia de drenaje de compuerta de FET usa Gate Drain Capacitance FET = Capacitancia de drenaje de compuerta Tiempo de inactividad FET/(1-FET de voltaje de puerta a drenaje/FET de potencial de superficie)^(1/3) para evaluar Capacitancia de drenaje de puerta FET, La capacitancia de drenaje de compuerta de FET es la capacitancia entre la compuerta y los terminales de drenaje del FET. Es causado por la superposición entre las regiones de compuerta y drenaje, es una capacitancia parásita que puede afectar el rendimiento de los circuitos FET. Utilice un controlador de puerta con una corriente de salida más alta. Esto ayudará a cargar y descargar la capacitancia de la compuerta más rápidamente. C. Capacitancia de drenaje de puerta FET se indica mediante el símbolo Cgd(fet).

¿Cómo evaluar Capacitancia de drenaje de compuerta de FET usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Capacitancia de drenaje de compuerta de FET, ingrese Capacitancia de drenaje de compuerta Tiempo de inactividad FET (Tgd-off(fet)), FET de voltaje de puerta a drenaje (Vgd(fet)) & FET de potencial de superficie 0(fet)) y presione el botón calcular.

FAQs en Capacitancia de drenaje de compuerta de FET

¿Cuál es la fórmula para encontrar Capacitancia de drenaje de compuerta de FET?
La fórmula de Capacitancia de drenaje de compuerta de FET se expresa como Gate Drain Capacitance FET = Capacitancia de drenaje de compuerta Tiempo de inactividad FET/(1-FET de voltaje de puerta a drenaje/FET de potencial de superficie)^(1/3). Aquí hay un ejemplo: 6.475557 = 6.47/(1-0.0128/4.976)^(1/3).
¿Cómo calcular Capacitancia de drenaje de compuerta de FET?
Con Capacitancia de drenaje de compuerta Tiempo de inactividad FET (Tgd-off(fet)), FET de voltaje de puerta a drenaje (Vgd(fet)) & FET de potencial de superficie 0(fet)) podemos encontrar Capacitancia de drenaje de compuerta de FET usando la fórmula - Gate Drain Capacitance FET = Capacitancia de drenaje de compuerta Tiempo de inactividad FET/(1-FET de voltaje de puerta a drenaje/FET de potencial de superficie)^(1/3).
¿Puede el Capacitancia de drenaje de compuerta de FET ser negativo?
No, el Capacitancia de drenaje de compuerta de FET, medido en Capacidad no puedo sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Capacitancia de drenaje de compuerta de FET?
Capacitancia de drenaje de compuerta de FET generalmente se mide usando Faradio[F] para Capacidad. kilofaradio[F], milifaradio[F], Microfaradio[F] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Capacitancia de drenaje de compuerta de FET.
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