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Capacitancia de carga del inversor CMOS en cascada Fórmula

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La capacitancia de carga CMOS del inversor es la capacitancia impulsada por la salida de un inversor CMOS, incluido el cableado, las capacitancias de entrada de las puertas conectadas y las capacitancias parásitas. Marque FAQs
Cload=Cgd,p+Cgd,n+Cdb,p+Cdb,n+Cin+Cg
Cload - Capacitancia de carga CMOS del inversor?Cgd,p - Capacitancia de drenaje de puerta PMOS?Cgd,n - Capacitancia de drenaje de puerta NMOS?Cdb,p - Capacitancia masiva de drenaje PMOS?Cdb,n - Capacitancia masiva de drenaje NMOS?Cin - Capacitancia interna del inversor CMOS?Cg - Capacitancia de puerta CMOS del inversor?

Ejemplo de Capacitancia de carga del inversor CMOS en cascada

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Capacitancia de carga del inversor CMOS en cascada con Valores.

Así es como se ve la ecuación Capacitancia de carga del inversor CMOS en cascada con unidades.

Así es como se ve la ecuación Capacitancia de carga del inversor CMOS en cascada.

0.93Edit=0.15Edit+0.1Edit+0.25Edit+0.2Edit+0.05Edit+0.18Edit
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Capacitancia de carga del inversor CMOS en cascada Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Capacitancia de carga del inversor CMOS en cascada?

Primer paso Considere la fórmula
Cload=Cgd,p+Cgd,n+Cdb,p+Cdb,n+Cin+Cg
Próximo paso Valores sustitutos de variables
∴ Cload=0.15fF+0.1fF+0.25fF+0.2fF+0.05fF+0.18fF
Próximo paso Convertir unidades
∴ Cload=1.5E-16F+1E-16F+2.5E-16F+2E-16F+5E-17F+1.8E-16F
Próximo paso Prepárese para evaluar
∴ Cload=1.5E-16+1E-16+2.5E-16+2E-16+5E-17+1.8E-16
Próximo paso Evaluar
∴Cload=9.3E-16F
Último paso Convertir a unidad de salida
∴Cload=0.93fF

Capacitancia de carga del inversor CMOS en cascada Fórmula Elementos

variables
Capacitancia de carga CMOS del inversor
La capacitancia de carga CMOS del inversor es la capacitancia impulsada por la salida de un inversor CMOS, incluido el cableado, las capacitancias de entrada de las puertas conectadas y las capacitancias parásitas.
Símbolo: Cload
Medición: CapacidadUnidad: fF
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Fórmulas para encontrar Capacitancia de carga CMOS del inversorOpen Variable
Capacitancia de drenaje de puerta PMOS
La capacitancia de drenaje de puerta PMOS es la capacitancia entre la puerta y los terminales de drenaje de un transistor PMOS, lo que afecta su velocidad de conmutación y consumo de energía en aplicaciones de circuitos digitales.
Símbolo: Cgd,p
Medición: CapacidadUnidad: fF
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Fórmulas para encontrar Capacitancia de drenaje de puerta PMOSOpen Variable
Capacitancia de drenaje de puerta NMOS
La capacitancia de drenaje de puerta NMOS es la capacitancia entre la puerta y los terminales de drenaje de un transistor NMOS, lo que influye en su velocidad de conmutación y consumo de energía en aplicaciones de circuitos digitales.
Símbolo: Cgd,n
Medición: CapacidadUnidad: fF
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Fórmulas para encontrar Capacitancia de drenaje de puerta NMOSOpen Variable
Capacitancia masiva de drenaje PMOS
La capacitancia masiva de drenaje PMOS se refiere a la capacitancia entre el terminal de drenaje y el sustrato de un transistor PMOS, lo que influye en su comportamiento en diversas aplicaciones de circuitos.
Símbolo: Cdb,p
Medición: CapacidadUnidad: fF
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Fórmulas para encontrar Capacitancia masiva de drenaje PMOSOpen Variable
Capacitancia masiva de drenaje NMOS
La capacitancia masiva de drenaje NMOS se refiere a la capacitancia entre el terminal de drenaje y la masa (sustrato) de un transistor NMOS, lo que afecta sus características de conmutación y su rendimiento general.
Símbolo: Cdb,n
Medición: CapacidadUnidad: fF
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Fórmulas para encontrar Capacitancia masiva de drenaje NMOSOpen Variable
Capacitancia interna del inversor CMOS
La capacitancia interna del inversor CMOS se refiere a las capacitancias parásitas dentro de un inversor CMOS, incluidas las capacitancias de unión y superposición, que afectan su velocidad de conmutación y consumo de energía.
Símbolo: Cin
Medición: CapacidadUnidad: fF
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Fórmulas para encontrar Capacitancia interna del inversor CMOSOpen Variable
Capacitancia de puerta CMOS del inversor
La capacitancia de puerta CMOS del inversor es la capacitancia total en el terminal de puerta de un inversor CMOS, que afecta la velocidad de conmutación y el consumo de energía, que consta de puerta a fuente.
Símbolo: Cg
Medición: CapacidadUnidad: fF
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Fórmulas para encontrar Capacitancia de puerta CMOS del inversorOpen Variable

Otras fórmulas en la categoría Inversores CMOS

​Ir Margen de ruido para CMOS de alta señal
NMH=VOH-VIH
​Ir Voltaje de entrada máximo para CMOS simétrico
VIL(sym)=3⋅VDD+2⋅VT0,n8

¿Cómo evaluar Capacitancia de carga del inversor CMOS en cascada?

El evaluador de Capacitancia de carga del inversor CMOS en cascada usa Inverter CMOS Load Capacitance = Capacitancia de drenaje de puerta PMOS+Capacitancia de drenaje de puerta NMOS+Capacitancia masiva de drenaje PMOS+Capacitancia masiva de drenaje NMOS+Capacitancia interna del inversor CMOS+Capacitancia de puerta CMOS del inversor para evaluar Capacitancia de carga CMOS del inversor, La capacitancia de carga del inversor CMOS en cascada se refiere a la capacitancia total en la salida de múltiples inversores CMOS interconectados, incluida la suma de capacitancias parásitas e intencionales, que influyen en la velocidad de conmutación del circuito, el consumo de energía y el rendimiento general. Capacitancia de carga CMOS del inversor se indica mediante el símbolo Cload.

¿Cómo evaluar Capacitancia de carga del inversor CMOS en cascada usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Capacitancia de carga del inversor CMOS en cascada, ingrese Capacitancia de drenaje de puerta PMOS (Cgd,p), Capacitancia de drenaje de puerta NMOS (Cgd,n), Capacitancia masiva de drenaje PMOS (Cdb,p), Capacitancia masiva de drenaje NMOS (Cdb,n), Capacitancia interna del inversor CMOS (Cin) & Capacitancia de puerta CMOS del inversor (Cg) y presione el botón calcular.

FAQs en Capacitancia de carga del inversor CMOS en cascada

¿Cuál es la fórmula para encontrar Capacitancia de carga del inversor CMOS en cascada?
La fórmula de Capacitancia de carga del inversor CMOS en cascada se expresa como Inverter CMOS Load Capacitance = Capacitancia de drenaje de puerta PMOS+Capacitancia de drenaje de puerta NMOS+Capacitancia masiva de drenaje PMOS+Capacitancia masiva de drenaje NMOS+Capacitancia interna del inversor CMOS+Capacitancia de puerta CMOS del inversor. Aquí hay un ejemplo: 9.3E+14 = 1.5E-16+1E-16+2.5E-16+2E-16+5E-17+1.8E-16.
¿Cómo calcular Capacitancia de carga del inversor CMOS en cascada?
Con Capacitancia de drenaje de puerta PMOS (Cgd,p), Capacitancia de drenaje de puerta NMOS (Cgd,n), Capacitancia masiva de drenaje PMOS (Cdb,p), Capacitancia masiva de drenaje NMOS (Cdb,n), Capacitancia interna del inversor CMOS (Cin) & Capacitancia de puerta CMOS del inversor (Cg) podemos encontrar Capacitancia de carga del inversor CMOS en cascada usando la fórmula - Inverter CMOS Load Capacitance = Capacitancia de drenaje de puerta PMOS+Capacitancia de drenaje de puerta NMOS+Capacitancia masiva de drenaje PMOS+Capacitancia masiva de drenaje NMOS+Capacitancia interna del inversor CMOS+Capacitancia de puerta CMOS del inversor.
¿Puede el Capacitancia de carga del inversor CMOS en cascada ser negativo?
No, el Capacitancia de carga del inversor CMOS en cascada, medido en Capacidad no puedo sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Capacitancia de carga del inversor CMOS en cascada?
Capacitancia de carga del inversor CMOS en cascada generalmente se mide usando Femtofaradio[fF] para Capacidad. Faradio[fF], kilofaradio[fF], milifaradio[fF] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Capacitancia de carga del inversor CMOS en cascada.
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