Capacitancia de base de colector Fórmula

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La capacitancia de la base del colector es simplemente la capacitancia de la unión de la base del colector, incluida tanto la parte inferior plana de la unión como las paredes laterales. Marque FAQs
Ccb=AqεNb2(ψo+Vrb)
Ccb - Capacitancia de la base del colector?A - Área de unión de la base del emisor?q - Cargar?ε - Permitividad?Nb - Densidad de dopaje?ψo - Potencial incorporado?Vrb - Unión de polarización inversa?

Ejemplo de Capacitancia de base de colector

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Capacitancia de base de colector con Valores.

Así es como se ve la ecuación Capacitancia de base de colector con unidades.

Así es como se ve la ecuación Capacitancia de base de colector.

138.6693Edit=1.75Edit5Edit71Edit26Edit2(4.8Edit+2.55Edit)
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Capacitancia de base de colector Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Capacitancia de base de colector?

Primer paso Considere la fórmula
Ccb=AqεNb2(ψo+Vrb)
Próximo paso Valores sustitutos de variables
Ccb=1.75cm²5mC71F/m26electrons/m³2(4.8V+2.55A)
Próximo paso Convertir unidades
Ccb=0.00020.005C71F/m26electrons/m³2(4.8V+2.55A)
Próximo paso Prepárese para evaluar
Ccb=0.00020.00571262(4.8+2.55)
Próximo paso Evaluar
Ccb=0.000138669270808881F
Próximo paso Convertir a unidad de salida
Ccb=138.669270808881μF
Último paso Respuesta de redondeo
Ccb=138.6693μF

Capacitancia de base de colector Fórmula Elementos

variables
Funciones
Capacitancia de la base del colector
La capacitancia de la base del colector es simplemente la capacitancia de la unión de la base del colector, incluida tanto la parte inferior plana de la unión como las paredes laterales.
Símbolo: Ccb
Medición: CapacidadUnidad: μF
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Área de unión de la base del emisor
El área de unión de la base del emisor es una unión PN formada entre el material tipo P fuertemente dopado (emisor) y el material tipo N ligeramente dopado (base) del transistor.
Símbolo: A
Medición: ÁreaUnidad: cm²
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Cargar
Carga característica de una unidad de materia que expresa en qué medida tiene más o menos electrones que protones.
Símbolo: q
Medición: Carga eléctricaUnidad: mC
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Permitividad
La permitividad es una propiedad física que describe cuánta resistencia ofrece un material a la formación de un campo eléctrico en su interior.
Símbolo: ε
Medición: PermitividadUnidad: F/m
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Densidad de dopaje
La densidad de dopaje es un proceso en el que ciertos átomos de impureza, como fósforo o boro, se introducen en el semiconductor para alterar sus propiedades eléctricas.
Símbolo: Nb
Medición: Densidad de electronesUnidad: electrons/m³
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Potencial incorporado
El potencial incorporado afecta el tamaño de la región de agotamiento, lo que a su vez influye en la capacitancia de la unión.
Símbolo: ψo
Medición: Potencial eléctricoUnidad: V
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Unión de polarización inversa
La unión de polarización inversa se refiere a la condición en un dispositivo semiconductor, donde el voltaje aplicado a través de la unión se opone al flujo normal de corriente a través del dispositivo.
Símbolo: Vrb
Medición: Corriente eléctricaUnidad: A
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
sqrt
Una función de raíz cuadrada es una función que toma un número no negativo como entrada y devuelve la raíz cuadrada del número de entrada dado.
Sintaxis: sqrt(Number)

Otras fórmulas en la categoría Efectos capacitivos internos y modelo de alta frecuencia

​Ir Carga de electrones almacenados en la base de BJT
Qn=𝛕FIc
​Ir Capacitancia de difusión de señal pequeña
Ceb=𝛕FGm

¿Cómo evaluar Capacitancia de base de colector?

El evaluador de Capacitancia de base de colector usa Collector Base Capacitance = Área de unión de la base del emisor*sqrt((Cargar*Permitividad*Densidad de dopaje)/(2*(Potencial incorporado+Unión de polarización inversa))) para evaluar Capacitancia de la base del colector, La fórmula de capacitancia de la base del colector se define en un transistor de unión bipolar (BJT) y se refiere a la capacitancia entre el colector y los terminales de la base del transistor. Esta capacitancia surge debido a la región de agotamiento y al almacenamiento de carga dentro del transistor. Capacitancia de la base del colector se indica mediante el símbolo Ccb.

¿Cómo evaluar Capacitancia de base de colector usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Capacitancia de base de colector, ingrese Área de unión de la base del emisor (A), Cargar (q), Permitividad (ε), Densidad de dopaje (Nb), Potencial incorporado o) & Unión de polarización inversa (Vrb) y presione el botón calcular.

FAQs en Capacitancia de base de colector

¿Cuál es la fórmula para encontrar Capacitancia de base de colector?
La fórmula de Capacitancia de base de colector se expresa como Collector Base Capacitance = Área de unión de la base del emisor*sqrt((Cargar*Permitividad*Densidad de dopaje)/(2*(Potencial incorporado+Unión de polarización inversa))). Aquí hay un ejemplo: 1.4E+8 = 0.000175*sqrt((0.005*71*26)/(2*(4.8+2.55))).
¿Cómo calcular Capacitancia de base de colector?
Con Área de unión de la base del emisor (A), Cargar (q), Permitividad (ε), Densidad de dopaje (Nb), Potencial incorporado o) & Unión de polarización inversa (Vrb) podemos encontrar Capacitancia de base de colector usando la fórmula - Collector Base Capacitance = Área de unión de la base del emisor*sqrt((Cargar*Permitividad*Densidad de dopaje)/(2*(Potencial incorporado+Unión de polarización inversa))). Esta fórmula también utiliza funciones Raíz cuadrada (sqrt).
¿Puede el Capacitancia de base de colector ser negativo?
No, el Capacitancia de base de colector, medido en Capacidad no puedo sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Capacitancia de base de colector?
Capacitancia de base de colector generalmente se mide usando Microfaradio[μF] para Capacidad. Faradio[μF], kilofaradio[μF], milifaradio[μF] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Capacitancia de base de colector.
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