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Caída de voltaje en IGBT en estado ON Fórmula

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La etapa de caída de voltaje en encendido (IGBT) es la diferencia de voltaje entre los terminales del colector y del emisor cuando el IGBT está encendido. Es material semiconductor en el dispositivo. Marque FAQs

V ON(igbt) = i f(igbt) \cdot R ch(igbt) + i f(igbt) \cdot R d(igbt) + V j1(igbt)

V_ON(igbt) - Caída de voltaje en etapa (IGBT)?i_f(igbt) - Corriente directa (IGBT)?R_ch(igbt) - Resistencia del canal N (IGBT)?R_d(igbt) - Resistencia a la deriva (IGBT)?V_j1(igbt) - Tensión Pn Unión 1 (IGBT)?

Ejemplo de Caída de voltaje en IGBT en estado ON

Con valores

Con unidades

Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Caída de voltaje en IGBT en estado ON con Valores.

Así es como se ve la ecuación Caída de voltaje en IGBT en estado ON con unidades.

Así es como se ve la ecuación Caída de voltaje en IGBT en estado ON.

20.2533 = 1.69 \cdot 10.59 + 1.69 \cdot 0.98 + 0.7

20.2533V = 1.69mA \cdot 10.59kΩ + 1.69mA \cdot 0.98kΩ + 0.7V

20.2533 = 1.69 \cdot 10.59 + 1.69 \cdot 0.98 + 0.7

Consejo: Utilice el icono de lápiz ( Pencil

) de arriba para editar los valores de entrada y las unidades.

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Caída de voltaje en IGBT en estado ON Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Caída de voltaje en IGBT en estado ON?

Primer paso Considere la fórmula

V ON(igbt) = i f(igbt) \cdot R ch(igbt) + i f(igbt) \cdot R d(igbt) + V j1(igbt)

Próximo paso Valores sustitutos de variables

∴

V ON(igbt) = 1.69mA \cdot 10.59kΩ + 1.69mA \cdot 0.98kΩ + 0.7V

Próximo paso Convertir unidades

∴

V ON(igbt) = 0.0017A \cdot 10590Ω + 0.0017A \cdot 980Ω + 0.7V

Próximo paso Prepárese para evaluar

∴

V ON(igbt) = 0.0017 \cdot 10590 + 0.0017 \cdot 980 + 0.7

Último paso Evaluar

∴

V ON(igbt) = 20.2533V

Caída de voltaje en IGBT en estado ON Fórmula Elementos

variables

Caída de voltaje en etapa (IGBT)

Símbolo: V_ON(igbt)

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Caída de voltaje en etapa (IGBT)

Corriente directa (IGBT)

La corriente directa (IGBT) es la corriente máxima que puede fluir a través del dispositivo cuando está encendido.

Símbolo: i_f(igbt)

Medición: Corriente eléctricaUnidad: mA

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Corriente directa (IGBT)

Resistencia del canal N (IGBT)

La resistencia del canal N (IGBT) es la resistencia del material semiconductor en el dispositivo cuando el IGBT está encendido.

Símbolo: R_ch(igbt)

Medición: Resistencia electricaUnidad: kΩ

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Resistencia del canal N (IGBT)

Resistencia a la deriva (IGBT)

La resistencia a la deriva (IGBT) es la región de deriva N del material semiconductor en el dispositivo. La región de deriva N es un silicio grueso dopado que separa el colector de la región de base P.

Símbolo: R_d(igbt)

Medición: Resistencia electricaUnidad: kΩ

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Resistencia a la deriva (IGBT)

Tensión Pn Unión 1 (IGBT)

El voltaje Pn Junction 1 (IGBT) es causado por la barrera potencial que existe en el cruce. Esta barrera potencial se crea por la difusión de portadores de carga a través de la unión.

Símbolo: V_j1(igbt)

Medición: Potencial eléctricoUnidad: V

Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Fórmulas para encontrar Tensión Pn Unión 1 (IGBT)

Otras fórmulas en la categoría IGBT

Ir Tiempo de apagado del IGBT

T off(igbt) = T dl(igbt) + t f1(igbt) + t f2(igbt)

Ir Corriente del emisor de IGBT

I e(igbt) = I h(igbt) + i e(igbt)

Ir Capacitancia de entrada de IGBT

C in(igbt) = C (g-e)(igbt) + C (g-c)(igbt)

Ir Corriente nominal de colector continuo de IGBT

i f(igbt) = \frac{- V ce(igbt) + \sqrt{{(V ce(igbt))}^{2} + 4 \cdot R ce(igbt) \cdot (\frac{T jmax(igbt) - T c(igbt)}{R th(jc)(igbt)})}}{2 \cdot R ce(igbt)}

¿Cómo evaluar Caída de voltaje en IGBT en estado ON?

El evaluador de Caída de voltaje en IGBT en estado ON usa Voltage Drop ON Stage (IGBT) = Corriente directa (IGBT)*Resistencia del canal N (IGBT)+Corriente directa (IGBT)*Resistencia a la deriva (IGBT)+Tensión Pn Unión 1 (IGBT) para evaluar Caída de voltaje en etapa (IGBT), La caída de voltaje en IGBT en estado ON es causada por la resistencia del material semiconductor en el dispositivo, así como por la resistencia de los cables de conexión y otras conexiones internas. La caída de voltaje en un IGBT en estado encendido se puede reducir usando un dispositivo más grande con una menor resistencia en estado encendido. Otra forma de reducir la caída de voltaje es reducir la corriente que fluye a través del dispositivo. Caída de voltaje en etapa (IGBT) se indica mediante el símbolo V_ON(igbt).

¿Cómo evaluar Caída de voltaje en IGBT en estado ON usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Caída de voltaje en IGBT en estado ON, ingrese Corriente directa (IGBT) (i_f(igbt)), Resistencia del canal N (IGBT) (R_ch(igbt)), Resistencia a la deriva (IGBT) (R_d(igbt)) & Tensión Pn Unión 1 (IGBT) (V_j1(igbt)) y presione el botón calcular.

FAQs en Caída de voltaje en IGBT en estado ON

¿Cuál es la fórmula para encontrar Caída de voltaje en IGBT en estado ON?

La fórmula de Caída de voltaje en IGBT en estado ON se expresa como Voltage Drop ON Stage (IGBT) = Corriente directa (IGBT)*Resistencia del canal N (IGBT)+Corriente directa (IGBT)*Resistencia a la deriva (IGBT)+Tensión Pn Unión 1 (IGBT). Aquí hay un ejemplo: 18.59876 = 0.00169*10590+0.00169*0.98+0.7.

¿Cómo calcular Caída de voltaje en IGBT en estado ON?

Con Corriente directa (IGBT) (i_f(igbt)), Resistencia del canal N (IGBT) (R_ch(igbt)), Resistencia a la deriva (IGBT) (R_d(igbt)) & Tensión Pn Unión 1 (IGBT) (V_j1(igbt)) podemos encontrar Caída de voltaje en IGBT en estado ON usando la fórmula - Voltage Drop ON Stage (IGBT) = Corriente directa (IGBT)*Resistencia del canal N (IGBT)+Corriente directa (IGBT)*Resistencia a la deriva (IGBT)+Tensión Pn Unión 1 (IGBT).

¿Puede el Caída de voltaje en IGBT en estado ON ser negativo?

No, el Caída de voltaje en IGBT en estado ON, medido en Potencial eléctrico no puedo sea negativo.

¿Qué unidad se utiliza para medir Caída de voltaje en IGBT en estado ON?

Caída de voltaje en IGBT en estado ON generalmente se mide usando Voltio[V] para Potencial eléctrico. milivoltio[V], Microvoltio[V], nanovoltios[V] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Caída de voltaje en IGBT en estado ON.

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