Ancho de la región de agotamiento Fórmula

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El ancho de la región de agotamiento en un diodo de Si típico varía desde una fracción de micrómetro hasta decenas de micrómetros, según la geometría del dispositivo, el perfil de dopaje y la polarización externa. Marque FAQs
Ld=Lpn-Leff
Ld - Ancho de la región de agotamiento?Lpn - Longitud de unión PN?Leff - Longitud efectiva del canal?

Ejemplo de Ancho de la región de agotamiento

Con valores
Con unidades
Solo ejemplo

Así es como se ve la ecuación Ancho de la región de agotamiento con Valores.

Así es como se ve la ecuación Ancho de la región de agotamiento con unidades.

Así es como se ve la ecuación Ancho de la región de agotamiento.

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Ancho de la región de agotamiento Solución

¿Sigue nuestra solución paso a paso sobre cómo calcular Ancho de la región de agotamiento?

Primer paso Considere la fórmula
Ld=Lpn-Leff
Próximo paso Valores sustitutos de variables
Ld=19mm-8mm
Próximo paso Convertir unidades
Ld=0.019m-0.008m
Próximo paso Prepárese para evaluar
Ld=0.019-0.008
Próximo paso Evaluar
Ld=0.011m
Último paso Convertir a unidad de salida
Ld=11mm

Ancho de la región de agotamiento Fórmula Elementos

variables
Ancho de la región de agotamiento
El ancho de la región de agotamiento en un diodo de Si típico varía desde una fracción de micrómetro hasta decenas de micrómetros, según la geometría del dispositivo, el perfil de dopaje y la polarización externa.
Símbolo: Ld
Medición: LongitudUnidad: mm
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Longitud de unión PN
La longitud de la unión PN se define como la longitud total de la unión desde el lado p al lado n en un semiconductor.
Símbolo: Lpn
Medición: LongitudUnidad: mm
Nota: El valor debe ser mayor que 0.
Longitud efectiva del canal
La longitud efectiva del canal se define como el camino que une los portadores de carga entre el drenaje y la fuente.
Símbolo: Leff
Medición: LongitudUnidad: mm
Nota: El valor debe ser mayor que 0.

Otras fórmulas en la categoría Características del circuito CMOS

​Ir Voltaje crítico CMOS
Vc=EcL
​Ir CMOS significa ruta libre
L=VcEc
​Ir Ancho de difusión de la fuente
W=AsDs
​Ir Área de difusión de fuentes
As=DsW

¿Cómo evaluar Ancho de la región de agotamiento?

El evaluador de Ancho de la región de agotamiento usa Depletion Region Width = Longitud de unión PN-Longitud efectiva del canal para evaluar Ancho de la región de agotamiento, La fórmula del ancho de la región de agotamiento se define como el ancho físico de la región de agotamiento en un diodo de Si típico que varía desde una fracción de un micrómetro hasta decenas de micrómetros, según la geometría del dispositivo, el perfil de dopaje y el sesgo externo. Ancho de la región de agotamiento se indica mediante el símbolo Ld.

¿Cómo evaluar Ancho de la región de agotamiento usando este evaluador en línea? Para utilizar este evaluador en línea para Ancho de la región de agotamiento, ingrese Longitud de unión PN (Lpn) & Longitud efectiva del canal (Leff) y presione el botón calcular.

FAQs en Ancho de la región de agotamiento

¿Cuál es la fórmula para encontrar Ancho de la región de agotamiento?
La fórmula de Ancho de la región de agotamiento se expresa como Depletion Region Width = Longitud de unión PN-Longitud efectiva del canal. Aquí hay un ejemplo: 1.1E+7 = 1.9E-05-8E-06.
¿Cómo calcular Ancho de la región de agotamiento?
Con Longitud de unión PN (Lpn) & Longitud efectiva del canal (Leff) podemos encontrar Ancho de la región de agotamiento usando la fórmula - Depletion Region Width = Longitud de unión PN-Longitud efectiva del canal.
¿Puede el Ancho de la región de agotamiento ser negativo?
No, el Ancho de la región de agotamiento, medido en Longitud no puedo sea negativo.
¿Qué unidad se utiliza para medir Ancho de la región de agotamiento?
Ancho de la región de agotamiento generalmente se mide usando Milímetro[mm] para Longitud. Metro[mm], Kilómetro[mm], Decímetro[mm] son las pocas otras unidades en las que se puede medir Ancho de la región de agotamiento.
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