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Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSI Formel

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Die zusätzliche Schwellenspannung für schmale Kanäle ist als zusätzlicher Beitrag zur Schwellenspannung aufgrund von Schmalkanaleffekten im MOSFET definiert. Überprüfen Sie FAQs

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

ΔV_T0(nc) - Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal?k - Empirischer Parameter?x_dm - Vertikale Massenverarmung im Substrat?W_c - Kanalbreite?C_oxide - Oxidkapazität pro Flächeneinheit?N_A - Akzeptorkonzentration?Φ_s - Oberflächenpotential?[Charge-e] - Ladung eines Elektrons?[Permitivity-vacuum] - Permittivität des Vakuums?[Permitivity-silicon] - Permittivität von Silizium?

Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSI Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

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So sieht die Gleichung Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSI aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSI aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSI aus:.

2.3825 = (\frac{1.57 \cdot 1.25}{2.5 \cdot 0.0703}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+16 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

2.3825V = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

2.3825 = (\frac{1.57 \cdot 1.25}{2.5 \cdot 0.0703}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+16 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSI Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSI?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

ΔV T0(nc) = (\frac{k \cdot x dm}{W c \cdot C oxide}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot N A \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot Φ s |})

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot [Charge-e] \cdot 1E+161/cm³ \cdot [Permitivity-vacuum] \cdot [Permitivity-silicon] \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Nächster Schritt Ersatzwerte für Konstanten

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.25μm}{2.5μm \cdot 0.0703μF/cm²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+161/cm³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.3E-6m}{2.5E-6m \cdot 0.0007F/m²}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19C \cdot 1E+221/m³ \cdot 8.9E-12F/m \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86V |})

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

ΔV T0(nc) = (\frac{1.57 \cdot 1.3E-6}{2.5E-6 \cdot 0.0007}) \cdot (\sqrt{2 \cdot 1.6E-19 \cdot 1E+22 \cdot 8.9E-12 \cdot 11.7 \cdot | 2 \cdot 6.86 |})

Nächster Schritt Auswerten

∴

ΔV T0(nc) = 2.38246289976913V

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

ΔV T0(nc) = 2.3825V

Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSI Formel Elemente

Variablen

Konstanten

Funktionen

Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal

Die zusätzliche Schwellenspannung für schmale Kanäle ist als zusätzlicher Beitrag zur Schwellenspannung aufgrund von Schmalkanaleffekten im MOSFET definiert.

Symbol: ΔV_T0(nc)

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal

Empirischer Parameter

Ein empirischer Parameter ist eine Konstante oder ein Wert, der in einem Modell, einer Gleichung oder einer Theorie verwendet wird und aus Experimenten und Beobachtungen abgeleitet und nicht theoretisch abgeleitet wird.

Symbol: k

Messung: NAEinheit: Unitless

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Empirischer Parameter

Vertikale Massenverarmung im Substrat

Vertikale Ausdehnung der Massenverarmung im Substrat bezieht sich auf die Tiefe des Verarmungsbereichs im Substrat (Masse) des MOSFET.

Symbol: x_dm

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Vertikale Massenverarmung im Substrat

Kanalbreite

Die Kanalbreite ist definiert als die physikalische Breite des Halbleiterkanals zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen innerhalb der Transistorstruktur.

Symbol: W_c

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Kanalbreite

Oxidkapazität pro Flächeneinheit

Die Oxidkapazität pro Flächeneinheit ist definiert als die Kapazität pro Flächeneinheit der isolierenden Oxidschicht, die das Metallgate vom Halbleitermaterial trennt.

Symbol: C_oxide

Messung: Oxidkapazität pro FlächeneinheitEinheit: μF/cm²

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Oxidkapazität pro Flächeneinheit

Akzeptorkonzentration

Unter Akzeptorkonzentration versteht man die Konzentration von Akzeptor-Dotierstoffatomen in einem Halbleitermaterial.

Symbol: N_A

Messung: TrägerkonzentrationEinheit: 1/cm³

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Akzeptorkonzentration

Oberflächenpotential

Das Oberflächenpotential ist ein Schlüsselparameter bei der Bewertung der Gleichstromeigenschaft von Dünnschichttransistoren.

Symbol: Φ_s

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Oberflächenpotential

Ladung eines Elektrons

Die Ladung eines Elektrons ist eine grundlegende physikalische Konstante, die die elektrische Ladung eines Elektrons darstellt, bei dem es sich um ein Elementarteilchen mit einer negativen elektrischen Ladung handelt.

Symbol: [Charge-e]

Wert: 1.60217662E-19 C

Permittivität des Vakuums

Die Permittivität des Vakuums ist eine grundlegende physikalische Konstante, die die Fähigkeit eines Vakuums beschreibt, die Übertragung elektrischer Feldlinien zu ermöglichen.

Symbol: [Permitivity-vacuum]

Wert: 8.85E-12 F/m

Permittivität von Silizium

Die Permittivität von Silizium misst seine Fähigkeit, elektrische Energie in einem elektrischen Feld zu speichern, was in der Halbleitertechnologie von entscheidender Bedeutung ist.

Symbol: [Permitivity-silicon]

Wert: 11.7

sqrt

Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt.

Syntax: sqrt(Number)

abs

Der Absolutwert einer Zahl ist ihr Abstand von Null auf der Zahlenlinie. Es handelt sich immer um einen positiven Wert, da er die Größe einer Zahl ohne Berücksichtigung ihrer Richtung darstellt.

Syntax: abs(Number)

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Wie wird Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSI ausgewertet?

Der Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSI-Evaluator verwendet Narrow Channel Additional Threshold Voltage = ((Empirischer Parameter*Vertikale Massenverarmung im Substrat)/(Kanalbreite*Oxidkapazität pro Flächeneinheit))*(sqrt(2*[Charge-e]*Akzeptorkonzentration*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Oberflächenpotential))), um Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal, Die VLSI-Formel für die zusätzliche Schwellenspannung für schmale Kanäle ist als zusätzlicher Beitrag zur Schwellenspannung aufgrund von Schmalkanaleffekten im MOSFET definiert auszuwerten. Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal wird durch das Symbol ΔV_T0(nc) gekennzeichnet.

Wie wird Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSI mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSI zu verwenden, geben Sie Empirischer Parameter (k), Vertikale Massenverarmung im Substrat (x_dm), Kanalbreite (W_c), Oxidkapazität pro Flächeneinheit (C_oxide), Akzeptorkonzentration (N_A) & Oberflächenpotential (Φ_s) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSI

Wie lautet die Formel zum Finden von Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSI?

Die Formel von Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSI wird als Narrow Channel Additional Threshold Voltage = ((Empirischer Parameter*Vertikale Massenverarmung im Substrat)/(Kanalbreite*Oxidkapazität pro Flächeneinheit))*(sqrt(2*[Charge-e]*Akzeptorkonzentration*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Oberflächenpotential))) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 2.382463 = ((1.57*1.25E-06)/(2.5E-06*0.000703))*(sqrt(2*[Charge-e]*1E+22*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*6.86))).

Wie berechnet man Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSI?

Mit Empirischer Parameter (k), Vertikale Massenverarmung im Substrat (x_dm), Kanalbreite (W_c), Oxidkapazität pro Flächeneinheit (C_oxide), Akzeptorkonzentration (N_A) & Oberflächenpotential (Φ_s) können wir Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSI mithilfe der Formel - Narrow Channel Additional Threshold Voltage = ((Empirischer Parameter*Vertikale Massenverarmung im Substrat)/(Kanalbreite*Oxidkapazität pro Flächeneinheit))*(sqrt(2*[Charge-e]*Akzeptorkonzentration*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Oberflächenpotential))) finden. Diese Formel verwendet auch die Funktion(en) Ladung eines Elektrons, Permittivität des Vakuums, Permittivität von Silizium Konstante(n) und , Quadratwurzelfunktion, Absolut.

Kann Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSI negativ sein?

NEIN, der in Elektrisches Potenzial gemessene Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSI kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSI verwendet?

Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSI wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Zusätzliche Schwellenspannung für schmalen Kanal VLSI gemessen werden kann.

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