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Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich Formel

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Der Pulldown-Strom im Sättigungsbereich ist der Strom durch den Widerstand, wenn ein Pulldown-Widerstand mit einem N-Kanal-MOSFET im Sättigungsmodus verwendet wird. Überprüfen Sie FAQs

I D(sat) = \sum (x, 0, n, (μ n \cdot \frac{C ox}{2}) \cdot (\frac{W}{L}) \cdot {(V GS - V T)}^{2})

I_D(sat) - Sättigungsbereich Pulldown-Strom?n - Anzahl paralleler Treibertransistoren?μ_n - Elektronenmobilität?C_ox - Oxidkapazität?W - Kanalbreite?L - Kanallänge?V_GS - Gate-Source-Spannung?V_T - Grenzspannung?

Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich aus:.

101550.1189 = \sum (x, 0, 11, (9.92 \cdot \frac{3.9}{2}) \cdot (\frac{2.678}{3.45}) \cdot {(29.65 - 5.91)}^{2})

101550.1189A = \sum (x, 0, 11, (9.92m²/V*s \cdot \frac{3.9F}{2}) \cdot (\frac{2.678m}{3.45m}) \cdot {(29.65V - 5.91V)}^{2})

101550.1189 = \sum (x, 0, 11, (9.92 \cdot \frac{3.9}{2}) \cdot (\frac{2.678}{3.45}) \cdot {(29.65 - 5.91)}^{2})

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

I D(sat) = \sum (x, 0, n, (μ n \cdot \frac{C ox}{2}) \cdot (\frac{W}{L}) \cdot {(V GS - V T)}^{2})

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

I D(sat) = \sum (x, 0, 11, (9.92m²/V*s \cdot \frac{3.9F}{2}) \cdot (\frac{2.678m}{3.45m}) \cdot {(29.65V - 5.91V)}^{2})

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

I D(sat) = \sum (x, 0, 11, (9.92 \cdot \frac{3.9}{2}) \cdot (\frac{2.678}{3.45}) \cdot {(29.65 - 5.91)}^{2})

Nächster Schritt Auswerten

∴

I D(sat) = 101550.118939559A

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

I D(sat) = 101550.1189A

Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich Formel Elemente

Variablen

Funktionen

Sättigungsbereich Pulldown-Strom

Der Pulldown-Strom im Sättigungsbereich ist der Strom durch den Widerstand, wenn ein Pulldown-Widerstand mit einem N-Kanal-MOSFET im Sättigungsmodus verwendet wird.

Symbol: I_D(sat)

Messung: Elektrischer StromEinheit: A

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Sättigungsbereich Pulldown-Strom

Anzahl paralleler Treibertransistoren

„Anzahl der parallelen Treibertransistoren“ bezieht sich auf die Anzahl der parallelen Treibertransistoren in der Schaltung.

Symbol: n

Messung: NAEinheit: Unitless

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Anzahl paralleler Treibertransistoren

Elektronenmobilität

Die Elektronenmobilität in MOSFET beschreibt, wie leicht sich Elektronen durch den Kanal bewegen können, was sich direkt auf den Stromfluss bei einer bestimmten Spannung auswirkt.

Symbol: μ_n

Messung: MobilitätEinheit: m²/V*s

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Elektronenmobilität

Oxidkapazität

Die Oxidkapazität bezeichnet die Kapazität, die mit der isolierenden Oxidschicht in einer Metall-Oxid-Halbleiterstruktur (MOS) wie beispielsweise in MOSFETs verbunden ist.

Symbol: C_ox

Messung: KapazitätEinheit: F

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Oxidkapazität

Kanalbreite

Die Kanalbreite stellt die Breite des leitenden Kanals innerhalb eines MOSFET dar und wirkt sich direkt auf die Strommenge aus, die er verarbeiten kann.

Symbol: W

Messung: LängeEinheit: m

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Kanalbreite

Kanallänge

Die Kanallänge in einem MOSFET ist der Abstand zwischen den Source- und Drain-Bereichen. Sie bestimmt, wie leicht der Strom fließt und wirkt sich auf die Transistorleistung aus.

Symbol: L

Messung: LängeEinheit: m

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Kanallänge

Gate-Source-Spannung

Die Gate-Source-Spannung ist die Spannung, die zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines MOSFET angelegt wird.

Symbol: V_GS

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Gate-Source-Spannung

Grenzspannung

Die Schwellenspannung ist die minimale Gate-Source-Spannung, die in einem MOSFET erforderlich ist, um ihn „einzuschalten“ und einen signifikanten Stromfluss zu ermöglichen.

Symbol: V_T

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Grenzspannung

sum

Die Summations- oder Sigma-Notation (∑) ist eine Methode, um eine lange Summe auf prägnante Weise aufzuschreiben.

Syntax: sum(i, from, to, expr)

Andere Formeln in der Kategorie MOS-Transistor

ge Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit

C jsw = C j0sw \cdot x j

ge Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

Mehr sehen OpenImg

Wie wird Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich ausgewertet?

Der Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich-Evaluator verwendet Saturation Region Pull Down Current = sum(x,0,Anzahl paralleler Treibertransistoren,(Elektronenmobilität*Oxidkapazität/2)*(Kanalbreite/Kanallänge)*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2), um Sättigungsbereich Pulldown-Strom, Die Formel für den Pulldown-Strom im Sättigungsbereich ist definiert als der Strom durch den Widerstand, wenn ein Pulldown-Widerstand mit einem N-Kanal-MOSFET im Sättigungsmodus verwendet wird auszuwerten. Sättigungsbereich Pulldown-Strom wird durch das Symbol I_D(sat) gekennzeichnet.

Wie wird Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich zu verwenden, geben Sie Anzahl paralleler Treibertransistoren (n), Elektronenmobilität (μ_n), Oxidkapazität (C_ox), Kanalbreite (W), Kanallänge (L), Gate-Source-Spannung (V_GS) & Grenzspannung (V_T) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich

Wie lautet die Formel zum Finden von Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich?

Die Formel von Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich wird als Saturation Region Pull Down Current = sum(x,0,Anzahl paralleler Treibertransistoren,(Elektronenmobilität*Oxidkapazität/2)*(Kanalbreite/Kanallänge)*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 101550.1 = sum(x,0,11,(9.92*3.9/2)*(2.678/3.45)*(29.65-5.91)^2).

Wie berechnet man Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich?

Mit Anzahl paralleler Treibertransistoren (n), Elektronenmobilität (μ_n), Oxidkapazität (C_ox), Kanalbreite (W), Kanallänge (L), Gate-Source-Spannung (V_GS) & Grenzspannung (V_T) können wir Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich mithilfe der Formel - Saturation Region Pull Down Current = sum(x,0,Anzahl paralleler Treibertransistoren,(Elektronenmobilität*Oxidkapazität/2)*(Kanalbreite/Kanallänge)*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)^2) finden. Diese Formel verwendet auch Summennotation (Summe) Funktion(en).

Kann Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich negativ sein?

Ja, der in Elektrischer Strom gemessene Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich verwendet?

Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich wird normalerweise mit Ampere[A] für Elektrischer Strom gemessen. Milliampere[A], Mikroampere[A], Centiampere[A] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Ziehen Sie den Strom in den Sättigungsbereich gemessen werden kann.

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