Pulldown-Strom im linearen Bereich
Der Pulldown-Strom im linearen Bereich ist der Strom durch den Widerstand, wenn ein Pulldown-Widerstand mit einem N-Kanal-MOSFET im linearen Modus verwendet wird.
Symbol: ID(linear)
Messung: Elektrischer StromEinheit: A
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Anzahl paralleler Treibertransistoren
„Anzahl der parallelen Treibertransistoren“ bezieht sich auf die Anzahl der parallelen Treibertransistoren in der Schaltung.
Symbol: n
Messung: NAEinheit: Unitless
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Elektronenmobilität
Die Elektronenmobilität in MOSFET beschreibt, wie leicht sich Elektronen durch den Kanal bewegen können, was sich direkt auf den Stromfluss bei einer bestimmten Spannung auswirkt.
Symbol: μn
Messung: MobilitätEinheit: m²/V*s
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Oxidkapazität
Die Oxidkapazität bezeichnet die Kapazität, die mit der isolierenden Oxidschicht in einer Metall-Oxid-Halbleiterstruktur (MOS) wie beispielsweise in MOSFETs verbunden ist.
Symbol: Cox
Messung: KapazitätEinheit: F
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Kanalbreite
Die Kanalbreite stellt die Breite des leitenden Kanals innerhalb eines MOSFET dar und wirkt sich direkt auf die Strommenge aus, die er verarbeiten kann.
Symbol: W
Messung: LängeEinheit: m
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Kanallänge
Die Kanallänge in einem MOSFET ist der Abstand zwischen den Source- und Drain-Bereichen. Sie bestimmt, wie leicht der Strom fließt und wirkt sich auf die Transistorleistung aus.
Symbol: L
Messung: LängeEinheit: m
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Gate-Source-Spannung
Die Gate-Source-Spannung ist die Spannung, die zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines MOSFET angelegt wird.
Symbol: VGS
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Grenzspannung
Die Schwellenspannung ist die minimale Gate-Source-Spannung, die in einem MOSFET erforderlich ist, um ihn „einzuschalten“ und einen signifikanten Stromfluss zu ermöglichen.
Symbol: VT
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Ausgangsspannung
Ausgangsspannung in einer n-Kanal-MOSFET-Schaltung mit einem Pulldown-Widerstand, V
Symbol: Vout
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.