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Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet Formel

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Der lineare Bereich der Zeitverzögerung ist definiert als die Verzögerung, die durch das Laden und Entladen von an den NMOS angeschlossenen Kondensatoren während Schaltereignissen entsteht. Überprüfen Sie FAQs

t delay = - 2 \cdot C j \cdot \int (\frac{1}{k n \cdot (2 \cdot (V i - V T) \cdot x - x^{2})}, x, V 1, V 2)

t_delay - Linearer Bereich in der Zeitverzögerung?C_j - Sperrschichtkapazität?k_n - Transkonduktanz-Prozessparameter?V_i - Eingangsspannung?V_T - Grenzspannung?V₁ - Anfangsspannung?V₂ - Endspannung?

Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet aus:.

706.5205 = - 2 \cdot 95009 \cdot \int (\frac{1}{4.553 \cdot (2 \cdot (2.25 - 5.91) \cdot x - x^{2})}, x, 5.42, 6.135)

706.5205s = - 2 \cdot 95009F \cdot \int (\frac{1}{4.553A/V² \cdot (2 \cdot (2.25V - 5.91V) \cdot x - x^{2})}, x, 5.42nV, 6.135nV)

706.5205 = - 2 \cdot 95009 \cdot \int (\frac{1}{4.553 \cdot (2 \cdot (2.25 - 5.91) \cdot x - x^{2})}, x, 5.42, 6.135)

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

t delay = - 2 \cdot C j \cdot \int (\frac{1}{k n \cdot (2 \cdot (V i - V T) \cdot x - x^{2})}, x, V 1, V 2)

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

t delay = - 2 \cdot 95009F \cdot \int (\frac{1}{4.553A/V² \cdot (2 \cdot (2.25V - 5.91V) \cdot x - x^{2})}, x, 5.42nV, 6.135nV)

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

t delay = - 2 \cdot 95009F \cdot \int (\frac{1}{4.553A/V² \cdot (2 \cdot (2.25V - 5.91V) \cdot x - x^{2})}, x, 5.4E-9V, 6.1E-9V)

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

t delay = - 2 \cdot 95009 \cdot \int (\frac{1}{4.553 \cdot (2 \cdot (2.25 - 5.91) \cdot x - x^{2})}, x, 5.4E-9, 6.1E-9)

Nächster Schritt Auswerten

∴

t delay = 706.520454377221s

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

t delay = 706.5205s

Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet Formel Elemente

Variablen

Funktionen

Linearer Bereich in der Zeitverzögerung

Der lineare Bereich der Zeitverzögerung ist definiert als die Verzögerung, die durch das Laden und Entladen von an den NMOS angeschlossenen Kondensatoren während Schaltereignissen entsteht.

Symbol: t_delay

Messung: ZeitEinheit: s

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Linearer Bereich in der Zeitverzögerung

Sperrschichtkapazität

Unter Übergangskapazität versteht man die Kapazität, die aus dem Verarmungsbereich zwischen den Source/Drain-Anschlüssen und dem Substrat entsteht.

Symbol: C_j

Messung: KapazitätEinheit: F

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Sperrschichtkapazität

Transkonduktanz-Prozessparameter

Der Transkonduktanz-Prozessparameter ist eine gerätespezifische Konstante, die die Fähigkeit des Transistors charakterisiert, eine Änderung der Gate-Spannung in eine Änderung des Ausgangsstroms umzuwandeln.

Symbol: k_n

Messung: SteilheitsparameterEinheit: A/V²

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Transkonduktanz-Prozessparameter

Eingangsspannung

Die Eingangsspannung ist die elektrische Potenzialdifferenz, die an den Eingangsanschlüssen einer Komponente oder eines Systems anliegt.

Symbol: V_i

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Eingangsspannung

Grenzspannung

Die Schwellenspannung ist die minimale Gate-Source-Spannung, die in einem MOSFET erforderlich ist, um ihn „einzuschalten“ und einen signifikanten Stromfluss zu ermöglichen.

Symbol: V_T

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Grenzspannung

Anfangsspannung

Unter Anfangsspannung versteht man die Spannung, die an einem bestimmten Punkt in einem Stromkreis zu Beginn eines bestimmten Vorgangs oder unter bestimmten Bedingungen anliegt.

Symbol: V₁

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: nV

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Anfangsspannung

Endspannung

Unter Endspannung versteht man den Spannungspegel, der am Ende eines bestimmten Prozesses oder Ereignisses erreicht oder gemessen wird.

Symbol: V₂

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: nV

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Endspannung

int

Mit dem bestimmten Integral kann die Nettofläche mit Vorzeichen berechnet werden. Dabei handelt es sich um die Fläche oberhalb der x-Achse abzüglich der Fläche unterhalb der x-Achse.

Syntax: int(expr, arg, from, to)

Andere Formeln in der Kategorie MOS-Transistor

ge Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung pro Längeneinheit

C jsw = C j0sw \cdot x j

ge Äquivalente Großsignal-Verbindungskapazität

C eq(sw) = P \cdot C jsw \cdot K eq(sw)

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Wie wird Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet ausgewertet?

Der Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet-Evaluator verwendet Linear Region in Time Delay = -2*Sperrschichtkapazität*int(1/(Transkonduktanz-Prozessparameter*(2*(Eingangsspannung-Grenzspannung)*x-x^2)),x,Anfangsspannung,Endspannung), um Linearer Bereich in der Zeitverzögerung, Die Formel für die Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet, ist definiert als die Verzögerung, die durch das Laden und Entladen von an den NMOS angeschlossenen Kondensatoren während Schaltereignissen entsteht auszuwerten. Linearer Bereich in der Zeitverzögerung wird durch das Symbol t_delay gekennzeichnet.

Wie wird Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet zu verwenden, geben Sie Sperrschichtkapazität (C_j), Transkonduktanz-Prozessparameter (k_n), Eingangsspannung (V_i), Grenzspannung (V_T), Anfangsspannung (V₁) & Endspannung (V₂) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet

Wie lautet die Formel zum Finden von Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet?

Die Formel von Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet wird als Linear Region in Time Delay = -2*Sperrschichtkapazität*int(1/(Transkonduktanz-Prozessparameter*(2*(Eingangsspannung-Grenzspannung)*x-x^2)),x,Anfangsspannung,Endspannung) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 706.5205 = -2*95009*int(1/(4.553*(2*(2.25-5.91)*x-x^2)),x,5.42E-09,6.135E-09).

Wie berechnet man Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet?

Mit Sperrschichtkapazität (C_j), Transkonduktanz-Prozessparameter (k_n), Eingangsspannung (V_i), Grenzspannung (V_T), Anfangsspannung (V₁) & Endspannung (V₂) können wir Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet mithilfe der Formel - Linear Region in Time Delay = -2*Sperrschichtkapazität*int(1/(Transkonduktanz-Prozessparameter*(2*(Eingangsspannung-Grenzspannung)*x-x^2)),x,Anfangsspannung,Endspannung) finden. Diese Formel verwendet auch Bestimmtes Integral (int) Funktion(en).

Kann Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet negativ sein?

NEIN, der in Zeit gemessene Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet verwendet?

Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet wird normalerweise mit Zweite[s] für Zeit gemessen. Millisekunde[s], Mikrosekunde[s], Nanosekunde[s] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Zeitverzögerung, wenn NMOS im linearen Bereich arbeitet gemessen werden kann.

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