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Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit Formel

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Die Gesamtverunreinigung definiert die Verunreinigungen, die in Atomen pro Flächeneinheit in einer Basis gemischt sind, oder die Menge der zu einem intrinsischen Halbleiter hinzugefügten Verunreinigung variiert dessen Leitfähigkeitsniveau. Überprüfen Sie FAQs

Q b = D n \cdot (A \cdot (\frac{q \cdot {n i}^{2}}{I c}) \cdot \exp (\frac{V be}{V t}))

Q_b - Totale Unreinheit?D_n - Effektive Verbreitung?A - Emitterbasis-Verbindungsbereich?q - Aufladung?n_i - Intrinsische Konzentration?I_c - Kollektorstrom?V_be - Spannungsbasisemitter?V_t - Thermische Spannung?

Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit aus:.

3.6E+9 = 0.5 \cdot (1.75 \cdot (\frac{5 \cdot {1.32}^{2}}{4.92}) \cdot \exp (\frac{3.5}{4.1}))

3.6E+9cm² = 0.5 \cdot (1.75cm² \cdot (\frac{5mC \cdot {1.321/cm³}^{2}}{4.92A}) \cdot \exp (\frac{3.5V}{4.1V}))

3.6E+9 = 0.5 \cdot (1.75 \cdot (\frac{5 \cdot {1.32}^{2}}{4.92}) \cdot \exp (\frac{3.5}{4.1}))

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

Q b = D n \cdot (A \cdot (\frac{q \cdot {n i}^{2}}{I c}) \cdot \exp (\frac{V be}{V t}))

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

Q b = 0.5 \cdot (1.75cm² \cdot (\frac{5mC \cdot {1.321/cm³}^{2}}{4.92A}) \cdot \exp (\frac{3.5V}{4.1V}))

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

Q b = 0.5 \cdot (0.0002m² \cdot (\frac{0.005C \cdot {1.3E+61/m³}^{2}}{4.92A}) \cdot \exp (\frac{3.5V}{4.1V}))

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

Q b = 0.5 \cdot (0.0002 \cdot (\frac{0.005 \cdot {1.3E+6}^{2}}{4.92}) \cdot \exp (\frac{3.5}{4.1}))

Nächster Schritt Auswerten

∴

Q b = 363831.258671893m²

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

Q b = 3638312586.71893cm²

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

Q b = 3.6E+9cm²

Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit Formel Elemente

Variablen

Funktionen

Totale Unreinheit

Symbol: Q_b

Messung: BereichEinheit: cm²

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Totale Unreinheit

Effektive Verbreitung

Die effektive Diffusion ist ein Parameter im Zusammenhang mit dem Diffusionsprozess von Ladungsträgern und wird von den Materialeigenschaften und der Geometrie des Halbleiterübergangs beeinflusst.

Symbol: D_n

Messung: NAEinheit: Unitless

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Effektive Verbreitung

Emitterbasis-Verbindungsbereich

Der Emitter-Basis-Übergangsbereich ist ein PN-Übergang, der zwischen dem stark dotierten P-Typ-Material (Emitter) und dem schwach dotierten N-Typ-Material (Basis) des Transistors gebildet wird.

Symbol: A

Messung: BereichEinheit: cm²

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Emitterbasis-Verbindungsbereich

Aufladung

Ladung ist eine Eigenschaft einer Materieeinheit, die ausdrückt, inwieweit sie mehr oder weniger Elektronen als Protonen aufweist.

Symbol: q

Messung: Elektrische LadungEinheit: mC

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Aufladung

Intrinsische Konzentration

Die intrinsische Konzentration ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband im intrinsischen Material.

Symbol: n_i

Messung: TrägerkonzentrationEinheit: 1/cm³

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Intrinsische Konzentration

Kollektorstrom

Der Kollektorstrom ist der Strom, der durch den Kollektoranschluss des Transistors fließt und der vom Transistor verstärkt wird.

Symbol: I_c

Messung: Elektrischer StromEinheit: A

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Kollektorstrom

Spannungsbasisemitter

Spannung Basis Emitter ist die Spannung zwischen Basis und Emitter bei Vorspannung in Durchlassrichtung und getrenntem Kollektor.

Symbol: V_be

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Spannungsbasisemitter

Thermische Spannung

Unter Thermospannung versteht man die Spannungen, die durch die Verbindung unterschiedlicher Metalle entstehen, wenn zwischen diesen Verbindungen ein Temperaturunterschied besteht.

Symbol: V_t

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Thermische Spannung

exp

Bei einer Exponentialfunktion ändert sich der Funktionswert bei jeder Einheitsänderung der unabhängigen Variablen um einen konstanten Faktor.

Syntax: exp(Number)

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ge Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration

n i = \sqrt{\frac{n e \cdot p}{t o}}

ge Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

Mehr sehen OpenImg

Wie wird Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit ausgewertet?

Der Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit-Evaluator verwendet Total Impurity = Effektive Verbreitung*(Emitterbasis-Verbindungsbereich*((Aufladung*Intrinsische Konzentration^2)/Kollektorstrom)*exp(Spannungsbasisemitter/Thermische Spannung)), um Totale Unreinheit, Die Formel „Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit“ ist definiert als die Menge an Verunreinigung oder Dotierstoff, die einem intrinsischen (reinen) Halbleiter zugesetzt wird, und dessen Leitfähigkeit variiert auszuwerten. Totale Unreinheit wird durch das Symbol Q_b gekennzeichnet.

Wie wird Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit zu verwenden, geben Sie Effektive Verbreitung (D_n), Emitterbasis-Verbindungsbereich (A), Aufladung (q), Intrinsische Konzentration (n_i), Kollektorstrom (I_c), Spannungsbasisemitter (V_be) & Thermische Spannung (V_t) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit

Wie lautet die Formel zum Finden von Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit?

Die Formel von Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit wird als Total Impurity = Effektive Verbreitung*(Emitterbasis-Verbindungsbereich*((Aufladung*Intrinsische Konzentration^2)/Kollektorstrom)*exp(Spannungsbasisemitter/Thermische Spannung)) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 3.6E+13 = 0.5*(0.000175*((0.005*1320000^2)/4.92)*exp(3.5/4.1)).

Wie berechnet man Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit?

Mit Effektive Verbreitung (D_n), Emitterbasis-Verbindungsbereich (A), Aufladung (q), Intrinsische Konzentration (n_i), Kollektorstrom (I_c), Spannungsbasisemitter (V_be) & Thermische Spannung (V_t) können wir Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit mithilfe der Formel - Total Impurity = Effektive Verbreitung*(Emitterbasis-Verbindungsbereich*((Aufladung*Intrinsische Konzentration^2)/Kollektorstrom)*exp(Spannungsbasisemitter/Thermische Spannung)) finden. Diese Formel verwendet auch Exponentielles Wachstum (exp) Funktion(en).

Kann Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit negativ sein?

NEIN, der in Bereich gemessene Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit verwendet?

Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit wird normalerweise mit Quadratischer Zentimeter[cm²] für Bereich gemessen. Quadratmeter[cm²], Quadratkilometer[cm²], Quadratmillimeter[cm²] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Verunreinigungsatome pro Flächeneinheit gemessen werden kann.

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