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Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert Formel

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Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung. Überprüfen Sie FAQs

g m = \frac{I t}{V cin - (2 \cdot I t \cdot R out)}

g_m - Steilheit?I_t - Gesamtstrom?V_cin - Gleichtakt-Eingangssignal?R_out - Ausgangswiderstand?

Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert aus:.

0.5 = \frac{7.7}{84.7 - (2 \cdot 7.7 \cdot 4.5)}

0.5mS = \frac{7.7mA}{84.7V - (2 \cdot 7.7mA \cdot 4.5kΩ)}

0.5 = \frac{7.7}{84.7 - (2 \cdot 7.7 \cdot 4.5)}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

g m = \frac{I t}{V cin - (2 \cdot I t \cdot R out)}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

g m = \frac{7.7mA}{84.7V - (2 \cdot 7.7mA \cdot 4.5kΩ)}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

g m = \frac{0.0077A}{84.7V - (2 \cdot 0.0077A \cdot 4500Ω)}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

g m = \frac{0.0077}{84.7 - (2 \cdot 0.0077 \cdot 4500)}

Nächster Schritt Auswerten

∴

g m = 0.0005S

Letzter Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

g m = 0.5mS

Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert Formel Elemente

Variablen

Steilheit

Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.

Symbol: g_m

Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: mS

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Steilheit

Gesamtstrom

Als Gesamtstrom bezeichnet man in der Elektrotechnik und Physik die Summe aller elektrischen Ströme, die durch einen bestimmten Punkt in einem Stromkreis oder Leiter fließen.

Symbol: I_t

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Gesamtstrom

Gleichtakt-Eingangssignal

Ein Gleichtakt-Eingangssignal ist eine Art elektrisches Signal, das an beiden Eingangsanschlüssen eines Differenzverstärkers gleichermaßen auftritt.

Symbol: V_cin

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Gleichtakt-Eingangssignal

Ausgangswiderstand

Der Ausgangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand einer elektronischen Schaltung gegenüber dem Stromfluss, wenn eine Last an ihren Ausgang angeschlossen ist.

Symbol: R_out

Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: kΩ

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Ausgangswiderstand

Andere Formeln in der Kategorie Stromspannung

ge Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET

v o1 = - (R out \cdot I t)

ge Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET

v o2 = - (R out \cdot I t)

ge Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET bei Gleichtaktsignal

v o1 = - R out \cdot \frac{g m \cdot V cin}{1 + (2 \cdot g m \cdot R out)}

ge Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET bei Gleichtaktsignal

v o2 = - (\frac{R out}{(\frac{1}{g m}) + 2 \cdot R out}) \cdot V cin

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Wie wird Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert ausgewertet?

Der Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert-Evaluator verwendet Transconductance = Gesamtstrom/(Gleichtakt-Eingangssignal-(2*Gesamtstrom*Ausgangswiderstand)), um Steilheit, Die Übersteuerungsspannung, wenn der MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert, ist der Überschuss der Oxidspannung über die Schwellenspannung und ist die Größe, die die Ladung im Kanal bestimmt auszuwerten. Steilheit wird durch das Symbol g_m gekennzeichnet.

Wie wird Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert zu verwenden, geben Sie Gesamtstrom (I_t), Gleichtakt-Eingangssignal (V_cin) & Ausgangswiderstand (R_out) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert

Wie lautet die Formel zum Finden von Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert?

Die Formel von Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert wird als Transconductance = Gesamtstrom/(Gleichtakt-Eingangssignal-(2*Gesamtstrom*Ausgangswiderstand)) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 500 = 0.0077/(84.7-(2*0.0077*4500)).

Wie berechnet man Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert?

Mit Gesamtstrom (I_t), Gleichtakt-Eingangssignal (V_cin) & Ausgangswiderstand (R_out) können wir Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert mithilfe der Formel - Transconductance = Gesamtstrom/(Gleichtakt-Eingangssignal-(2*Gesamtstrom*Ausgangswiderstand)) finden.

Kann Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert negativ sein?

Ja, der in Elektrische Leitfähigkeit gemessene Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert verwendet?

Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert wird normalerweise mit Millisiemens[mS] für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Übersteuerungsspannung, wenn MOSFET als Verstärker mit Lastwiderstand fungiert gemessen werden kann.

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