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Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors Formel

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Der Transkonduktanzparameter ist das Produkt des Prozesstranskonduktanzparameters und des Transistor-Seitenverhältnisses (W/L). Überprüfen Sie FAQs

K n = \frac{i d}{(V ox - V t) \cdot V gs}

K_n - Transkonduktanzparameter?i_d - Stromverbrauch?V_ox - Spannung über Oxid?V_t - Grenzspannung?V_gs - Spannung zwischen Gate und Source?

Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors aus:.

2.9518 = \frac{17.5}{(3.775 - 2) \cdot 3.34}

2.9518mA/V² = \frac{17.5mA}{(3.775V - 2V) \cdot 3.34V}

2.9518 = \frac{17.5}{(3.775 - 2) \cdot 3.34}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

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Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

K n = \frac{i d}{(V ox - V t) \cdot V gs}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

K n = \frac{17.5mA}{(3.775V - 2V) \cdot 3.34V}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

K n = \frac{0.0175A}{(3.775V - 2V) \cdot 3.34V}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

K n = \frac{0.0175}{(3.775 - 2) \cdot 3.34}

Nächster Schritt Auswerten

∴

K n = 0.00295184279328667A/V²

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

K n = 2.95184279328667mA/V²

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

K n = 2.9518mA/V²

Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors Formel Elemente

Variablen

Transkonduktanzparameter

Der Transkonduktanzparameter ist das Produkt des Prozesstranskonduktanzparameters und des Transistor-Seitenverhältnisses (W/L).

Symbol: K_n

Messung: SteilheitsparameterEinheit: mA/V²

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Transkonduktanzparameter

Stromverbrauch

Der Drain-Strom unterhalb der Schwellenspannung wird als Strom unterhalb der Schwelle definiert und variiert exponentiell mit der Gate-Source-Spannung.

Symbol: i_d

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Stromverbrauch

Spannung über Oxid

Die Spannung am Oxid ist auf die Ladung an der Oxid-Halbleiter-Grenzfläche zurückzuführen und der dritte Term ist auf die Ladungsdichte im Oxid zurückzuführen.

Symbol: V_ox

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Spannung über Oxid

Grenzspannung

Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.

Symbol: V_t

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Grenzspannung

Spannung zwischen Gate und Source

Die Spannung zwischen Gate und Source ist die Spannung, die am Gate-Source-Anschluss des Transistors abfällt.

Symbol: V_gs

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Spannung zwischen Gate und Source

Andere Formeln in der Kategorie Eigenschaften des Transistorverstärkers

ge Gesamte momentane Drain-Spannung

V d = V fc - R d \cdot i d

ge Strom, der durch den induzierten Kanal im Transistor bei gegebener Oxidspannung fließt

i o = (μ e \cdot C ox \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot (V ox - V t)) \cdot V ds

ge Stromeintritt in den Drain-Anschluss des MOSFET bei Sättigung

i ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot (\frac{W c}{L}) \cdot {(V ov)}^{2}

ge Eingangsspannung im Transistor

V fc = R d \cdot i d - V d

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Wie wird Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors ausgewertet?

Der Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors-Evaluator verwendet Transconductance Parameter = Stromverbrauch/((Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source), um Transkonduktanzparameter, Der Transkonduktanzparameter eines MOS-Transistors ist ein Maß für die Fähigkeit des Transistors, den Stromfluss als Reaktion auf eine an seine Gate- und Source-Anschlüsse angelegte Spannung zu steuern auszuwerten. Transkonduktanzparameter wird durch das Symbol K_n gekennzeichnet.

Wie wird Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors zu verwenden, geben Sie Stromverbrauch (i_d), Spannung über Oxid (V_ox), Grenzspannung (V_t) & Spannung zwischen Gate und Source (V_gs) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors

Wie lautet die Formel zum Finden von Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors?

Die Formel von Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors wird als Transconductance Parameter = Stromverbrauch/((Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 2951.843 = 0.0175/((3.775-2)*3.34).

Wie berechnet man Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors?

Mit Stromverbrauch (i_d), Spannung über Oxid (V_ox), Grenzspannung (V_t) & Spannung zwischen Gate und Source (V_gs) können wir Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors mithilfe der Formel - Transconductance Parameter = Stromverbrauch/((Spannung über Oxid-Grenzspannung)*Spannung zwischen Gate und Source) finden.

Kann Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors negativ sein?

NEIN, der in Steilheitsparameter gemessene Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors verwendet?

Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors wird normalerweise mit Milliampere pro Quadratvolt[mA/V²] für Steilheitsparameter gemessen. Ampere pro Quadratvolt[mA/V²], Mikroampere pro Quadratvolt[mA/V²] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Transkonduktanzparameter des MOS-Transistors gemessen werden kann.

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