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Transkonduktanz von FET Formel

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Der Begriff „Vorwärts-Transkonduktanz-FET“ bezieht sich auf die Änderung des Ausgangsstroms infolge einer Änderung der Eingangsspannung und gibt die Verstärkungsfähigkeit des Geräts an. Überprüfen Sie FAQs

G m(fet) = \frac{2 \cdot I dss(fet)}{V off(fet)} \cdot (1 - \frac{V ds(fet)}{V off(fet)})

G_m(fet) - Vorwärts-Transkonduktanz-FET?I_dss(fet) - Null-Vorspannungs-Drainstrom?V_off(fet) - Pinch-OFF-Spannung?V_ds(fet) - Drain-Source-Spannung FET?

Transkonduktanz von FET Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Transkonduktanz von FET aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Transkonduktanz von FET aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Transkonduktanz von FET aus:.

0.0201 = \frac{2 \cdot 0.69}{63.56} \cdot (1 - \frac{4.8}{63.56})

0.0201mS = \frac{2 \cdot 0.69mA}{63.56V} \cdot (1 - \frac{4.8V}{63.56V})

0.0201 = \frac{2 \cdot 0.69}{63.56} \cdot (1 - \frac{4.8}{63.56})

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Transkonduktanz von FET Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Transkonduktanz von FET?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

G m(fet) = \frac{2 \cdot I dss(fet)}{V off(fet)} \cdot (1 - \frac{V ds(fet)}{V off(fet)})

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

G m(fet) = \frac{2 \cdot 0.69mA}{63.56V} \cdot (1 - \frac{4.8V}{63.56V})

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

G m(fet) = \frac{2 \cdot 0.0007A}{63.56V} \cdot (1 - \frac{4.8V}{63.56V})

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

G m(fet) = \frac{2 \cdot 0.0007}{63.56} \cdot (1 - \frac{4.8}{63.56})

Nächster Schritt Auswerten

∴

G m(fet) = 2.00721131473024E-05S

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

G m(fet) = 0.0200721131473024mS

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

G m(fet) = 0.0201mS

Transkonduktanz von FET Formel Elemente

Variablen

Vorwärts-Transkonduktanz-FET

Der Begriff „Vorwärts-Transkonduktanz-FET“ bezieht sich auf die Änderung des Ausgangsstroms infolge einer Änderung der Eingangsspannung und gibt die Verstärkungsfähigkeit des Geräts an.

Symbol: G_m(fet)

Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: mS

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Vorwärts-Transkonduktanz-FET

Null-Vorspannungs-Drainstrom

Der Zero-Bias-Drain-Strom in einem FET ist der Drain-Strom, der fließt, wenn die Gate-Spannung gleich Null ist.

Symbol: I_dss(fet)

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Null-Vorspannungs-Drainstrom

Pinch-OFF-Spannung

Die Pinch-OFF-Spannung ist die Spannung, bei der der Kanal eines Feldeffekttransistors (FET) so eng wird, dass er sich effektiv schließt und jeden weiteren Stromfluss verhindert.

Symbol: V_off(fet)

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Pinch-OFF-Spannung

Drain-Source-Spannung FET

Die Drain-Source-Spannung des FET ist die Spannung zwischen dem Drain- und dem Source-Anschluss eines FET.

Symbol: V_ds(fet)

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Drain-Source-Spannung FET

Andere Formeln in der Kategorie FET

ge Abschnürspannung des FET

V off(fet) = V ds-off(fet) - V ds(fet)

ge Drainstrom des FET

I d(fet) = I dss(fet) \cdot {(1 - \frac{V ds(fet)}{V cut-off(fet)})}^{2}

ge Drain-Source-Spannung des FET

V ds(fet) = V dd(fet) - I d(fet) \cdot (R d(fet) + R s(fet))

ge Spannungsverstärkung des FET

A v(fet) = - G m(fet) \cdot R d(fet)

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Wie wird Transkonduktanz von FET ausgewertet?

Der Transkonduktanz von FET-Evaluator verwendet Forward Transconductance FET = (2*Null-Vorspannungs-Drainstrom)/Pinch-OFF-Spannung*(1-Drain-Source-Spannung FET/Pinch-OFF-Spannung), um Vorwärts-Transkonduktanz-FET, Die Transkonduktanz eines FET ist ein Maß dafür, wie stark sich sein Drain-Strom als Reaktion auf eine Änderung seiner Gate-Spannung ändert. Die Transkonduktanz eines FET ist nicht konstant, sondern variiert je nach Arbeitspunkt des FET. Der Arbeitspunkt wird durch die Gate-Spannung und den Drain-Strom bestimmt. Die Transkonduktanz ist in der Mitte des Betriebsbereichs am höchsten und nimmt zu den Rändern hin ab auszuwerten. Vorwärts-Transkonduktanz-FET wird durch das Symbol G_m(fet) gekennzeichnet.

Wie wird Transkonduktanz von FET mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Transkonduktanz von FET zu verwenden, geben Sie Null-Vorspannungs-Drainstrom (I_dss(fet)), Pinch-OFF-Spannung (V_off(fet)) & Drain-Source-Spannung FET (V_ds(fet)) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Transkonduktanz von FET

Wie lautet die Formel zum Finden von Transkonduktanz von FET?

Die Formel von Transkonduktanz von FET wird als Forward Transconductance FET = (2*Null-Vorspannungs-Drainstrom)/Pinch-OFF-Spannung*(1-Drain-Source-Spannung FET/Pinch-OFF-Spannung) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 21.70678 = (2*0.00069)/63.56*(1-4.8/63.56).

Wie berechnet man Transkonduktanz von FET?

Mit Null-Vorspannungs-Drainstrom (I_dss(fet)), Pinch-OFF-Spannung (V_off(fet)) & Drain-Source-Spannung FET (V_ds(fet)) können wir Transkonduktanz von FET mithilfe der Formel - Forward Transconductance FET = (2*Null-Vorspannungs-Drainstrom)/Pinch-OFF-Spannung*(1-Drain-Source-Spannung FET/Pinch-OFF-Spannung) finden.

Kann Transkonduktanz von FET negativ sein?

NEIN, der in Elektrische Leitfähigkeit gemessene Transkonduktanz von FET kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Transkonduktanz von FET verwendet?

Transkonduktanz von FET wird normalerweise mit Millisiemens[mS] für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Transkonduktanz von FET gemessen werden kann.

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