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Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET Formel

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Die Transkonduktanz des MESFET ist ein Schlüsselparameter in MESFETs und stellt die Änderung des Drain-Stroms in Bezug auf die Änderung der Gate-Source-Spannung dar. Überprüfen Sie FAQs

G m = g 0 \cdot (1 - \sqrt{\frac{V i - V G}{V p}})

G_m - Transkonduktanz des MESFET?g₀ - Ausgangsleitfähigkeit?V_i - Eingangsspannung?V_G - Grenzspannung?V_p - Abschnürspannung?

Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET aus:.

0.0631 = 0.152 \cdot (1 - \sqrt{\frac{2.25 - 1.562}{2.01}})

0.0631S = 0.152S \cdot (1 - \sqrt{\frac{2.25V - 1.562V}{2.01V}})

0.0631 = 0.152 \cdot (1 - \sqrt{\frac{2.25 - 1.562}{2.01}})

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

G m = g 0 \cdot (1 - \sqrt{\frac{V i - V G}{V p}})

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

G m = 0.152S \cdot (1 - \sqrt{\frac{2.25V - 1.562V}{2.01V}})

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

G m = 0.152 \cdot (1 - \sqrt{\frac{2.25 - 1.562}{2.01}})

Nächster Schritt Auswerten

∴

G m = 0.0630717433777618S

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

G m = 0.0631S

Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET Formel Elemente

Variablen

Funktionen

Transkonduktanz des MESFET

Die Transkonduktanz des MESFET ist ein Schlüsselparameter in MESFETs und stellt die Änderung des Drain-Stroms in Bezug auf die Änderung der Gate-Source-Spannung dar.

Symbol: G_m

Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: S

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Transkonduktanz des MESFET

Ausgangsleitfähigkeit

Die Ausgangsleitfähigkeit ist ein Parameter, der das Verhalten eines Feldeffekttransistors (FET) in seinem Sättigungsbereich charakterisiert.

Symbol: g₀

Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: S

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Ausgangsleitfähigkeit

Eingangsspannung

Die Eingangsspannung ist die elektrische Potenzialdifferenz, die an den Eingangsanschlüssen einer Komponente oder eines Systems anliegt.

Symbol: V_i

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Eingangsspannung

Grenzspannung

Als Schwellenspannung wird die Spannung bezeichnet, bei der der Transistor zu leiten beginnt.

Symbol: V_G

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Grenzspannung

Abschnürspannung

Die Abschnürspannung stellt die Gate-Source-Spannung dar, bei der der Kanal des MESFET schließt oder „abschnürt“.

Symbol: V_p

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Abschnürspannung

sqrt

Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt.

Syntax: sqrt(Number)

Andere Formeln in der Kategorie Transistorverstärker

ge MESFET-Grenzfrequenz

f co = \frac{G m}{2 \cdot π \cdot C gs}

ge Maximale Betriebsfrequenz

f max = \frac{f co}{2} \cdot \sqrt{\frac{R d}{R s + R i + R g}}

ge Maximale Schwingungsfrequenz

f max o = \frac{v s}{2 \cdot π \cdot L c}

ge Rauschfaktor GaAs MESFET

NF = 1 + 2 \cdot ω \cdot \frac{C gs}{G m} \cdot \sqrt{\frac{R s - R gate}{R i}}

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Wie wird Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET ausgewertet?

Der Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET-Evaluator verwendet Transconductance of the MESFET = Ausgangsleitfähigkeit*(1-sqrt((Eingangsspannung-Grenzspannung)/Abschnürspannung)), um Transkonduktanz des MESFET, Die Transkonduktanz im Sättigungsbereich in der MESFET-Formel ist definiert als Maß für die Empfindlichkeit des Drain-Stroms (Id) gegenüber Änderungen der Gate-Source-Spannung (Vgs), wenn der Transistor in seinem linearen oder Kleinsignalbereich arbeitet auszuwerten. Transkonduktanz des MESFET wird durch das Symbol G_m gekennzeichnet.

Wie wird Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET zu verwenden, geben Sie Ausgangsleitfähigkeit (g₀), Eingangsspannung (V_i), Grenzspannung (V_G) & Abschnürspannung (V_p) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET

Wie lautet die Formel zum Finden von Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET?

Die Formel von Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET wird als Transconductance of the MESFET = Ausgangsleitfähigkeit*(1-sqrt((Eingangsspannung-Grenzspannung)/Abschnürspannung)) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 0.063072 = 0.152*(1-sqrt((2.25-1.562)/2.01)).

Wie berechnet man Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET?

Mit Ausgangsleitfähigkeit (g₀), Eingangsspannung (V_i), Grenzspannung (V_G) & Abschnürspannung (V_p) können wir Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET mithilfe der Formel - Transconductance of the MESFET = Ausgangsleitfähigkeit*(1-sqrt((Eingangsspannung-Grenzspannung)/Abschnürspannung)) finden. Diese Formel verwendet auch Quadratwurzel (sqrt) Funktion(en).

Kann Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET negativ sein?

NEIN, der in Elektrische Leitfähigkeit gemessene Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET verwendet?

Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET wird normalerweise mit Siemens[S] für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Megasiemens[S], Millisiemens[S], Mho[S] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET gemessen werden kann.

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Transkonduktanz im Sättigungsbereich im MESFET Formel

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