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Transkonduktanz im MOSFET Formel

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Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung. Überprüfen Sie FAQs

g m = \frac{2 \cdot i d}{V ov}

g_m - Steilheit?i_d - Stromverbrauch?V_ov - Overdrive-Spannung?

Transkonduktanz im MOSFET Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Transkonduktanz im MOSFET aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Transkonduktanz im MOSFET aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Transkonduktanz im MOSFET aus:.

0.5 = \frac{2 \cdot 0.08}{0.32}

0.5mS = \frac{2 \cdot 0.08mA}{0.32V}

0.5 = \frac{2 \cdot 0.08}{0.32}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Transkonduktanz im MOSFET Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Transkonduktanz im MOSFET?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

g m = \frac{2 \cdot i d}{V ov}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

g m = \frac{2 \cdot 0.08mA}{0.32V}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

g m = \frac{2 \cdot 8E-5A}{0.32V}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

g m = \frac{2 \cdot 8E-5}{0.32}

Nächster Schritt Auswerten

∴

g m = 0.0005S

Letzter Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

g m = 0.5mS

Transkonduktanz im MOSFET Formel Elemente

Variablen

Steilheit

Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.

Symbol: g_m

Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: mS

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Steilheit

Stromverbrauch

Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.

Symbol: i_d

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Stromverbrauch

Overdrive-Spannung

Übersteuerungsspannung ist ein Begriff aus der Elektronik und bezieht sich auf den an ein Gerät oder eine Komponente angelegten Spannungspegel, der seine normale Betriebsspannung überschreitet.

Symbol: V_ov

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Overdrive-Spannung

Andere Formeln in der Kategorie Steilheit

ge Maximale Spannungsverstärkung am Vorspannungspunkt

A vm = 2 \cdot \frac{V dd - V eff}{V eff}

ge Maximale Spannungsverstärkung bei allen Spannungen

A vm = \frac{V dd - 0.3}{V t}

ge Spannungsverstärkung bei gegebener Drain-Spannung

A v = \frac{i d \cdot R L \cdot 2}{V eff}

ge Spannungsverstärkung bei gegebenem Lastwiderstand des MOSFET

A v = g m \cdot \frac{\frac{1}{\frac{1}{R L} + \frac{1}{R out}}}{1 + g m \cdot R s}

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Wie wird Transkonduktanz im MOSFET ausgewertet?

Der Transkonduktanz im MOSFET-Evaluator verwendet Transconductance = (2*Stromverbrauch)/Overdrive-Spannung, um Steilheit, Die Transkonduktanz im MOSFET hängt von drei Parametern (W/L) Veff und Id ab. Zwei davon können unabhängig voneinander ausgewählt werden. Hier wird die effektive Spannung Veff und ein bestimmter Strom Id verwendet. Anschließend kann das erforderliche W/L-Verhältnis ermittelt und das resultierende gm bestimmt werden auszuwerten. Steilheit wird durch das Symbol g_m gekennzeichnet.

Wie wird Transkonduktanz im MOSFET mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Transkonduktanz im MOSFET zu verwenden, geben Sie Stromverbrauch (i_d) & Overdrive-Spannung (V_ov) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Transkonduktanz im MOSFET

Wie lautet die Formel zum Finden von Transkonduktanz im MOSFET?

Die Formel von Transkonduktanz im MOSFET wird als Transconductance = (2*Stromverbrauch)/Overdrive-Spannung ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 500 = (2*8E-05)/0.32.

Wie berechnet man Transkonduktanz im MOSFET?

Mit Stromverbrauch (i_d) & Overdrive-Spannung (V_ov) können wir Transkonduktanz im MOSFET mithilfe der Formel - Transconductance = (2*Stromverbrauch)/Overdrive-Spannung finden.

Kann Transkonduktanz im MOSFET negativ sein?

Ja, der in Elektrische Leitfähigkeit gemessene Transkonduktanz im MOSFET kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Transkonduktanz im MOSFET verwendet?

Transkonduktanz im MOSFET wird normalerweise mit Millisiemens[mS] für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Transkonduktanz im MOSFET gemessen werden kann.

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