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Transkonduktanz im MESFET Formel

geTranskonduktanz im Sättigungsbereich Formel

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Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Drain-Stroms zur Änderung der Gate-Source-Spannung unter der Annahme einer konstanten Drain-Source-Spannung. Überprüfen Sie FAQs

g m = 2 \cdot C gs \cdot π \cdot f co

g_m - Transkonduktanz?C_gs - Gate-Source-Kapazität?f_co - Grenzfrequenz?π - Archimedes-Konstante?

Transkonduktanz im MESFET Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Transkonduktanz im MESFET aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Transkonduktanz im MESFET aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Transkonduktanz im MESFET aus:.

0.05 = 2 \cdot 265 \cdot 3.1416 \cdot 30.05

0.05S = 2 \cdot 265μF \cdot 3.1416 \cdot 30.05Hz

0.05 = 2 \cdot 265 \cdot 3.1416 \cdot 30.05

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Transkonduktanz im MESFET Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Transkonduktanz im MESFET?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

g m = 2 \cdot C gs \cdot π \cdot f co

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

g m = 2 \cdot 265μF \cdot π \cdot 30.05Hz

Nächster Schritt Ersatzwerte für Konstanten

∴

g m = 2 \cdot 265μF \cdot 3.1416 \cdot 30.05Hz

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

g m = 2 \cdot 0.0003F \cdot 3.1416 \cdot 30.05Hz

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

g m = 2 \cdot 0.0003 \cdot 3.1416 \cdot 30.05

Nächster Schritt Auswerten

∴

g m = 0.0500345753973978S

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

g m = 0.05S

Transkonduktanz im MESFET Formel Elemente

Variablen

Konstanten

Transkonduktanz

Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Drain-Stroms zur Änderung der Gate-Source-Spannung unter der Annahme einer konstanten Drain-Source-Spannung.

Symbol: g_m

Messung: SteilheitEinheit: S

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Transkonduktanz

Gate-Source-Kapazität

Die Gate-Source-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Source-Anschlüssen eines MESFET oder anderer Transistortypen besteht.

Symbol: C_gs

Messung: KapazitätEinheit: μF

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Gate-Source-Kapazität

Grenzfrequenz

Die Grenzfrequenz wird als Eckfrequenz definiert und ist eine Grenze im Frequenzgang des Systems, bei der die durch das System fließende Energie eher reduziert als durchgelassen wird.

Symbol: f_co

Messung: FrequenzEinheit: Hz

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Grenzfrequenz

Archimedes-Konstante

Die Archimedes-Konstante ist eine mathematische Konstante, die das Verhältnis des Umfangs eines Kreises zu seinem Durchmesser darstellt.

Symbol: π

Wert: 3.14159265358979323846264338327950288

Andere Formeln zum Finden von Transkonduktanz

ge Transkonduktanz im Sättigungsbereich

g m = G o \cdot (1 - \sqrt{\frac{V i - V g}{V p}})

Andere Formeln in der Kategorie MESFET-Eigenschaften

ge Gate-Länge des MESFET

L gate = \frac{V s}{4 \cdot π \cdot f co}

ge Grenzfrequenz

f co = \frac{V s}{4 \cdot π \cdot L gate}

ge Gate-Source-Kapazität

C gs = \frac{g m}{2 \cdot π \cdot f co}

ge Maximale Schwingungsfrequenz im MESFET

f m = (\frac{f t}{2}) \cdot \sqrt{\frac{R d}{R g}}

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Wie wird Transkonduktanz im MESFET ausgewertet?

Der Transkonduktanz im MESFET-Evaluator verwendet Transconductance = 2*Gate-Source-Kapazität*pi*Grenzfrequenz, um Transkonduktanz, Die Transkonduktanz in der MESFET-Formel ist definiert als Transkonduktanz, selten auch Gegenleitfähigkeit genannt. Sie ist die elektrische Eigenschaft, die den Strom durch den Ausgang eines Geräts mit der Spannung am Eingang eines Geräts in Beziehung setzt auszuwerten. Transkonduktanz wird durch das Symbol g_m gekennzeichnet.

Wie wird Transkonduktanz im MESFET mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Transkonduktanz im MESFET zu verwenden, geben Sie Gate-Source-Kapazität (C_gs) & Grenzfrequenz (f_co) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Transkonduktanz im MESFET

Wie lautet die Formel zum Finden von Transkonduktanz im MESFET?

Die Formel von Transkonduktanz im MESFET wird als Transconductance = 2*Gate-Source-Kapazität*pi*Grenzfrequenz ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 0.050035 = 2*0.000265*pi*30.05.

Wie berechnet man Transkonduktanz im MESFET?

Mit Gate-Source-Kapazität (C_gs) & Grenzfrequenz (f_co) können wir Transkonduktanz im MESFET mithilfe der Formel - Transconductance = 2*Gate-Source-Kapazität*pi*Grenzfrequenz finden. Diese Formel verwendet auch Archimedes-Konstante .

Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Transkonduktanz?

Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Transkonduktanz-

Transconductance=Output Conductance*(1-sqrt((Schottky Diode Potential Barrier-Gate Voltage)/Pinch Off Voltage))

Kann Transkonduktanz im MESFET negativ sein?

Ja, der in Steilheit gemessene Transkonduktanz im MESFET kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Transkonduktanz im MESFET verwendet?

Transkonduktanz im MESFET wird normalerweise mit Siemens[S] für Steilheit gemessen. Millisiemens[S] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Transkonduktanz im MESFET gemessen werden kann.

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