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Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung. Überprüfen Sie FAQs
gm=k'nWL(Vgs-Vth)
gm - Steilheit?k'n - Transkonduktanzparameter verarbeiten?WL - Seitenverhältnis?Vgs - Gate-Source-Spannung?Vth - Grenzspannung?

Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter Beispiel

Mit Werten
Mit Einheiten
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So sieht die Gleichung Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter aus:.

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Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel
gm=k'nWL(Vgs-Vth)
Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen
gm=0.015A/V²0.1(4V-3.68V)
Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor
gm=0.0150.1(4-3.68)
Nächster Schritt Auswerten
gm=0.00048S
Letzter Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen
gm=0.48mS

Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter Formel Elemente

Variablen
Steilheit
Die Transkonduktanz ist definiert als das Verhältnis der Änderung des Ausgangsstroms zur Änderung der Eingangsspannung bei konstant gehaltener Gate-Source-Spannung.
Symbol: gm
Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: mS
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Transkonduktanzparameter verarbeiten
Der Process Transconductance Parameter (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.
Symbol: k'n
Messung: SteilheitsparameterEinheit: A/V²
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Seitenverhältnis
Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelle
Symbol: WL
Messung: NAEinheit: Unitless
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Gate-Source-Spannung
Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.
Symbol: Vgs
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Grenzspannung
Die Schwellenspannung, auch Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth genannt, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten moderner Elektronik sind.
Symbol: Vth
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Andere Formeln zum Finden von Steilheit

​ge Steilheit bei gegebenem Drain-Strom
gm=2k'nWLid
​ge Transkonduktanz unter Verwendung von Process Transconductance Parameter und Overdrive Voltage
gm=k'nWLVov
​ge MOSFET-Transkonduktanz bei gegebenem Transkonduktanzparameter
gm=kn(Vgs-Vth)
​ge MOSFET-Transkonduktanz bei gegebener Overdrive-Spannung
gm=knVov

Andere Formeln in der Kategorie Steilheit

​ge Strom mithilfe der Transkonduktanz ableiten
id=(Vov)gm2
​ge Prozess-Transkonduktanz bei gegebener Transkonduktanz und Drain-Strom
k'n=gm22WLid
​ge MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung des Prozess-Transkonduktanzparameters
k'n=gmWL(Vgs-Vth)
​ge MOSFET-Transkonduktanz unter Verwendung von Prozess-Transkonduktanzparameter und Übersteuerungsspannung
k'n=gmWLVov

Wie wird Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter ausgewertet?

Der Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter-Evaluator verwendet Transconductance = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung), um Steilheit, Der Parameter Transkonduktanz bei gegebener Prozesstranskonduktanz ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate-/Source-Spannung bei konstanter Drain-/Source-Spannung auszuwerten. Steilheit wird durch das Symbol gm gekennzeichnet.

Wie wird Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter zu verwenden, geben Sie Transkonduktanzparameter verarbeiten (k'n), Seitenverhältnis (WL), Gate-Source-Spannung (Vgs) & Grenzspannung (Vth) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter

Wie lautet die Formel zum Finden von Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter?
Die Formel von Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter wird als Transconductance = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 480 = 0.015*0.1*(4-3.68).
Wie berechnet man Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter?
Mit Transkonduktanzparameter verarbeiten (k'n), Seitenverhältnis (WL), Gate-Source-Spannung (Vgs) & Grenzspannung (Vth) können wir Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter mithilfe der Formel - Transconductance = Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung) finden.
Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Steilheit?
Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Steilheit-
  • Transconductance=sqrt(2*Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*Drain Current)OpenImg
  • Transconductance=Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio*Overdrive VoltageOpenImg
  • Transconductance=Transconductance Parameter*(Gate-Source Voltage-Threshold Voltage)OpenImg
Kann Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter negativ sein?
Ja, der in Elektrische Leitfähigkeit gemessene Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter kann dürfen negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter verwendet?
Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter wird normalerweise mit Millisiemens[mS] für Elektrische Leitfähigkeit gemessen. Siemens[mS], Megasiemens[mS], Mho[mS] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Transkonduktanz gegebener Prozess-Transkonduktanzparameter gemessen werden kann.
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