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Tore auf kritischem Pfad Formel

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Gatter auf kritischem Pfad sind definiert als die Gesamtzahl der Logikgatter, die während einer Zykluszeit im CMOS benötigt werden. Überprüfen Sie FAQs

N g = D \cdot \frac{i off \cdot (10^{V bc})}{C g \cdot [BoltZ] \cdot V bc}

N_g - Gates auf kritischem Weg?D - Auslastungsgrad?i_off - Aus Strom?V_bc - Basiskollektorspannung?C_g - Kapazität von Gate zu Kanal?[BoltZ] - Boltzmann-Konstante?

Tore auf kritischem Pfad Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Tore auf kritischem Pfad aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Tore auf kritischem Pfad aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Tore auf kritischem Pfad aus:.

0.001 = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01 \cdot (10^{2.02})}{5.1 \cdot 1.4E-23 \cdot 2.02}

0.001 = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01mA \cdot (10^{2.02V})}{5.1mF \cdot 1.4E-23J/K \cdot 2.02V}

0.001 = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01 \cdot (10^{2.02})}{5.1 \cdot 1.4E-23 \cdot 2.02}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Tore auf kritischem Pfad Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Tore auf kritischem Pfad?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

N g = D \cdot \frac{i off \cdot (10^{V bc})}{C g \cdot [BoltZ] \cdot V bc}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

N g = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01mA \cdot (10^{2.02V})}{5.1mF \cdot [BoltZ] \cdot 2.02V}

Nächster Schritt Ersatzwerte für Konstanten

∴

N g = 1.3E-25 \cdot \frac{0.01mA \cdot (10^{2.02V})}{5.1mF \cdot 1.4E-23J/K \cdot 2.02V}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

N g = 1.3E-25 \cdot \frac{1E-5A \cdot (10^{2.02V})}{0.0051F \cdot 1.4E-23J/K \cdot 2.02V}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

N g = 1.3E-25 \cdot \frac{1E-5 \cdot (10^{2.02})}{0.0051 \cdot 1.4E-23 \cdot 2.02}

Nächster Schritt Auswerten

∴

N g = 0.000957058919420363

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

N g = 0.001

Tore auf kritischem Pfad Formel Elemente

Variablen

Konstanten

Gates auf kritischem Weg

Gatter auf kritischem Pfad sind definiert als die Gesamtzahl der Logikgatter, die während einer Zykluszeit im CMOS benötigt werden.

Symbol: N_g

Messung: NAEinheit: Unitless

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Gates auf kritischem Weg

Auslastungsgrad

Ein Arbeitszyklus oder Leistungszyklus ist der Bruchteil einer Periode, in der ein Signal oder System aktiv ist.

Symbol: D

Messung: NAEinheit: Unitless

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Auslastungsgrad

Aus Strom

Der Ausschaltstrom eines Schalters ist in der Realität ein nicht vorhandener Wert. Echte Schalter haben normalerweise einen sehr geringen Ausschaltstrom, der manchmal auch als Leckstrom bezeichnet wird.

Symbol: i_off

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Aus Strom

Basiskollektorspannung

Die Basiskollektorspannung ist ein entscheidender Parameter bei der Transistorvorspannung. Es bezieht sich auf die Spannungsdifferenz zwischen den Basis- und Kollektoranschlüssen des Transistors, wenn dieser sich in seinem aktiven Zustand befindet.

Symbol: V_bc

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Basiskollektorspannung

Kapazität von Gate zu Kanal

Die Kapazität von Gate zu Kanal ist die Kapazität aufgrund der Überlappung der Source- und Kanalbereiche durch das Polysilizium-Gate und ist unabhängig von der angelegten Spannung.

Symbol: C_g

Messung: KapazitätEinheit: mF

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Kapazität von Gate zu Kanal

Boltzmann-Konstante

Die Boltzmann-Konstante setzt die durchschnittliche kinetische Energie von Teilchen in einem Gas mit der Temperatur des Gases in Beziehung und ist eine grundlegende Konstante in der statistischen Mechanik und Thermodynamik.

Symbol: [BoltZ]

Wert: 1.38064852E-23 J/K

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ge Aktivitätsfaktor

α = \frac{P s}{C \cdot {V bc}^{2} \cdot f}

ge Schaltleistung

P s = α \cdot (C \cdot {V bc}^{2} \cdot f)

ge Dynamische Leistung im CMOS

P dyn = P sc + P s

ge Kurzschlussstrom im CMOS

P sc = P dyn - P s

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Wie wird Tore auf kritischem Pfad ausgewertet?

Der Tore auf kritischem Pfad-Evaluator verwendet Gates on Critical Path = Auslastungsgrad*(Aus Strom*(10^Basiskollektorspannung))/(Kapazität von Gate zu Kanal*[BoltZ]*Basiskollektorspannung), um Gates auf kritischem Weg, Die Formel „Gatter auf kritischem Pfad“ ist definiert als die Gesamtzahl der Logikgatter, die während einer Zykluszeit in CMOS erforderlich sind auszuwerten. Gates auf kritischem Weg wird durch das Symbol N_g gekennzeichnet.

Wie wird Tore auf kritischem Pfad mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Tore auf kritischem Pfad zu verwenden, geben Sie Auslastungsgrad (D), Aus Strom (i_off), Basiskollektorspannung (V_bc) & Kapazität von Gate zu Kanal (C_g) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Tore auf kritischem Pfad

Wie lautet die Formel zum Finden von Tore auf kritischem Pfad?

Die Formel von Tore auf kritischem Pfad wird als Gates on Critical Path = Auslastungsgrad*(Aus Strom*(10^Basiskollektorspannung))/(Kapazität von Gate zu Kanal*[BoltZ]*Basiskollektorspannung) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 0.957059 = 1.3E-25*(1E-05*(10^2.02))/(5.1E-06*[BoltZ]*2.02).

Wie berechnet man Tore auf kritischem Pfad?

Mit Auslastungsgrad (D), Aus Strom (i_off), Basiskollektorspannung (V_bc) & Kapazität von Gate zu Kanal (C_g) können wir Tore auf kritischem Pfad mithilfe der Formel - Gates on Critical Path = Auslastungsgrad*(Aus Strom*(10^Basiskollektorspannung))/(Kapazität von Gate zu Kanal*[BoltZ]*Basiskollektorspannung) finden. Diese Formel verwendet auch Boltzmann-Konstante .

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