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Thermische Spannung von CMOS Formel

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Die thermische Spannung ist die Spannung, die im pn-Übergang erzeugt wird. Überprüfen Sie FAQs

V t = \frac{ψ o}{\ln (\frac{N a \cdot N d}{{n i}^{2}})}

V_t - Thermische Spannung?ψ_o - Eingebautes Potenzial?N_a - Akzeptorkonzentration?N_d - Spenderkonzentration?n_i - Intrinsische Elektronenkonzentration?

Thermische Spannung von CMOS Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Thermische Spannung von CMOS aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Thermische Spannung von CMOS aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Thermische Spannung von CMOS aus:.

0.5495 = \frac{18.8}{\ln (\frac{1100 \cdot 1.9E+14}{17^{2}})}

0.5495V = \frac{18.8V}{\ln (\frac{11001/m³ \cdot 1.9E+141/m³}{17^{2}})}

0.5495 = \frac{18.8}{\ln (\frac{1100 \cdot 1.9E+14}{17^{2}})}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

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CMOS-Design und Anwendungen » fx Thermische Spannung von CMOS

Thermische Spannung von CMOS Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Thermische Spannung von CMOS?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

V t = \frac{ψ o}{\ln (\frac{N a \cdot N d}{{n i}^{2}})}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

V t = \frac{18.8V}{\ln (\frac{11001/m³ \cdot 1.9E+141/m³}{17^{2}})}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

V t = \frac{18.8}{\ln (\frac{1100 \cdot 1.9E+14}{17^{2}})}

Nächster Schritt Auswerten

∴

V t = 0.549471683639064V

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

V t = 0.5495V

Thermische Spannung von CMOS Formel Elemente

Variablen

Funktionen

Thermische Spannung

Die thermische Spannung ist die Spannung, die im pn-Übergang erzeugt wird.

Symbol: V_t

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Thermische Spannung

Eingebautes Potenzial

Das eingebaute Potenzial ist das Potenzial innerhalb des MOSFET.

Symbol: ψ_o

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Eingebautes Potenzial

Akzeptorkonzentration

Die Akzeptorkonzentration ist die Konzentration der Löcher im Akzeptorzustand.

Symbol: N_a

Messung: TrägerkonzentrationEinheit: 1/m³

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Akzeptorkonzentration

Spenderkonzentration

Die Donorkonzentration ist die Konzentration der Elektronen im Donorzustand.

Symbol: N_d

Messung: TrägerkonzentrationEinheit: 1/m³

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Spenderkonzentration

Intrinsische Elektronenkonzentration

Die intrinsische Elektronenkonzentration ist definiert als die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband in intrinsischem Material.

Symbol: n_i

Messung: NAEinheit: Unitless

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Intrinsische Elektronenkonzentration

Der natürliche Logarithmus, auch Logarithmus zur Basis e genannt, ist die Umkehrfunktion der natürlichen Exponentialfunktion.

Syntax: ln(Number)

Andere Formeln in der Kategorie CMOS-Designmerkmale

ge Statischer Strom

i static = \frac{P static}{V bc}

ge Eingebautes Potenzial

ψ o = V t \cdot \ln (\frac{N a \cdot N d}{{n i}^{2}})

ge Änderung der Frequenzuhr

Δf = K vco \cdot V ctrl

ge Kapazität Onpath

C onpath = C t - C offpath

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Wie wird Thermische Spannung von CMOS ausgewertet?

Der Thermische Spannung von CMOS-Evaluator verwendet Thermal Voltage = Eingebautes Potenzial/ln((Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration)/(Intrinsische Elektronenkonzentration^2)), um Thermische Spannung, Die thermische Spannung von CMOS ist die Spannung, die an einem MOSFET-Gerät aufgrund der Temperaturunterschiede zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen erzeugt wird auszuwerten. Thermische Spannung wird durch das Symbol V_t gekennzeichnet.

Wie wird Thermische Spannung von CMOS mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Thermische Spannung von CMOS zu verwenden, geben Sie Eingebautes Potenzial (ψ_o), Akzeptorkonzentration (N_a), Spenderkonzentration (N_d) & Intrinsische Elektronenkonzentration (n_i) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Thermische Spannung von CMOS

Wie lautet die Formel zum Finden von Thermische Spannung von CMOS?

Die Formel von Thermische Spannung von CMOS wird als Thermal Voltage = Eingebautes Potenzial/ln((Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration)/(Intrinsische Elektronenkonzentration^2)) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 0.549472 = 18.8/ln((1100*190000000000000)/(17^2)).

Wie berechnet man Thermische Spannung von CMOS?

Mit Eingebautes Potenzial (ψ_o), Akzeptorkonzentration (N_a), Spenderkonzentration (N_d) & Intrinsische Elektronenkonzentration (n_i) können wir Thermische Spannung von CMOS mithilfe der Formel - Thermal Voltage = Eingebautes Potenzial/ln((Akzeptorkonzentration*Spenderkonzentration)/(Intrinsische Elektronenkonzentration^2)) finden. Diese Formel verwendet auch Natürlicher Logarithmus (ln) Funktion(en).

Kann Thermische Spannung von CMOS negativ sein?

NEIN, der in Elektrisches Potenzial gemessene Thermische Spannung von CMOS kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Thermische Spannung von CMOS verwendet?

Thermische Spannung von CMOS wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Thermische Spannung von CMOS gemessen werden kann.

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