Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors Formel

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Die Stromverstärkung ist das Verhältnis des Ausgangsstroms zum Eingangsstrom eines Verstärkers und wird als Stromverstärkung definiert. Überprüfen Sie FAQs
Ai=11+1gmpRdg
Ai - Aktueller Gewinn?gmp - MOSFET-Primärtranskonduktanz?Rdg - Widerstand zwischen Abfluss und Erde?

Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors Beispiel

Mit Werten
Mit Einheiten
Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors aus:.

0.8259Edit=11+119.77Edit0.24Edit
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Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel
Ai=11+1gmpRdg
Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen
Ai=11+119.77mS0.24
Nächster Schritt Einheiten umrechnen
Ai=11+10.0198S240Ω
Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor
Ai=11+10.0198240
Nächster Schritt Auswerten
Ai=0.825929536276285
Letzter Schritt Rundungsantwort
Ai=0.8259

Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors Formel Elemente

Variablen
Aktueller Gewinn
Die Stromverstärkung ist das Verhältnis des Ausgangsstroms zum Eingangsstrom eines Verstärkers und wird als Stromverstärkung definiert.
Symbol: Ai
Messung: NAEinheit: Unitless
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
MOSFET-Primärtranskonduktanz
Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.
Symbol: gmp
Messung: SteilheitEinheit: mS
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Widerstand zwischen Abfluss und Erde
Der Widerstand zwischen Drain und Masse ist der Widerstand zwischen Drain-Anschluss des ersten Transistors und Masse.
Symbol: Rdg
Messung: Elektrischer WiderstandEinheit:
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Andere Formeln in der Kategorie Gemeinsamer Quellenverstärker

​ge Gemeinsame Basisstromverstärkung
α=(AvReRc)
​ge Negative Spannungsverstärkung von der Basis zum Kollektor
Avn=-α(RcRe)
​ge Spannungsverstärkung des Common-Base-Verstärkers
Av=VcVe
​ge Gesamtrückkopplungsspannungsverstärkung des Common-Collector-Verstärkers
Gv=(β+1)RL(β+1)RL+(β+1)Re+Rsig

Wie wird Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors ausgewertet?

Der Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors-Evaluator verwendet Current Gain = 1/(1+1/(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand zwischen Abfluss und Erde)), um Aktueller Gewinn, Die Formel für die Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors ist definiert als die Änderung des Kollektorstroms dividiert durch die Änderung des Emitterstroms, wenn die Basis-zu-Kollektor-Spannung konstant ist. Die typische Stromverstärkung in Basisschaltung in gut konstruierten Bipolartransistoren liegt sehr nahe bei Eins auszuwerten. Aktueller Gewinn wird durch das Symbol Ai gekennzeichnet.

Wie wird Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors zu verwenden, geben Sie MOSFET-Primärtranskonduktanz (gmp) & Widerstand zwischen Abfluss und Erde (Rdg) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors

Wie lautet die Formel zum Finden von Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors?
Die Formel von Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors wird als Current Gain = 1/(1+1/(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand zwischen Abfluss und Erde)) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 0.82593 = 1/(1+1/(0.01977*240)).
Wie berechnet man Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors?
Mit MOSFET-Primärtranskonduktanz (gmp) & Widerstand zwischen Abfluss und Erde (Rdg) können wir Stromverstärkung des Controlled-Source-Transistors mithilfe der Formel - Current Gain = 1/(1+1/(MOSFET-Primärtranskonduktanz*Widerstand zwischen Abfluss und Erde)) finden.
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