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Stromverbrauch Formel

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Der Drain-Strom ist als Strom unterhalb des Schwellenwerts definiert, der normalerweise unter dem Schwellenstrom liegt und sich exponentiell mit der Gate-Source-Spannung ändert. Überprüfen Sie FAQs

I D = μ n \cdot C ox \cdot (\frac{W gate}{L g}) \cdot (V gs - V th) \cdot V ds

I_D - Stromverbrauch?μ_n - Mobilität des Elektrons?C_ox - Gate-Oxid-Kapazität?W_gate - Breite der Torverbindung?L_g - Torlänge?V_gs - Gate-Source-Spannung?V_th - Grenzspannung?V_ds - Drain-Source-Sättigungsspannung?

Stromverbrauch Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Stromverbrauch aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Stromverbrauch aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Stromverbrauch aus:.

891 = 180 \cdot 75 \cdot (\frac{230}{2.3}) \cdot (1.25 - 0.7) \cdot 1.2

891mA = 180m²/V*s \cdot 75nF \cdot (\frac{230μm}{2.3nm}) \cdot (1.25V - 0.7V) \cdot 1.2V

891 = 180 \cdot 75 \cdot (\frac{230}{2.3}) \cdot (1.25 - 0.7) \cdot 1.2

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Stromverbrauch Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Stromverbrauch?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

I D = μ n \cdot C ox \cdot (\frac{W gate}{L g}) \cdot (V gs - V th) \cdot V ds

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

I D = 180m²/V*s \cdot 75nF \cdot (\frac{230μm}{2.3nm}) \cdot (1.25V - 0.7V) \cdot 1.2V

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

I D = 180m²/V*s \cdot 7.5E-8F \cdot (\frac{0.0002m}{2.3E-9m}) \cdot (1.25V - 0.7V) \cdot 1.2V

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

I D = 180 \cdot 7.5E-8 \cdot (\frac{0.0002}{2.3E-9}) \cdot (1.25 - 0.7) \cdot 1.2

Nächster Schritt Auswerten

∴

I D = 0.891A

Letzter Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

I D = 891mA

Stromverbrauch Formel Elemente

Variablen

Stromverbrauch

Der Drain-Strom ist als Strom unterhalb des Schwellenwerts definiert, der normalerweise unter dem Schwellenstrom liegt und sich exponentiell mit der Gate-Source-Spannung ändert.

Symbol: I_D

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Stromverbrauch

Mobilität des Elektrons

Die Mobilität von Elektronen ist definiert als die Größe der durchschnittlichen Driftgeschwindigkeit pro elektrischer Feldeinheit.

Symbol: μ_n

Messung: MobilitätEinheit: m²/V*s

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Mobilität des Elektrons

Gate-Oxid-Kapazität

Die Gate-Oxidkapazität ist die Fähigkeit einer Komponente oder eines Schaltkreises, Energie in Form einer elektrischen Ladung zu sammeln und zu speichern.

Symbol: C_ox

Messung: KapazitätEinheit: nF

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Gate-Oxid-Kapazität

Breite der Torverbindung

Die Gate-Übergangsbreite ist als die Breite des Gate-Übergangs in einem Halbleiterbauelement definiert.

Symbol: W_gate

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Breite der Torverbindung

Torlänge

Die Gate-Länge ist einfach die physische Gate-Länge. Die Kanallänge ist der Weg, der die Ladungsträger zwischen Drain und Source verbindet.

Symbol: L_g

Messung: LängeEinheit: nm

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Torlänge

Gate-Source-Spannung

Die Gate-Source-Spannung eines Transistors ist die Spannung, die am Gate-Source-Anschluss des Transistors abfällt.

Symbol: V_gs

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Gate-Source-Spannung

Grenzspannung

Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.

Symbol: V_th

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Grenzspannung

Drain-Source-Sättigungsspannung

Die Drain-Source-Sättigungsspannung ist die Spannungsdifferenz zwischen Emitter- und Kollektoranschluss, die zum Einschalten eines MOSFET erforderlich ist.

Symbol: V_ds

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Drain-Source-Sättigungsspannung

Andere Formeln in der Kategorie Betriebsparameter des Transistors

ge Emitterstrom

I e = I b + I c

ge Aktueller Verstärkungsfaktor

α = \frac{I c}{I e}

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Wie wird Stromverbrauch ausgewertet?

Der Stromverbrauch-Evaluator verwendet Drain Current = Mobilität des Elektrons*Gate-Oxid-Kapazität*(Breite der Torverbindung/Torlänge)*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Source-Sättigungsspannung, um Stromverbrauch, Der Drain-Strom ist als Unterschwellenstrom definiert und variiert exponentiell mit der Gate-Source-Spannung unterhalb der Schwellenspannung auszuwerten. Stromverbrauch wird durch das Symbol I_D gekennzeichnet.

Wie wird Stromverbrauch mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Stromverbrauch zu verwenden, geben Sie Mobilität des Elektrons (μ_n), Gate-Oxid-Kapazität (C_ox), Breite der Torverbindung (W_gate), Torlänge (L_g), Gate-Source-Spannung (V_gs), Grenzspannung (V_th) & Drain-Source-Sättigungsspannung (V_ds) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Stromverbrauch

Wie lautet die Formel zum Finden von Stromverbrauch?

Die Formel von Stromverbrauch wird als Drain Current = Mobilität des Elektrons*Gate-Oxid-Kapazität*(Breite der Torverbindung/Torlänge)*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Source-Sättigungsspannung ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 891000 = 180*7.5E-08*(0.00023/2.3E-09)*(1.25-0.7)*1.2.

Wie berechnet man Stromverbrauch?

Mit Mobilität des Elektrons (μ_n), Gate-Oxid-Kapazität (C_ox), Breite der Torverbindung (W_gate), Torlänge (L_g), Gate-Source-Spannung (V_gs), Grenzspannung (V_th) & Drain-Source-Sättigungsspannung (V_ds) können wir Stromverbrauch mithilfe der Formel - Drain Current = Mobilität des Elektrons*Gate-Oxid-Kapazität*(Breite der Torverbindung/Torlänge)*(Gate-Source-Spannung-Grenzspannung)*Drain-Source-Sättigungsspannung finden.

Kann Stromverbrauch negativ sein?

NEIN, der in Elektrischer Strom gemessene Stromverbrauch kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Stromverbrauch verwendet?

Stromverbrauch wird normalerweise mit Milliampere[mA] für Elektrischer Strom gemessen. Ampere[mA], Mikroampere[mA], Centiampere[mA] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Stromverbrauch gemessen werden kann.

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