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Der Drain-Strom im NMOS ist der elektrische Strom, der vom Drain zur Source eines Feldeffekttransistors (FET) oder eines Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) fließt. Überprüfen Sie FAQs
Id=k'n⋅WcL⋅Vds⋅(Vov-12⋅Vds)
Id - Drainstrom im NMOS?k'n - Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten?Wc - Breite des Kanals?L - Länge des Kanals?Vds - Drain-Quellenspannung?Vov - Übersteuerungsspannung im NMOS?

Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS Beispiel

Mit Werten
Mit Einheiten
Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS aus:.

239.693Edit=2Edit⋅10Edit3Edit⋅8.43Edit⋅(8.48Edit-12⋅8.43Edit)
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Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel
Id=k'n⋅WcL⋅Vds⋅(Vov-12⋅Vds)
Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen
∴ Id=2mS⋅10μm3μm⋅8.43V⋅(8.48V-12⋅8.43V)
Nächster Schritt Einheiten umrechnen
∴ Id=0.002S⋅1E-5m3E-6m⋅8.43V⋅(8.48V-12⋅8.43V)
Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor
∴ Id=0.002⋅1E-53E-6⋅8.43⋅(8.48-12⋅8.43)
Nächster Schritt Auswerten
∴Id=0.239693A
Letzter Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen
∴Id=239.693mA

Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS Formel Elemente

Variablen
Drainstrom im NMOS
Der Drain-Strom im NMOS ist der elektrische Strom, der vom Drain zur Source eines Feldeffekttransistors (FET) oder eines Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) fließt.
Symbol: Id
Messung: Elektrischer StromEinheit: mA
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Formeln zum Finden von Drainstrom im NMOSOpen Variable
Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten
Der Process Transconductance Parameter in NMOS (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.
Symbol: k'n
Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: mS
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Formeln zum Finden von Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeitenOpen Variable
Breite des Kanals
Die Kanalbreite bezieht sich auf die Bandbreite, die für die Übertragung von Daten innerhalb eines Kommunikationskanals zur Verfügung steht.
Symbol: Wc
Messung: LängeEinheit: μm
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Formeln zum Finden von Breite des KanalsOpen Variable
Länge des Kanals
Die Länge des Kanals kann als Abstand zwischen seinem Anfangs- und seinem Endpunkt definiert werden und kann je nach Zweck und Standort stark variieren.
Symbol: L
Messung: LängeEinheit: μm
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Formeln zum Finden von Länge des KanalsOpen Variable
Drain-Quellenspannung
Drain-Source-Spannung ist ein elektrischer Begriff, der in der Elektronik und insbesondere bei Feldeffekttransistoren verwendet wird. Es bezieht sich auf die Spannungsdifferenz zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen des FET.
Symbol: Vds
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Formeln zum Finden von Drain-QuellenspannungOpen Variable
Übersteuerungsspannung im NMOS
Übersteuerungsspannung bezieht sich in NMOS typischerweise auf die an ein Gerät oder eine Komponente angelegte Spannung, die ihre normale Betriebsspannung überschreitet.
Symbol: Vov
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Formeln zum Finden von Übersteuerungsspannung im NMOSOpen Variable

Andere Formeln zum Finden von Drainstrom im NMOS

​ge Stromeintritt in den Drain-Anschluss des NMOS bei gegebener Gate-Source-Spannung
Id=k'n⋅WcL⋅((Vgs-VT)⋅Vds-12⋅Vds2)
​ge Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS
Id=k'n⋅WcL⋅((Vgs-VT)⋅Vds-12⋅(Vds)2)
​ge Stromeintritt in Drain-Source im Sättigungsbereich von NMOS
Id=12⋅k'n⋅WcL⋅(Vgs-VT)2
​ge Strom, der in die Drain-Source an der Sättigungsgrenze und im Triodenbereich des NMOS eintritt
Id=12⋅k'n⋅WcL⋅(Vds)2

Andere Formeln in der Kategorie N-Kanal-Verbesserung

​ge Elektronendriftgeschwindigkeit des Kanals im NMOS-Transistor
vd=μn⋅EL
​ge NMOS als linearer Widerstand
rDS=Lμn⋅Cox⋅Wc⋅(Vgs-VT)
​ge Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt
Ids=12⋅k'n⋅WcL⋅(Vov)2
​ge Positive Spannung bei gegebener Kanallänge in NMOS
V=VA⋅L

Wie wird Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS ausgewertet?

Der Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS-Evaluator verwendet Drain Current in NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*Drain-Quellenspannung*(Übersteuerungsspannung im NMOS-1/2*Drain-Quellenspannung), um Drainstrom im NMOS, Der Strom, der in den Drain-Anschluss von NMOS-MOSFETs eintritt, schaltet nur den Strom, der in eine Richtung fließt; Sie haben eine Diode zwischen Source und Drain in der anderen Richtung (mit anderen Worten, wenn der Drain (bei einem N-Kanal-Gerät) unter die Spannung an der Source fällt, fließt der Strom von der Source zum Drain) auszuwerten. Drainstrom im NMOS wird durch das Symbol Id gekennzeichnet.

Wie wird Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS zu verwenden, geben Sie Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten (k'n), Breite des Kanals (Wc), Länge des Kanals (L), Drain-Quellenspannung (Vds) & Übersteuerungsspannung im NMOS (Vov) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS

Wie lautet die Formel zum Finden von Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS?
Die Formel von Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS wird als Drain Current in NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*Drain-Quellenspannung*(Übersteuerungsspannung im NMOS-1/2*Drain-Quellenspannung) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 239693 = 0.002*1E-05/3E-06*8.43*(8.48-1/2*8.43).
Wie berechnet man Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS?
Mit Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten (k'n), Breite des Kanals (Wc), Länge des Kanals (L), Drain-Quellenspannung (Vds) & Übersteuerungsspannung im NMOS (Vov) können wir Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS mithilfe der Formel - Drain Current in NMOS = Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*Drain-Quellenspannung*(Übersteuerungsspannung im NMOS-1/2*Drain-Quellenspannung) finden.
Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Drainstrom im NMOS?
Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Drainstrom im NMOS-
  • Drain Current in NMOS=Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*((Gate Source Voltage-Threshold Voltage)*Drain Source Voltage-1/2*Drain Source Voltage^2)OpenImg
  • Drain Current in NMOS=Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*((Gate Source Voltage-Threshold Voltage)*Drain Source Voltage-1/2*(Drain Source Voltage)^2)OpenImg
  • Drain Current in NMOS=1/2*Process Transconductance Parameter in NMOS*Width of Channel/Length of the Channel*(Gate Source Voltage-Threshold Voltage)^2OpenImg
Kann Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS negativ sein?
NEIN, der in Elektrischer Strom gemessene Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS kann kann nicht negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS verwendet?
Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS wird normalerweise mit Milliampere[mA] für Elektrischer Strom gemessen. Ampere[mA], Mikroampere[mA], Centiampere[mA] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Stromeingangs-Drain-Anschluss des NMOS gemessen werden kann.
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