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Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten Formel

geDrainstrom im Triodenbereich des PMOS-Transistors Formel

geDrain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd Formel

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Der Drain-Strom ist der elektrische Strom, der vom Drain zur Source eines Feldeffekttransistors (FET) oder eines Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) fließt. Überprüfen Sie FAQs

I d = (W \cdot Q p \cdot μ p \cdot E y)

I_d - Stromverbrauch?W - Breite der Kreuzung?Q_p - Ladung der Inversionsschicht?μ_p - Beweglichkeit von Löchern im Kanal?E_y - Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal?

Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten aus:.

29.5965 = (1.19 \cdot 0.0017 \cdot 2.66 \cdot 5.5)

29.5965mA = (1.19m \cdot 0.0017C/m² \cdot 2.66m²/V*s \cdot 5.5V/m)

29.5965 = (1.19 \cdot 0.0017 \cdot 2.66 \cdot 5.5)

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

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Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

I d = (W \cdot Q p \cdot μ p \cdot E y)

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

I d = (1.19m \cdot 0.0017C/m² \cdot 2.66m²/V*s \cdot 5.5V/m)

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

I d = (1.19 \cdot 0.0017 \cdot 2.66 \cdot 5.5)

Nächster Schritt Auswerten

∴

I d = 0.02959649A

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

I d = 29.59649mA

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

I d = 29.5965mA

Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten Formel Elemente

Variablen

Stromverbrauch

Der Drain-Strom ist der elektrische Strom, der vom Drain zur Source eines Feldeffekttransistors (FET) oder eines Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) fließt.

Symbol: I_d

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Stromverbrauch

Breite der Kreuzung

Die Verbindungsbreite ist der Parameter, der angibt, wie breit die Basisverbindung eines analogen Elektronikelements ist.

Symbol: W

Messung: LängeEinheit: m

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Breite der Kreuzung

Ladung der Inversionsschicht

Unter Inversionsschichtladung versteht man die Ansammlung von Ladungsträgern an der Grenzfläche zwischen dem Halbleiter und der isolierenden Oxidschicht, wenn eine Spannung an die Gate-Elektrode angelegt wird.

Symbol: Q_p

Messung: OberflächenladungsdichteEinheit: C/m²

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Ladung der Inversionsschicht

Beweglichkeit von Löchern im Kanal

Die Beweglichkeit von Löchern im Kanal hängt von verschiedenen Faktoren ab, wie z. B. der Kristallstruktur des Halbleitermaterials, dem Vorhandensein von Verunreinigungen, der Temperatur,

Symbol: μ_p

Messung: MobilitätEinheit: m²/V*s

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Beweglichkeit von Löchern im Kanal

Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal

Die horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal ist die Stärke des elektrischen Feldes, das im Material unter der Gate-Oxidschicht in dem Bereich vorhanden ist, in dem die Inversionsschicht gebildet wird.

Symbol: E_y

Messung: Elektrische FeldstärkeEinheit: V/m

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal

Andere Formeln zum Finden von Stromverbrauch

ge Drainstrom im Triodenbereich des PMOS-Transistors

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

ge Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

ge Gesamt-Drain-Strom des PMOS-Transistors

I d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2} \cdot (1 + \frac{V DS}{mod} \underset{̲}{u} s (V a))

ge Strom im Inversionskanal von PMOS

I d = (W \cdot Q p \cdot V y)

Andere Formeln in der Kategorie P-Kanal-Verbesserung

ge Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

ge Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors gegeben Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

ge Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS

k' p = μ p \cdot C ox

ge Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität

V y = μ p \cdot E y

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Wie wird Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten ausgewertet?

Der Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten-Evaluator verwendet Drain Current = (Breite der Kreuzung*Ladung der Inversionsschicht*Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal), um Stromverbrauch, Der Drain-Strom von Source zu Drain im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors bei gegebenem Vov steigt zunächst linear mit der angelegten Drain-zu-Source-Spannung an, erreicht dann aber einen Maximalwert. Eine am Drain-Ende des Gates befindliche Verarmungsschicht nimmt die zusätzliche Drain-Source-Spannung auf. Dieses Verhalten wird als Drainstromsättigung bezeichnet auszuwerten. Stromverbrauch wird durch das Symbol I_d gekennzeichnet.

Wie wird Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten zu verwenden, geben Sie Breite der Kreuzung (W), Ladung der Inversionsschicht (Q_p), Beweglichkeit von Löchern im Kanal (μ_p) & Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal (E_y) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten

Wie lautet die Formel zum Finden von Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten?

Die Formel von Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten wird als Drain Current = (Breite der Kreuzung*Ladung der Inversionsschicht*Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 29596.49 = (1.19*0.0017*2.66*5.5).

Wie berechnet man Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten?

Mit Breite der Kreuzung (W), Ladung der Inversionsschicht (Q_p), Beweglichkeit von Löchern im Kanal (μ_p) & Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal (E_y) können wir Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten mithilfe der Formel - Drain Current = (Breite der Kreuzung*Ladung der Inversionsschicht*Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal) finden.

Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Stromverbrauch?

Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Stromverbrauch-

Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*((Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))*Voltage between Drain and Source-1/2*(Voltage between Drain and Source)^2)
Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(modulus(Effective Voltage)-1/2*Voltage between Drain and Source)*Voltage between Drain and Source
Drain Current=1/2*Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))^2*(1+Voltage between Drain and Source/modulus(Early Voltage))

Kann Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten negativ sein?

NEIN, der in Elektrischer Strom gemessene Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten verwendet?

Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten wird normalerweise mit Milliampere[mA] für Elektrischer Strom gemessen. Ampere[mA], Mikroampere[mA], Centiampere[mA] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten gemessen werden kann.

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Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten Formel

​geDrainstrom im Triodenbereich des PMOS-Transistors Formel

​geDrain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd Formel

Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten Beispiel

Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten Lösung

Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten Formel Elemente

Andere Formeln zum Finden von Stromverbrauch

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Wie wird Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten ausgewertet?

FAQs An Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten

Variable Name

geDrainstrom im Triodenbereich des PMOS-Transistors Formel

geDrain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd Formel