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Strom im Inversionskanal von PMOS Formel

geDrainstrom im Triodenbereich des PMOS-Transistors Formel

geDrain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd Formel

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Der Drain-Strom ist der elektrische Strom, der vom Drain zur Source eines Feldeffekttransistors (FET) oder eines Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) fließt. Überprüfen Sie FAQs

I d = (W \cdot Q p \cdot V y)

I_d - Stromverbrauch?W - Breite der Kreuzung?Q_p - Ladung der Inversionsschicht?V_y - Driftgeschwindigkeit der Inversion?

Strom im Inversionskanal von PMOS Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Strom im Inversionskanal von PMOS aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Strom im Inversionskanal von PMOS aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Strom im Inversionskanal von PMOS aus:.

29.5965 = (1.19 \cdot 0.0017 \cdot 1463)

29.5965mA = (1.19m \cdot 0.0017C/m² \cdot 1463cm/s)

29.5965 = (1.19 \cdot 0.0017 \cdot 1463)

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

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Strom im Inversionskanal von PMOS Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Strom im Inversionskanal von PMOS?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

I d = (W \cdot Q p \cdot V y)

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

I d = (1.19m \cdot 0.0017C/m² \cdot 1463cm/s)

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

I d = (1.19m \cdot 0.0017C/m² \cdot 14.63m/s)

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

I d = (1.19 \cdot 0.0017 \cdot 14.63)

Nächster Schritt Auswerten

∴

I d = 0.02959649A

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

I d = 29.59649mA

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

I d = 29.5965mA

Strom im Inversionskanal von PMOS Formel Elemente

Variablen

Stromverbrauch

Der Drain-Strom ist der elektrische Strom, der vom Drain zur Source eines Feldeffekttransistors (FET) oder eines Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors (MOSFET) fließt.

Symbol: I_d

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Stromverbrauch

Breite der Kreuzung

Die Verbindungsbreite ist der Parameter, der angibt, wie breit die Basisverbindung eines analogen Elektronikelements ist.

Symbol: W

Messung: LängeEinheit: m

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Breite der Kreuzung

Ladung der Inversionsschicht

Unter Inversionsschichtladung versteht man die Ansammlung von Ladungsträgern an der Grenzfläche zwischen dem Halbleiter und der isolierenden Oxidschicht, wenn eine Spannung an die Gate-Elektrode angelegt wird.

Symbol: Q_p

Messung: OberflächenladungsdichteEinheit: C/m²

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Ladung der Inversionsschicht

Driftgeschwindigkeit der Inversion

Die Driftgeschwindigkeit der Inversionsschicht in einem MOSFET ist die durchschnittliche Geschwindigkeit der Elektronen, aus denen die Inversionsschicht besteht, wenn sie sich unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes durch das Material bewegen.

Symbol: V_y

Messung: GeschwindigkeitEinheit: cm/s

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Driftgeschwindigkeit der Inversion

Andere Formeln zum Finden von Stromverbrauch

ge Drainstrom im Triodenbereich des PMOS-Transistors

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

ge Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

ge Gesamt-Drain-Strom des PMOS-Transistors

I d = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2} \cdot (1 + \frac{V DS}{mod} \underset{̲}{u} s (V a))

ge Strom von der Quelle zum Abfluss ableiten

I d = (W \cdot Q p \cdot μ p \cdot E y)

Andere Formeln in der Kategorie P-Kanal-Verbesserung

ge Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

ge Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors gegeben Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

ge Prozesstranskonduktanzparameter von PMOS

k' p = μ p \cdot C ox

ge Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität

V y = μ p \cdot E y

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Wie wird Strom im Inversionskanal von PMOS ausgewertet?

Der Strom im Inversionskanal von PMOS-Evaluator verwendet Drain Current = (Breite der Kreuzung*Ladung der Inversionsschicht*Driftgeschwindigkeit der Inversion), um Stromverbrauch, Der Strom im Inversionskanal der PMOS-Formel ist definiert als der Strom im Inversionskanal ist ein wichtiger Parameter für den Betrieb von PMOS-Transistoren, da er die Funktionalität des Transistors bestimmt, wie z. B. seine Verstärkungs- und Ausgangseigenschaften auszuwerten. Stromverbrauch wird durch das Symbol I_d gekennzeichnet.

Wie wird Strom im Inversionskanal von PMOS mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Strom im Inversionskanal von PMOS zu verwenden, geben Sie Breite der Kreuzung (W), Ladung der Inversionsschicht (Q_p) & Driftgeschwindigkeit der Inversion (V_y) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Strom im Inversionskanal von PMOS

Wie lautet die Formel zum Finden von Strom im Inversionskanal von PMOS?

Die Formel von Strom im Inversionskanal von PMOS wird als Drain Current = (Breite der Kreuzung*Ladung der Inversionsschicht*Driftgeschwindigkeit der Inversion) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 29596.49 = (1.19*0.0017*14.63).

Wie berechnet man Strom im Inversionskanal von PMOS?

Mit Breite der Kreuzung (W), Ladung der Inversionsschicht (Q_p) & Driftgeschwindigkeit der Inversion (V_y) können wir Strom im Inversionskanal von PMOS mithilfe der Formel - Drain Current = (Breite der Kreuzung*Ladung der Inversionsschicht*Driftgeschwindigkeit der Inversion) finden.

Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Stromverbrauch?

Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Stromverbrauch-

Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*((Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))*Voltage between Drain and Source-1/2*(Voltage between Drain and Source)^2)
Drain Current=Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(modulus(Effective Voltage)-1/2*Voltage between Drain and Source)*Voltage between Drain and Source
Drain Current=1/2*Process Transconductance Parameter in PMOS*Aspect Ratio*(Voltage between Gate and Source-modulus(Threshold Voltage))^2*(1+Voltage between Drain and Source/modulus(Early Voltage))

Kann Strom im Inversionskanal von PMOS negativ sein?

NEIN, der in Elektrischer Strom gemessene Strom im Inversionskanal von PMOS kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Strom im Inversionskanal von PMOS verwendet?

Strom im Inversionskanal von PMOS wird normalerweise mit Milliampere[mA] für Elektrischer Strom gemessen. Ampere[mA], Mikroampere[mA], Centiampere[mA] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Strom im Inversionskanal von PMOS gemessen werden kann.

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Variable Name

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