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Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität Formel

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Die Driftgeschwindigkeit der Inversionsschicht in einem MOSFET ist die durchschnittliche Geschwindigkeit der Elektronen, aus denen die Inversionsschicht besteht, wenn sie sich unter dem Einfluss eines elektrischen Feldes durch das Material bewegen. Überprüfen Sie FAQs

V y = μ p \cdot E y

V_y - Driftgeschwindigkeit der Inversion?μ_p - Beweglichkeit von Löchern im Kanal?E_y - Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal?

Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität aus:.

1463 = 2.66 \cdot 5.5

1463cm/s = 2.66m²/V*s \cdot 5.5V/m

1463 = 2.66 \cdot 5.5

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

V y = μ p \cdot E y

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

V y = 2.66m²/V*s \cdot 5.5V/m

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

V y = 2.66 \cdot 5.5

Nächster Schritt Auswerten

∴

V y = 14.63m/s

Letzter Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

V y = 1463cm/s

Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität Formel Elemente

Variablen

Driftgeschwindigkeit der Inversion

Symbol: V_y

Messung: GeschwindigkeitEinheit: cm/s

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Driftgeschwindigkeit der Inversion

Beweglichkeit von Löchern im Kanal

Die Beweglichkeit von Löchern im Kanal hängt von verschiedenen Faktoren ab, wie z. B. der Kristallstruktur des Halbleitermaterials, dem Vorhandensein von Verunreinigungen, der Temperatur,

Symbol: μ_p

Messung: MobilitätEinheit: m²/V*s

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Beweglichkeit von Löchern im Kanal

Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal

Die horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal ist die Stärke des elektrischen Feldes, das im Material unter der Gate-Oxidschicht in dem Bereich vorhanden ist, in dem die Inversionsschicht gebildet wird.

Symbol: E_y

Messung: Elektrische FeldstärkeEinheit: V/m

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal

Andere Formeln in der Kategorie P-Kanal-Verbesserung

ge Drainstrom im Triodenbereich des PMOS-Transistors

I d = k' p \cdot WL \cdot ((V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T)) \cdot V DS - \frac{1}{2} \cdot {(V DS)}^{2})

ge Drain-Strom im Triodenbereich des PMOS-Transistors bei Vsd

I d = k' p \cdot WL \cdot (mod \underset{̲}{u} s (V ov) - \frac{1}{2} \cdot V DS) \cdot V DS

ge Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V GS - mod \underset{̲}{u} s (V T))}^{2}

ge Drain-Strom im Sättigungsbereich des PMOS-Transistors gegeben Vov

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' p \cdot WL \cdot {(V ov)}^{2}

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Wie wird Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität ausgewertet?

Der Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität-Evaluator verwendet Drift Velocity of Inversion = Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal, um Driftgeschwindigkeit der Inversion, Die Strom im Inversionskanal des PMOS gegebene Mobilitätsformel ist definiert als der Strom im Inversionskanal eines PMOS-Transistors wird durch die Mobilität der Ladungsträger im Kanal sowie durch die Kanalbreite, Kanallänge und das Gate bestimmt -Quellspannung auszuwerten. Driftgeschwindigkeit der Inversion wird durch das Symbol V_y gekennzeichnet.

Wie wird Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität zu verwenden, geben Sie Beweglichkeit von Löchern im Kanal (μ_p) & Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal (E_y) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität

Wie lautet die Formel zum Finden von Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität?

Die Formel von Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität wird als Drift Velocity of Inversion = Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 146300 = 2.66*5.5.

Wie berechnet man Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität?

Mit Beweglichkeit von Löchern im Kanal (μ_p) & Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal (E_y) können wir Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität mithilfe der Formel - Drift Velocity of Inversion = Beweglichkeit von Löchern im Kanal*Horizontale Komponente des elektrischen Feldes im Kanal finden.

Kann Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität negativ sein?

Ja, der in Geschwindigkeit gemessene Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität verwendet?

Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität wird normalerweise mit Zentimeter pro Sekunde[cm/s] für Geschwindigkeit gemessen. Meter pro Sekunde[cm/s], Meter pro Minute[cm/s], Meter pro Stunde[cm/s] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität gemessen werden kann.

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Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität Formel

Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität Beispiel

Strom im Inversionskanal des PMOS bei gegebener Mobilität Lösung

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