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Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt Formel

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Der Sättigungsdrainstrom unterhalb der Schwellenspannung wird als Unterschwellenstrom definiert und variiert exponentiell mit der Gate-Source-Spannung. Überprüfen Sie FAQs

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V ov)}^{2}

I_ds - Sättigungsstrom?k'_n - Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten?W_c - Breite des Kanals?L - Länge des Kanals?V_ov - Übersteuerungsspannung im NMOS?

Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt Beispiel

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Mit Einheiten

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So sieht die Gleichung Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt aus:.

239.7013 = \frac{1}{2} \cdot 2 \cdot \frac{10}{3} \cdot {(8.48)}^{2}

239.7013mA = \frac{1}{2} \cdot 2mS \cdot \frac{10μm}{3μm} \cdot {(8.48V)}^{2}

239.7013 = \frac{1}{2} \cdot 2 \cdot \frac{10}{3} \cdot {(8.48)}^{2}

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Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

I ds = \frac{1}{2} \cdot k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot {(V ov)}^{2}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

I ds = \frac{1}{2} \cdot 2mS \cdot \frac{10μm}{3μm} \cdot {(8.48V)}^{2}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

I ds = \frac{1}{2} \cdot 0.002S \cdot \frac{1E-5m}{3E-6m} \cdot {(8.48V)}^{2}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

I ds = \frac{1}{2} \cdot 0.002 \cdot \frac{1E-5}{3E-6} \cdot {(8.48)}^{2}

Nächster Schritt Auswerten

∴

I ds = 0.239701333333333A

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

I ds = 239.701333333333mA

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

I ds = 239.7013mA

Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt Formel Elemente

Variablen

Sättigungsstrom

Der Sättigungsdrainstrom unterhalb der Schwellenspannung wird als Unterschwellenstrom definiert und variiert exponentiell mit der Gate-Source-Spannung.

Symbol: I_ds

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Sättigungsstrom

Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten

Der Process Transconductance Parameter in NMOS (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.

Symbol: k'_n

Messung: Elektrische LeitfähigkeitEinheit: mS

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten

Breite des Kanals

Die Kanalbreite bezieht sich auf die Bandbreite, die für die Übertragung von Daten innerhalb eines Kommunikationskanals zur Verfügung steht.

Symbol: W_c

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Breite des Kanals

Länge des Kanals

Die Länge des Kanals kann als Abstand zwischen seinem Anfangs- und seinem Endpunkt definiert werden und kann je nach Zweck und Standort stark variieren.

Symbol: L

Messung: LängeEinheit: μm

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Länge des Kanals

Übersteuerungsspannung im NMOS

Übersteuerungsspannung bezieht sich in NMOS typischerweise auf die an ein Gerät oder eine Komponente angelegte Spannung, die ihre normale Betriebsspannung überschreitet.

Symbol: V_ov

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Übersteuerungsspannung im NMOS

Andere Formeln in der Kategorie N-Kanal-Verbesserung

ge Elektronendriftgeschwindigkeit des Kanals im NMOS-Transistor

v d = μ n \cdot E L

ge NMOS als linearer Widerstand

r DS = \frac{L}{μ n \cdot C ox \cdot W c \cdot (V gs - V T)}

ge Stromeintritt in den Drain-Anschluss des NMOS bei gegebener Gate-Source-Spannung

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {V ds}^{2})

ge Stromeintritt in Drain-Source im Triodenbereich von NMOS

I d = k' n \cdot \frac{W c}{L} \cdot ((V gs - V T) \cdot V ds - \frac{1}{2} \cdot {(V ds)}^{2})

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Wie wird Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt ausgewertet?

Der Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt-Evaluator verwendet Saturation Drain Current = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Übersteuerungsspannung im NMOS)^2, um Sättigungsstrom, Strom, der am Sättigungsbereich des NMOS in die Drain-Source eintritt, nimmt bei gegebener effektiver Spannung des Drain-Stroms zunächst linear mit der angelegten Drain-Source-Spannung zu, erreicht dann aber den Maximalwert. Eine am Drain-Ende des Gates angeordnete Verarmungsschicht nimmt eine zusätzliche Drain-zu-Source-Spannung auf. Dieses Verhalten wird als Drainstromsättigung bezeichnet auszuwerten. Sättigungsstrom wird durch das Symbol I_ds gekennzeichnet.

Wie wird Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt zu verwenden, geben Sie Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten (k'_n), Breite des Kanals (W_c), Länge des Kanals (L) & Übersteuerungsspannung im NMOS (V_ov) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt

Wie lautet die Formel zum Finden von Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt?

Die Formel von Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt wird als Saturation Drain Current = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Übersteuerungsspannung im NMOS)^2 ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 239701.3 = 1/2*0.002*1E-05/3E-06*(8.48)^2.

Wie berechnet man Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt?

Mit Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten (k'_n), Breite des Kanals (W_c), Länge des Kanals (L) & Übersteuerungsspannung im NMOS (V_ov) können wir Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt mithilfe der Formel - Saturation Drain Current = 1/2*Transkonduktanzparameter in NMOS verarbeiten*Breite des Kanals/Länge des Kanals*(Übersteuerungsspannung im NMOS)^2 finden.

Kann Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt negativ sein?

NEIN, der in Elektrischer Strom gemessene Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt verwendet?

Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt wird normalerweise mit Milliampere[mA] für Elektrischer Strom gemessen. Ampere[mA], Mikroampere[mA], Centiampere[mA] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Strom, der im Sättigungsbereich des NMOS bei gegebener Effektivspannung in Drain-Source eintritt gemessen werden kann.

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