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Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers Formel

geTranskonduktanz im Common-Source-Verstärker Formel

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Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung. Überprüfen Sie FAQs

g mp = \frac{i c}{V t}

g_mp - MOSFET-Primärtranskonduktanz?i_c - Kollektorstrom?V_t - Grenzspannung?

Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers aus:.

19.76 = \frac{39.52}{2}

19.76mS = \frac{39.52mA}{2V}

19.76 = \frac{39.52}{2}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

g mp = \frac{i c}{V t}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

g mp = \frac{39.52mA}{2V}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

g mp = \frac{0.0395A}{2V}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

g mp = \frac{0.0395}{2}

Nächster Schritt Auswerten

∴

g mp = 0.01976S

Letzter Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

g mp = 19.76mS

Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers Formel Elemente

Variablen

MOSFET-Primärtranskonduktanz

Die primäre Transkonduktanz des MOSFET ist die Änderung des Drain-Stroms geteilt durch die kleine Änderung der Gate/Source-Spannung bei konstanter Drain/Source-Spannung.

Symbol: g_mp

Messung: SteilheitEinheit: mS

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von MOSFET-Primärtranskonduktanz

Kollektorstrom

Der Kollektorstrom ist ein verstärkter Ausgangsstrom eines Bipolartransistors.

Symbol: i_c

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Kollektorstrom

Grenzspannung

Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die erforderlich ist, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen herzustellen.

Symbol: V_t

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Grenzspannung

Andere Formeln zum Finden von MOSFET-Primärtranskonduktanz

ge Transkonduktanz im Common-Source-Verstärker

g mp = f ug \cdot (C gs + C gd)

Andere Formeln in der Kategorie Eigenschaften des Transistorverstärkers

ge Emitterstrom des Verstärkers in Basisschaltung

i e = \frac{V in}{R e}

ge Grundspannung im Common-Emitter-Verstärker

V fc = R in \cdot i b

ge Eingangsimpedanz des Common-Base-Verstärkers

Z in = {(\frac{1}{R e} + \frac{1}{R sm})}^{- 1}

ge Eingangswiderstand des Verstärkers mit gemeinsamem Emitter

R in = {(\frac{1}{R b} + \frac{1}{R b2} + \frac{1}{R sm})}^{- 1}

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Wie wird Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers ausgewertet?

Der Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers-Evaluator verwendet MOSFET Primary Transconductance = Kollektorstrom/Grenzspannung, um MOSFET-Primärtranskonduktanz, Die Transkonduktanz unter Verwendung des Kollektorstroms eines Transistorverstärkers ist die Änderung des Drain-Stroms dividiert durch die kleine Änderung der Gate-/Source-Spannung bei konstanter Drain-/Source-Spannung auszuwerten. MOSFET-Primärtranskonduktanz wird durch das Symbol g_mp gekennzeichnet.

Wie wird Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers zu verwenden, geben Sie Kollektorstrom (i_c) & Grenzspannung (V_t) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers

Wie lautet die Formel zum Finden von Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers?

Die Formel von Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers wird als MOSFET Primary Transconductance = Kollektorstrom/Grenzspannung ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 19760 = 0.03952/2.

Wie berechnet man Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers?

Mit Kollektorstrom (i_c) & Grenzspannung (V_t) können wir Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers mithilfe der Formel - MOSFET Primary Transconductance = Kollektorstrom/Grenzspannung finden.

Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von MOSFET-Primärtranskonduktanz?

Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von MOSFET-Primärtranskonduktanz-

MOSFET Primary Transconductance=Unity Gain Frequency*(Gate to Source Capacitance+Capacitance Gate to Drain)

Kann Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers negativ sein?

NEIN, der in Steilheit gemessene Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers verwendet?

Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers wird normalerweise mit Millisiemens[mS] für Steilheit gemessen. Siemens[mS] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Steilheit unter Verwendung des Kollektorstroms des Transistorverstärkers gemessen werden kann.

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Variable Name

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