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Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung Formel

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Die Null-Vorspannungs-Übergangskapazität bezieht sich auf das eingebaute Potenzial eines Halbleiterübergangs, wenn keine externe Spannung (Vorspannung) an ihn angelegt wird. Überprüfen Sie FAQs

C j0 = \sqrt{\frac{ε si \cdot [Charge-e]}{2} \cdot (\frac{N A \cdot N D}{N A + N D}) \cdot \frac{1}{Φ o}}

C_j0 - Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung?ε_si - Permitivität von Silizium?N_A - Dopingkonzentration des Akzeptors?N_D - Dopingkonzentration des Spenders?Φ_o - Eingebautes Verbindungspotential?[Charge-e] - Ladung eines Elektrons?

Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung aus:.

6.6E-7 = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19}{2} \cdot (\frac{1.32 \cdot 3.01}{1.32 + 3.01}) \cdot \frac{1}{2}}

6.6E-7F = \sqrt{\frac{11.7F/m \cdot 1.6E-19C}{2} \cdot (\frac{1.32electrons/cm³ \cdot 3.01electrons/cm³}{1.32electrons/cm³ + 3.01electrons/cm³}) \cdot \frac{1}{2V}}

6.6E-7 = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19}{2} \cdot (\frac{1.32 \cdot 3.01}{1.32 + 3.01}) \cdot \frac{1}{2}}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

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Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

C j0 = \sqrt{\frac{ε si \cdot [Charge-e]}{2} \cdot (\frac{N A \cdot N D}{N A + N D}) \cdot \frac{1}{Φ o}}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

C j0 = \sqrt{\frac{11.7F/m \cdot [Charge-e]}{2} \cdot (\frac{1.32electrons/cm³ \cdot 3.01electrons/cm³}{1.32electrons/cm³ + 3.01electrons/cm³}) \cdot \frac{1}{2V}}

Nächster Schritt Ersatzwerte für Konstanten

∴

C j0 = \sqrt{\frac{11.7F/m \cdot 1.6E-19C}{2} \cdot (\frac{1.32electrons/cm³ \cdot 3.01electrons/cm³}{1.32electrons/cm³ + 3.01electrons/cm³}) \cdot \frac{1}{2V}}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

C j0 = \sqrt{\frac{11.7F/m \cdot 1.6E-19C}{2} \cdot (\frac{1.3E+6electrons/m³ \cdot 3E+6electrons/m³}{1.3E+6electrons/m³ + 3E+6electrons/m³}) \cdot \frac{1}{2V}}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

C j0 = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19}{2} \cdot (\frac{1.3E+6 \cdot 3E+6}{1.3E+6 + 3E+6}) \cdot \frac{1}{2}}

Nächster Schritt Auswerten

∴

C j0 = 6.55759204749238E-07F

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

C j0 = 6.6E-7F

Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung Formel Elemente

Variablen

Konstanten

Funktionen

Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung

Die Null-Vorspannungs-Übergangskapazität bezieht sich auf das eingebaute Potenzial eines Halbleiterübergangs, wenn keine externe Spannung (Vorspannung) an ihn angelegt wird.

Symbol: C_j0

Messung: KapazitätEinheit: F

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung

Permitivität von Silizium

Die Permitivität von Silizium ist eine Materialeigenschaft, die beschreibt, wie ein Material auf ein elektrisches Feld reagiert.

Symbol: ε_si

Messung: PermittivitätEinheit: F/m

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Permitivität von Silizium

Dopingkonzentration des Akzeptors

Die Dotierungskonzentration des Akzeptors bezieht sich auf die Konzentration der Akzeptoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.

Symbol: N_A

Messung: ElektronendichteEinheit: electrons/cm³

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Dopingkonzentration des Akzeptors

Dopingkonzentration des Spenders

Die Dotierungskonzentration des Donors bezieht sich auf die Konzentration der Donoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.

Symbol: N_D

Messung: ElektronendichteEinheit: electrons/cm³

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Dopingkonzentration des Spenders

Eingebautes Verbindungspotential

Das eingebaute Verbindungspotential bezieht sich auf die Potenzialdifferenz oder Spannung, die an einem Halbleiterübergang anliegt, wenn dieser nicht an eine externe Spannungsquelle angeschlossen ist.

Symbol: Φ_o

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Eingebautes Verbindungspotential

Ladung eines Elektrons

Die Ladung eines Elektrons ist eine grundlegende physikalische Konstante, die die elektrische Ladung eines Elektrons darstellt, bei dem es sich um ein Elementarteilchen mit einer negativen elektrischen Ladung handelt.

Symbol: [Charge-e]

Wert: 1.60217662E-19 C

sqrt

Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt.

Syntax: sqrt(Number)

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ge Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung

C j0sw = \sqrt{\frac{[Permitivity-silicon] \cdot [Charge-e]}{2} \cdot (\frac{N A(sw) \cdot N D}{N A(sw) + N D}) \cdot \frac{1}{Φ osw}}

Wie wird Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung ausgewertet?

Der Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung-Evaluator verwendet Zero Bias Junction Capacitance = sqrt((Permitivität von Silizium*[Charge-e])/2*((Dopingkonzentration des Akzeptors*Dopingkonzentration des Spenders)/(Dopingkonzentration des Akzeptors+Dopingkonzentration des Spenders))*1/Eingebautes Verbindungspotential), um Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung, Die Formel für die Zero-Bias-Junction-Kapazität ist definiert als das eingebaute Potential eines Halbleiterübergangs, wenn keine externe Spannung (Bias) an ihn angelegt wird auszuwerten. Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung wird durch das Symbol C_j0 gekennzeichnet.

Wie wird Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung zu verwenden, geben Sie Permitivität von Silizium (ε_si), Dopingkonzentration des Akzeptors (N_A), Dopingkonzentration des Spenders (N_D) & Eingebautes Verbindungspotential (Φ_o) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung

Wie lautet die Formel zum Finden von Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung?

Die Formel von Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung wird als Zero Bias Junction Capacitance = sqrt((Permitivität von Silizium*[Charge-e])/2*((Dopingkonzentration des Akzeptors*Dopingkonzentration des Spenders)/(Dopingkonzentration des Akzeptors+Dopingkonzentration des Spenders))*1/Eingebautes Verbindungspotential) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 6.6E-7 = sqrt((11.7*[Charge-e])/2*((1320000*3010000)/(1320000+3010000))*1/2).

Wie berechnet man Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung?

Mit Permitivität von Silizium (ε_si), Dopingkonzentration des Akzeptors (N_A), Dopingkonzentration des Spenders (N_D) & Eingebautes Verbindungspotential (Φ_o) können wir Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung mithilfe der Formel - Zero Bias Junction Capacitance = sqrt((Permitivität von Silizium*[Charge-e])/2*((Dopingkonzentration des Akzeptors*Dopingkonzentration des Spenders)/(Dopingkonzentration des Akzeptors+Dopingkonzentration des Spenders))*1/Eingebautes Verbindungspotential) finden. Diese Formel verwendet auch die Funktion(en) Ladung eines Elektrons Konstante(n) und Quadratwurzel (sqrt).

Kann Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung negativ sein?

NEIN, der in Kapazität gemessene Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung verwendet?

Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung wird normalerweise mit Farad[F] für Kapazität gemessen. Kilofarad[F], Millifarad[F], Mikrofarad[F] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung gemessen werden kann.

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