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Sperrschichtkapazität der Fotodiode Formel

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Die Sperrschichtkapazität ist die Kapazität, die dem Verarmungsbereich eines Halbleiterbauelements wie einer Diode oder eines Transistors zugeordnet ist. Überprüfen Sie FAQs

C j = ε r \cdot \frac{A j}{w}

C_j - Sperrschichtkapazität?ε_r - Permittivität von Halbleitern?A_j - Kreuzungsbereich?w - Breite der Verarmungsschicht?

Sperrschichtkapazität der Fotodiode Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Sperrschichtkapazität der Fotodiode aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Sperrschichtkapazität der Fotodiode aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Sperrschichtkapazität der Fotodiode aus:.

11.18 = 11.7 \cdot \frac{8.6}{9}

11.18F = 11.7F/m \cdot \frac{8.6m²}{9m}

11.18 = 11.7 \cdot \frac{8.6}{9}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Sperrschichtkapazität der Fotodiode Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Sperrschichtkapazität der Fotodiode?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

C j = ε r \cdot \frac{A j}{w}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

C j = 11.7F/m \cdot \frac{8.6m²}{9m}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

C j = 11.7 \cdot \frac{8.6}{9}

Letzter Schritt Auswerten

∴

C j = 11.18F

Sperrschichtkapazität der Fotodiode Formel Elemente

Variablen

Sperrschichtkapazität

Die Sperrschichtkapazität ist die Kapazität, die dem Verarmungsbereich eines Halbleiterbauelements wie einer Diode oder eines Transistors zugeordnet ist.

Symbol: C_j

Messung: KapazitätEinheit: F

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Sperrschichtkapazität

Permittivität von Halbleitern

Die Permittivität eines Halbleiters bezieht sich auf seine Fähigkeit, ein elektrisches Feld zuzulassen. Es handelt sich um eine Materialeigenschaft, die charakterisiert, wie der Halbleiter auf ein elektrisches Feld reagiert.

Symbol: ε_r

Messung: PermittivitätEinheit: F/m

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Permittivität von Halbleitern

Kreuzungsbereich

Die Übergangsfläche ist die Querschnittsfläche der Verarmungsregion, normalerweise senkrecht zur Richtung des Stromflusses.

Symbol: A_j

Messung: BereichEinheit: m²

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Kreuzungsbereich

Breite der Verarmungsschicht

Die Breite der Verarmungsschicht ist die Entfernung über den Bereich in der Nähe des pn-Übergangs, in dem mobile Ladungsträger (Elektronen und Löcher) erheblich abgereichert oder entfernt wurden.

Symbol: w

Messung: LängeEinheit: m

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Breite der Verarmungsschicht

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ge Dunkles Stromrauschen

i d = 2 \cdot B \cdot [Charge-e] \cdot I d

ge Lastwiderstand

R L = \frac{1}{2 \cdot π \cdot B \cdot C}

ge Rauschäquivalente Leistung

NEP = [hP] \cdot [c] \cdot \frac{\sqrt{2 \cdot e \cdot I d}}{η \cdot e \cdot λ}

ge Optische Verstärkung des Fototransistors

G O = η \cdot h FE

Mehr sehen OpenImg

Wie wird Sperrschichtkapazität der Fotodiode ausgewertet?

Der Sperrschichtkapazität der Fotodiode-Evaluator verwendet Junction Capacitance = Permittivität von Halbleitern*Kreuzungsbereich/Breite der Verarmungsschicht, um Sperrschichtkapazität, Die Sperrschichtkapazität einer Fotodiode ist das Maß für die Fähigkeit der Sperrschicht eines Halbleiterbauelements, beispielsweise einer Diode oder eines Transistors, elektrische Ladung zu speichern. Es entsteht durch die Verarmungszone, die sich innerhalb des Halbleiters aufgrund der unterschiedlichen Ladungsträgerkonzentrationen auf beiden Seiten des Übergangs bildet auszuwerten. Sperrschichtkapazität wird durch das Symbol C_j gekennzeichnet.

Wie wird Sperrschichtkapazität der Fotodiode mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Sperrschichtkapazität der Fotodiode zu verwenden, geben Sie Permittivität von Halbleitern (ε_r), Kreuzungsbereich (A_j) & Breite der Verarmungsschicht (w) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Sperrschichtkapazität der Fotodiode

Wie lautet die Formel zum Finden von Sperrschichtkapazität der Fotodiode?

Die Formel von Sperrschichtkapazität der Fotodiode wird als Junction Capacitance = Permittivität von Halbleitern*Kreuzungsbereich/Breite der Verarmungsschicht ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 11.18 = 11.7*8.6/9.

Wie berechnet man Sperrschichtkapazität der Fotodiode?

Mit Permittivität von Halbleitern (ε_r), Kreuzungsbereich (A_j) & Breite der Verarmungsschicht (w) können wir Sperrschichtkapazität der Fotodiode mithilfe der Formel - Junction Capacitance = Permittivität von Halbleitern*Kreuzungsbereich/Breite der Verarmungsschicht finden.

Kann Sperrschichtkapazität der Fotodiode negativ sein?

NEIN, der in Kapazität gemessene Sperrschichtkapazität der Fotodiode kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Sperrschichtkapazität der Fotodiode verwendet?

Sperrschichtkapazität der Fotodiode wird normalerweise mit Farad[F] für Kapazität gemessen. Kilofarad[F], Millifarad[F], Mikrofarad[F] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Sperrschichtkapazität der Fotodiode gemessen werden kann.

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