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Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET Formel

geEndlicher Widerstand zwischen Drain und Source Formel

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Ein endlicher Widerstand bedeutet einfach, dass der Widerstand in einem Stromkreis nicht unendlich oder Null ist. Mit anderen Worten: Der Stromkreis weist einen gewissen Widerstand auf, der das Verhalten des Stromkreises beeinflussen kann. Überprüfen Sie FAQs

R fi = \frac{V eff}{i d}

R_fi - Endlicher Widerstand?V_eff - Effektive Spannung?i_d - Stromverbrauch?

Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET aus:.

21.25 = \frac{1.7}{0.08}

21.25kΩ = \frac{1.7V}{0.08mA}

21.25 = \frac{1.7}{0.08}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

R fi = \frac{V eff}{i d}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

R fi = \frac{1.7V}{0.08mA}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

R fi = \frac{1.7V}{8E-5A}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

R fi = \frac{1.7}{8E-5}

Nächster Schritt Auswerten

∴

R fi = 21250Ω

Letzter Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

R fi = 21.25kΩ

Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET Formel Elemente

Variablen

Endlicher Widerstand

Symbol: R_fi

Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: kΩ

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Endlicher Widerstand

Effektive Spannung

Die effektive Spannung in einem MOSFET (Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor) ist die Spannung, die das Verhalten des Geräts bestimmt. Sie wird auch als Gate-Source-Spannung bezeichnet.

Symbol: V_eff

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Effektive Spannung

Stromverbrauch

Der Drain-Strom ist der Strom, der zwischen den Drain- und Source-Anschlüssen eines Feldeffekttransistors (FET) fließt, einem Transistortyp, der üblicherweise in elektronischen Schaltkreisen verwendet wird.

Symbol: i_d

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Stromverbrauch

Andere Formeln zum Finden von Endlicher Widerstand

ge Endlicher Widerstand zwischen Drain und Source

R fi = mod \underset{̲}{u} s \frac{V a}{i d}

Andere Formeln in der Kategorie Widerstand

ge MOSFET als linearer Widerstand bei gegebenem Seitenverhältnis

R ds = \frac{L}{μ s \cdot C ox \cdot W c \cdot V eff}

ge Mittlerer freier Elektronenweg

λ = \frac{1}{R out \cdot i d}

ge Ausgangswiderstand entleeren

R out = \frac{1}{λ \cdot i d}

ge MOSFET als linearer Widerstand

R ds = \frac{1}{G}

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Wie wird Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET ausgewertet?

Der Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET-Evaluator verwendet Finite Resistance = Effektive Spannung/Stromverbrauch, um Endlicher Widerstand, Der spannungsabhängige Widerstand im MOSFET bezieht sich auf die Widerstandsänderung des Geräts als Funktion der Spannung auszuwerten. Endlicher Widerstand wird durch das Symbol R_fi gekennzeichnet.

Wie wird Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET zu verwenden, geben Sie Effektive Spannung (V_eff) & Stromverbrauch (i_d) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET

Wie lautet die Formel zum Finden von Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET?

Die Formel von Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET wird als Finite Resistance = Effektive Spannung/Stromverbrauch ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 0.02125 = 1.7/8E-05.

Wie berechnet man Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET?

Mit Effektive Spannung (V_eff) & Stromverbrauch (i_d) können wir Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET mithilfe der Formel - Finite Resistance = Effektive Spannung/Stromverbrauch finden.

Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Endlicher Widerstand?

Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Endlicher Widerstand-

Finite Resistance=modulus(Positive DC Voltage)/Drain Current

Kann Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET negativ sein?

NEIN, der in Elektrischer Widerstand gemessene Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET verwendet?

Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET wird normalerweise mit Kiloohm[kΩ] für Elektrischer Widerstand gemessen. Ohm[kΩ], Megahm[kΩ], Mikroohm[kΩ] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET gemessen werden kann.

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Spannungsabhängiger Widerstand im MOSFET Formel

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