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Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand Formel

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Der Spannungsabfall bei eingeschalteter Stufe (IGBT) ist die Spannungsdifferenz zwischen den Kollektor- und Emitteranschlüssen, wenn der IGBT eingeschaltet ist. Es handelt sich um Halbleitermaterial im Gerät. Überprüfen Sie FAQs

V ON(igbt) = i f(igbt) \cdot R ch(igbt) + i f(igbt) \cdot R d(igbt) + V j1(igbt)

V_ON(igbt) - Spannungsabfall EIN-Stufe (IGBT)?i_f(igbt) - Durchlassstrom (IGBT)?R_ch(igbt) - N-Kanal-Widerstand (IGBT)?R_d(igbt) - Driftfestigkeit (IGBT)?V_j1(igbt) - Spannung Pn-Übergang 1 (IGBT)?

Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand aus:.

20.2533 = 1.69 \cdot 10.59 + 1.69 \cdot 0.98 + 0.7

20.2533V = 1.69mA \cdot 10.59kΩ + 1.69mA \cdot 0.98kΩ + 0.7V

20.2533 = 1.69 \cdot 10.59 + 1.69 \cdot 0.98 + 0.7

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

V ON(igbt) = i f(igbt) \cdot R ch(igbt) + i f(igbt) \cdot R d(igbt) + V j1(igbt)

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

V ON(igbt) = 1.69mA \cdot 10.59kΩ + 1.69mA \cdot 0.98kΩ + 0.7V

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

V ON(igbt) = 0.0017A \cdot 10590Ω + 0.0017A \cdot 980Ω + 0.7V

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

V ON(igbt) = 0.0017 \cdot 10590 + 0.0017 \cdot 980 + 0.7

Letzter Schritt Auswerten

∴

V ON(igbt) = 20.2533V

Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand Formel Elemente

Variablen

Spannungsabfall EIN-Stufe (IGBT)

Symbol: V_ON(igbt)

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Spannungsabfall EIN-Stufe (IGBT)

Durchlassstrom (IGBT)

Der Durchlassstrom (IGBT) ist der maximale Strom, der durch das Gerät fließen kann, wenn es eingeschaltet ist.

Symbol: i_f(igbt)

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Durchlassstrom (IGBT)

N-Kanal-Widerstand (IGBT)

Der N-Kanal-Widerstand (IGBT) ist der Widerstand des Halbleitermaterials im Gerät, wenn der IGBT eingeschaltet ist.

Symbol: R_ch(igbt)

Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: kΩ

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von N-Kanal-Widerstand (IGBT)

Driftfestigkeit (IGBT)

Drift Resistance (IGBT) ist der N-Driftbereich des Halbleitermaterials im Gerät. Der N-Driftbereich ist ein dickes dotiertes Silizium, das den Kollektor vom P-Basisbereich trennt.

Symbol: R_d(igbt)

Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: kΩ

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Driftfestigkeit (IGBT)

Spannung Pn-Übergang 1 (IGBT)

Die Spannung an Pn-Übergang 1 (IGBT) wird durch die Potentialbarriere verursacht, die an dem Übergang besteht. Diese Potentialbarriere entsteht durch die Diffusion von Ladungsträgern über den Übergang.

Symbol: V_j1(igbt)

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Spannung Pn-Übergang 1 (IGBT)

Andere Formeln in der Kategorie IGBT

ge IGBT-Ausschaltzeit

T off(igbt) = T dl(igbt) + t f1(igbt) + t f2(igbt)

ge Emitterstrom des IGBT

I e(igbt) = I h(igbt) + i e(igbt)

ge Eingangskapazität des IGBT

C in(igbt) = C (g-e)(igbt) + C (g-c)(igbt)

ge Nomineller kontinuierlicher Kollektorstrom des IGBT

i f(igbt) = \frac{- V ce(igbt) + \sqrt{{(V ce(igbt))}^{2} + 4 \cdot R ce(igbt) \cdot (\frac{T jmax(igbt) - T c(igbt)}{R th(jc)(igbt)})}}{2 \cdot R ce(igbt)}

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Wie wird Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand ausgewertet?

Der Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand-Evaluator verwendet Voltage Drop ON Stage (IGBT) = Durchlassstrom (IGBT)*N-Kanal-Widerstand (IGBT)+Durchlassstrom (IGBT)*Driftfestigkeit (IGBT)+Spannung Pn-Übergang 1 (IGBT), um Spannungsabfall EIN-Stufe (IGBT), Der Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand wird durch den Widerstand des Halbleitermaterials im Gerät sowie durch den Widerstand der Bonddrähte und anderer interner Verbindungen verursacht. Der Spannungsabfall im eingeschalteten Zustand eines IGBT kann durch die Verwendung eines größeren Geräts mit einem geringeren Widerstand im eingeschalteten Zustand verringert werden. Eine andere Möglichkeit, den Spannungsabfall zu verringern, besteht darin, den durch das Gerät fließenden Strom zu reduzieren auszuwerten. Spannungsabfall EIN-Stufe (IGBT) wird durch das Symbol V_ON(igbt) gekennzeichnet.

Wie wird Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand zu verwenden, geben Sie Durchlassstrom (IGBT) (i_f(igbt)), N-Kanal-Widerstand (IGBT) (R_ch(igbt)), Driftfestigkeit (IGBT) (R_d(igbt)) & Spannung Pn-Übergang 1 (IGBT) (V_j1(igbt)) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand

Wie lautet die Formel zum Finden von Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand?

Die Formel von Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand wird als Voltage Drop ON Stage (IGBT) = Durchlassstrom (IGBT)*N-Kanal-Widerstand (IGBT)+Durchlassstrom (IGBT)*Driftfestigkeit (IGBT)+Spannung Pn-Übergang 1 (IGBT) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 18.59876 = 0.00169*10590+0.00169*0.98+0.7.

Wie berechnet man Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand?

Mit Durchlassstrom (IGBT) (i_f(igbt)), N-Kanal-Widerstand (IGBT) (R_ch(igbt)), Driftfestigkeit (IGBT) (R_d(igbt)) & Spannung Pn-Übergang 1 (IGBT) (V_j1(igbt)) können wir Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand mithilfe der Formel - Voltage Drop ON Stage (IGBT) = Durchlassstrom (IGBT)*N-Kanal-Widerstand (IGBT)+Durchlassstrom (IGBT)*Driftfestigkeit (IGBT)+Spannung Pn-Übergang 1 (IGBT) finden.

Kann Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand negativ sein?

NEIN, der in Elektrisches Potenzial gemessene Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand verwendet?

Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand gemessen werden kann.

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