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Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung Formel

geSpannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei differentieller Eingangsspannung bei gegebener Overdrive-Spannung Formel

geSpannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom Formel

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Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird. Überprüfen Sie FAQs

V gs = V th + \sqrt{\frac{2 \cdot I b}{k' n \cdot WL}}

V_gs - Gate-Source-Spannung?V_th - Grenzspannung?I_b - DC-Vorstrom?k'_n - Transkonduktanzparameter verarbeiten?WL - Seitenverhältnis?

Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung aus:.

5.3628 = 2.3 + \sqrt{\frac{2 \cdot 985}{2.1 \cdot 0.1}}

5.3628V = 2.3V + \sqrt{\frac{2 \cdot 985mA}{2.1A/V² \cdot 0.1}}

5.3628 = 2.3 + \sqrt{\frac{2 \cdot 985}{2.1 \cdot 0.1}}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

V gs = V th + \sqrt{\frac{2 \cdot I b}{k' n \cdot WL}}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

V gs = 2.3V + \sqrt{\frac{2 \cdot 985mA}{2.1A/V² \cdot 0.1}}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

V gs = 2.3V + \sqrt{\frac{2 \cdot 0.985A}{2.1A/V² \cdot 0.1}}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

V gs = 2.3 + \sqrt{\frac{2 \cdot 0.985}{2.1 \cdot 0.1}}

Nächster Schritt Auswerten

∴

V gs = 5.36283404397829V

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

V gs = 5.3628V

Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung Formel Elemente

Variablen

Funktionen

Gate-Source-Spannung

Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.

Symbol: V_gs

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Gate-Source-Spannung

Grenzspannung

Die Schwellenspannung, auch bekannt als Gate-Schwellenspannung oder einfach Vth, ist ein kritischer Parameter beim Betrieb von Feldeffekttransistoren, die grundlegende Komponenten in der modernen Elektronik sind.

Symbol: V_th

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Grenzspannung

DC-Vorstrom

Der DC-Vorspannungsstrom ist der konstante Strom, der durch einen Schaltkreis oder ein Gerät fließt, um einen bestimmten Arbeitspunkt oder Vorspannungspunkt festzulegen.

Symbol: I_b

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von DC-Vorstrom

Transkonduktanzparameter verarbeiten

Der Process Transconductance Parameter (PTM) ist ein Parameter, der bei der Modellierung von Halbleiterbauelementen verwendet wird, um die Leistung eines Transistors zu charakterisieren.

Symbol: k'_n

Messung: SteilheitsparameterEinheit: A/V²

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Transkonduktanzparameter verarbeiten

Seitenverhältnis

Das Seitenverhältnis ist definiert als das Verhältnis der Breite des Transistorkanals zu seiner Länge. Es ist das Verhältnis der Breite des Tores zum Abstand zwischen der Quelle

Symbol: WL

Messung: NAEinheit: Unitless

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Seitenverhältnis

sqrt

Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt.

Syntax: sqrt(Number)

Andere Formeln zum Finden von Gate-Source-Spannung

ge Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei differentieller Eingangsspannung bei gegebener Overdrive-Spannung

V gs = V th + 1.4 \cdot V eff

ge Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom

V gs = \frac{I in}{ω \cdot (C sg + C gd)}

Andere Formeln in der Kategorie Stromspannung

ge Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET

v o1 = - (R out \cdot I t)

ge Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET

v o2 = - (R out \cdot I t)

ge Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET bei Gleichtaktsignal

v o1 = - R out \cdot \frac{g m \cdot V cin}{1 + (2 \cdot g m \cdot R out)}

ge Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET bei Gleichtaktsignal

v o2 = - (\frac{R out}{(\frac{1}{g m}) + 2 \cdot R out}) \cdot V cin

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Wie wird Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung ausgewertet?

Der Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung-Evaluator verwendet Gate-Source Voltage = Grenzspannung+sqrt((2*DC-Vorstrom)/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis)), um Gate-Source-Spannung, Die Formel für die Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET beim Betrieb mit differentieller Eingangsspannung ist definiert als die Spannung, die über den Gate-Source-Anschluss des Transistors fällt. Das bedeutet, dass sie durch Verbinden ihrer Anschlüsse mit einem Stromkreis normalerweise Strom über den Drain zur Source leiten, ohne dass Spannung an der Basis anliegt auszuwerten. Gate-Source-Spannung wird durch das Symbol V_gs gekennzeichnet.

Wie wird Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung zu verwenden, geben Sie Grenzspannung (V_th), DC-Vorstrom (I_b), Transkonduktanzparameter verarbeiten (k'_n) & Seitenverhältnis (WL) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung

Wie lautet die Formel zum Finden von Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung?

Die Formel von Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung wird als Gate-Source Voltage = Grenzspannung+sqrt((2*DC-Vorstrom)/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis)) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 5.362834 = 2.3+sqrt((2*0.985)/(2.1*0.1)).

Wie berechnet man Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung?

Mit Grenzspannung (V_th), DC-Vorstrom (I_b), Transkonduktanzparameter verarbeiten (k'_n) & Seitenverhältnis (WL) können wir Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung mithilfe der Formel - Gate-Source Voltage = Grenzspannung+sqrt((2*DC-Vorstrom)/(Transkonduktanzparameter verarbeiten*Seitenverhältnis)) finden. Diese Formel verwendet auch Quadratwurzel (sqrt) Funktion(en).

Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Gate-Source-Spannung?

Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Gate-Source-Spannung-

Gate-Source Voltage=Threshold Voltage+1.4*Effective Voltage
Gate-Source Voltage=Input Current/(Angular Frequency*(Source Gate Capacitance+Gate-Drain Capacitance))

Kann Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung negativ sein?

NEIN, der in Elektrisches Potenzial gemessene Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung verwendet?

Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung gemessen werden kann.

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