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Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom Formel

geSpannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung Formel

geSpannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei differentieller Eingangsspannung bei gegebener Overdrive-Spannung Formel

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Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird. Überprüfen Sie FAQs

V gs = \frac{I in}{ω \cdot (C sg + C gd)}

V_gs - Gate-Source-Spannung?I_in - Eingangsstrom?ω - Winkelfrequenz?C_sg - Source-Gate-Kapazität?C_gd - Gate-Drain-Kapazität?

Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom aus:.

3.9978 = \frac{2}{33 \cdot (8.16 + 7)}

3.9978V = \frac{2mA}{33rad/s \cdot (8.16μF + 7μF)}

3.9978 = \frac{2}{33 \cdot (8.16 + 7)}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

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Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

V gs = \frac{I in}{ω \cdot (C sg + C gd)}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

V gs = \frac{2mA}{33rad/s \cdot (8.16μF + 7μF)}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

V gs = \frac{0.002A}{33rad/s \cdot (8.2E-6F + 7E-6F)}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

V gs = \frac{0.002}{33 \cdot (8.2E-6 + 7E-6)}

Nächster Schritt Auswerten

∴

V gs = 3.99776125369793V

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

V gs = 3.9978V

Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom Formel Elemente

Variablen

Gate-Source-Spannung

Die Gate-Source-Spannung ist ein kritischer Parameter, der den Betrieb eines FET beeinflusst und häufig zur Steuerung des Geräteverhaltens verwendet wird.

Symbol: V_gs

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Gate-Source-Spannung

Eingangsstrom

Eingangsstrom kann sich auf den elektrischen Strom beziehen, der in ein elektrisches Gerät oder einen Stromkreis fließt. Dieser Strom kann je nach Gerät und Stromquelle Wechsel- oder Gleichstrom sein.

Symbol: I_in

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Eingangsstrom

Winkelfrequenz

Die Winkelfrequenz einer Welle bezieht sich auf die Winkelverschiebung pro Zeiteinheit. Es ist ein skalares Maß für die Rotationsgeschwindigkeit.

Symbol: ω

Messung: WinkelfrequenzEinheit: rad/s

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Winkelfrequenz

Source-Gate-Kapazität

Die Source-Gate-Kapazität ist ein Maß für die Kapazität zwischen den Source- und Gate-Elektroden in einem Feldeffekttransistor (FET).

Symbol: C_sg

Messung: KapazitätEinheit: μF

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Source-Gate-Kapazität

Gate-Drain-Kapazität

Die Gate-Drain-Kapazität ist eine parasitäre Kapazität, die zwischen den Gate- und Drain-Elektroden eines Feldeffekttransistors (FET) besteht.

Symbol: C_gd

Messung: KapazitätEinheit: μF

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Gate-Drain-Kapazität

Andere Formeln zum Finden von Gate-Source-Spannung

ge Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei Betrieb mit differentieller Eingangsspannung

V gs = V th + \sqrt{\frac{2 \cdot I b}{k' n \cdot WL}}

ge Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei differentieller Eingangsspannung bei gegebener Overdrive-Spannung

V gs = V th + 1.4 \cdot V eff

Andere Formeln in der Kategorie Stromspannung

ge Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET

v o1 = - (R out \cdot I t)

ge Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET

v o2 = - (R out \cdot I t)

ge Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET bei Gleichtaktsignal

v o1 = - R out \cdot \frac{g m \cdot V cin}{1 + (2 \cdot g m \cdot R out)}

ge Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET bei Gleichtaktsignal

v o2 = - (\frac{R out}{(\frac{1}{g m}) + 2 \cdot R out}) \cdot V cin

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Wie wird Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom ausgewertet?

Der Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom-Evaluator verwendet Gate-Source Voltage = Eingangsstrom/(Winkelfrequenz*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität)), um Gate-Source-Spannung, Die Spannung zwischen Gate und Source des MOSFET bei gegebener Eingangsstromformel ist definiert als die Spannung zwischen Gate und Source, die benötigt wird, um den MOSFET einzuschalten. mit anderen Worten, wenn sie mindestens so hoch wie die Schwellenspannung ist, schaltet der MOSFET ein auszuwerten. Gate-Source-Spannung wird durch das Symbol V_gs gekennzeichnet.

Wie wird Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom zu verwenden, geben Sie Eingangsstrom (I_in), Winkelfrequenz (ω), Source-Gate-Kapazität (C_sg) & Gate-Drain-Kapazität (C_gd) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom

Wie lautet die Formel zum Finden von Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom?

Die Formel von Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom wird als Gate-Source Voltage = Eingangsstrom/(Winkelfrequenz*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität)) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 3.997761 = 0.002/(33*(8.16E-06+7E-06)).

Wie berechnet man Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom?

Mit Eingangsstrom (I_in), Winkelfrequenz (ω), Source-Gate-Kapazität (C_sg) & Gate-Drain-Kapazität (C_gd) können wir Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom mithilfe der Formel - Gate-Source Voltage = Eingangsstrom/(Winkelfrequenz*(Source-Gate-Kapazität+Gate-Drain-Kapazität)) finden.

Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Gate-Source-Spannung?

Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Gate-Source-Spannung-

Gate-Source Voltage=Threshold Voltage+sqrt((2*DC Bias Current)/(Process Transconductance Parameter*Aspect Ratio))
Gate-Source Voltage=Threshold Voltage+1.4*Effective Voltage

Kann Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom negativ sein?

NEIN, der in Elektrisches Potenzial gemessene Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom verwendet?

Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Spannung über Gate und Source des MOSFET bei gegebenem Eingangsstrom gemessen werden kann.

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