Fx Kopieren
LaTeX Kopieren
Die Kollektor-Emitter-Spannung ist das elektrische Potential zwischen Basis- und Kollektorgebiet eines Transistors. Überprüfen Sie FAQs
VCE=VDD-RLIsateVBEVth
VCE - Kollektor-Emitter-Spannung?VDD - Versorgungsspannung?RL - Lastwiderstand?Isat - Sättigungsstrom?VBE - Basis-Emitter-Spannung?Vth - Grenzspannung?

Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers Beispiel

Mit Werten
Mit Einheiten
Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers aus:.

-14.5896Edit=2.5Edit-4Edit1.675Edite5.15Edit5.5Edit
Sie sind hier -
HomeIcon Heim » Category Maschinenbau » Category Elektronik » Category Analoge Elektronik » fx Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers

Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel
VCE=VDD-RLIsateVBEVth
Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen
VCE=2.5V-41.675mAe5.15V5.5V
Nächster Schritt Einheiten umrechnen
VCE=2.5V-4000Ω0.0017Ae5.15V5.5V
Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor
VCE=2.5-40000.0017e5.155.5
Nächster Schritt Auswerten
VCE=-14.5896183099314V
Letzter Schritt Rundungsantwort
VCE=-14.5896V

Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers Formel Elemente

Variablen
Kollektor-Emitter-Spannung
Die Kollektor-Emitter-Spannung ist das elektrische Potential zwischen Basis- und Kollektorgebiet eines Transistors.
Symbol: VCE
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Versorgungsspannung
Die Versorgungsspannung ist die Eingangsspannungsquelle, die durch den BJT fließt.
Symbol: VDD
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Lastwiderstand
Lastwiderstand ist der externe Widerstand oder die Impedanz, die mit dem Ausgang einer Schaltung oder eines Geräts verbunden ist, und wird verwendet, um Strom oder Signale aus der Schaltung zu extrahieren.
Symbol: RL
Messung: Elektrischer WiderstandEinheit:
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Sättigungsstrom
Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.
Symbol: Isat
Messung: Elektrischer StromEinheit: mA
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.
Basis-Emitter-Spannung
Die Basis-Emitter-Spannung ist die Durchlassspannung zwischen der Basis und dem Emitter des Transistors.
Symbol: VBE
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.
Grenzspannung
Die Schwellenspannung des Transistors ist die minimale Gate-Source-Spannung, die benötigt wird, um einen leitenden Pfad zwischen den Source- und Drain-Anschlüssen zu schaffen.
Symbol: Vth
Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V
Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Andere Formeln zum Finden von Kollektor-Emitter-Spannung

​ge Kollektor-Emitter-Spannung bei Sättigung
VCE=VBE-VBC

Andere Formeln in der Kategorie Stromspannung

​ge Gesamte momentane Gate-zu-Source-Spannung
Vgs=Vss+Vox
​ge Einzelne Komponente der Drain-Spannung
VDS=(-ΔIDRL)
​ge Einzelne Komponente der Drain-Spannung bei gegebener Transkonduktanz
VDS=-GmVinRL
​ge Spannung zwischen Gate und Source
Vgs=Vin1+GmR

Wie wird Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers ausgewertet?

Der Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers-Evaluator verwendet Collector-Emitter Voltage = Versorgungsspannung-Lastwiderstand*Sättigungsstrom*e^(Basis-Emitter-Spannung/Grenzspannung), um Kollektor-Emitter-Spannung, Die Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers V auszuwerten. Kollektor-Emitter-Spannung wird durch das Symbol VCE gekennzeichnet.

Wie wird Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers zu verwenden, geben Sie Versorgungsspannung (VDD), Lastwiderstand (RL), Sättigungsstrom (Isat), Basis-Emitter-Spannung (VBE) & Grenzspannung (Vth) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers

Wie lautet die Formel zum Finden von Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers?
Die Formel von Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers wird als Collector-Emitter Voltage = Versorgungsspannung-Lastwiderstand*Sättigungsstrom*e^(Basis-Emitter-Spannung/Grenzspannung) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: -14.589618 = 2.5-4000*0.001675*e^(5.15/5.5).
Wie berechnet man Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers?
Mit Versorgungsspannung (VDD), Lastwiderstand (RL), Sättigungsstrom (Isat), Basis-Emitter-Spannung (VBE) & Grenzspannung (Vth) können wir Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers mithilfe der Formel - Collector-Emitter Voltage = Versorgungsspannung-Lastwiderstand*Sättigungsstrom*e^(Basis-Emitter-Spannung/Grenzspannung) finden.
Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Kollektor-Emitter-Spannung?
Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Kollektor-Emitter-Spannung-
  • Collector-Emitter Voltage=Base-Emitter Voltage-Base-Collector VoltageOpenImg
Kann Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers negativ sein?
Ja, der in Elektrisches Potenzial gemessene Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers kann dürfen negativ sein.
Welche Einheit wird zum Messen von Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers verwendet?
Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Spannung am Kollektor-Emitter des BJT-Verstärkers gemessen werden kann.
Copied!