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Spannung am Drain Q1 des MOSFET Formel

geSpannung am Drain Q2 im MOSFET Formel

geGemeinsame Gate-Ausgangsspannung Formel

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Die Ausgangsspannung ist die elektrische Potentialdifferenz, die von einer Stromversorgung an eine Last geliefert wird, und sie spielt eine entscheidende Rolle bei der Bestimmung der Leistung und Zuverlässigkeit elektronischer Systeme. Überprüfen Sie FAQs

V out = - (\frac{R tl}{2 \cdot R out}) \cdot V cin

V_out - Ausgangsspannung?R_tl - Gesamtlastwiderstand des MOSFET?R_out - Ausgangswiderstand?V_cin - Gleichtakt-Eingangssignal?

Spannung am Drain Q1 des MOSFET Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Spannung am Drain Q1 des MOSFET aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Spannung am Drain Q1 des MOSFET aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Spannung am Drain Q1 des MOSFET aus:.

-73.4067 = - (\frac{7.8}{2 \cdot 4.5}) \cdot 84.7

-73.4067V = - (\frac{7.8kΩ}{2 \cdot 4.5kΩ}) \cdot 84.7V

-73.4067 = - (\frac{7.8}{2 \cdot 4.5}) \cdot 84.7

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Spannung am Drain Q1 des MOSFET Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Spannung am Drain Q1 des MOSFET?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

V out = - (\frac{R tl}{2 \cdot R out}) \cdot V cin

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

V out = - (\frac{7.8kΩ}{2 \cdot 4.5kΩ}) \cdot 84.7V

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

V out = - (\frac{7800Ω}{2 \cdot 4500Ω}) \cdot 84.7V

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

V out = - (\frac{7800}{2 \cdot 4500}) \cdot 84.7

Nächster Schritt Auswerten

∴

V out = -73.4066666666667V

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

V out = -73.4067V

Spannung am Drain Q1 des MOSFET Formel Elemente

Variablen

Ausgangsspannung

Symbol: V_out

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Ausgangsspannung

Gesamtlastwiderstand des MOSFET

Der Gesamtlastwiderstand des MOSFET umfasst sowohl den intrinsischen Drain-Source-Widerstand des MOSFET als auch den externen Lastwiderstand, der mit dem Drain-Anschluss verbunden ist.

Symbol: R_tl

Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: kΩ

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Gesamtlastwiderstand des MOSFET

Ausgangswiderstand

Der Ausgangswiderstand bezieht sich auf den Widerstand einer elektronischen Schaltung gegenüber dem Stromfluss, wenn eine Last an ihren Ausgang angeschlossen ist.

Symbol: R_out

Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: kΩ

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Ausgangswiderstand

Gleichtakt-Eingangssignal

Ein Gleichtakt-Eingangssignal ist eine Art elektrisches Signal, das an beiden Eingangsanschlüssen eines Differenzverstärkers gleichermaßen auftritt.

Symbol: V_cin

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Gleichtakt-Eingangssignal

Andere Formeln zum Finden von Ausgangsspannung

ge Spannung am Drain Q2 im MOSFET

V out = - (\frac{R tl}{2 \cdot R out}) \cdot V cin

ge Gemeinsame Gate-Ausgangsspannung

V out = - (g m \cdot V c) \cdot (\frac{R L \cdot R gate}{R gate + R L})

Andere Formeln in der Kategorie Stromspannung

ge Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET

v o1 = - (R out \cdot I t)

ge Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET

v o2 = - (R out \cdot I t)

ge Ausgangsspannung am Drain Q1 des MOSFET bei Gleichtaktsignal

v o1 = - R out \cdot \frac{g m \cdot V cin}{1 + (2 \cdot g m \cdot R out)}

ge Ausgangsspannung am Drain Q2 des MOSFET bei Gleichtaktsignal

v o2 = - (\frac{R out}{(\frac{1}{g m}) + 2 \cdot R out}) \cdot V cin

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Wie wird Spannung am Drain Q1 des MOSFET ausgewertet?

Der Spannung am Drain Q1 des MOSFET-Evaluator verwendet Output Voltage = -(Gesamtlastwiderstand des MOSFET/(2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal, um Ausgangsspannung, Die Spannung am Drain Q1 der MOSFET-Formel ist definiert als die Drain-Source-Spannung, bei der bei der angegebenen Temperatur und bei einer Gate-Source-Spannung von Null nicht mehr als der angegebene Drain-Strom fließt auszuwerten. Ausgangsspannung wird durch das Symbol V_out gekennzeichnet.

Wie wird Spannung am Drain Q1 des MOSFET mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Spannung am Drain Q1 des MOSFET zu verwenden, geben Sie Gesamtlastwiderstand des MOSFET (R_tl), Ausgangswiderstand (R_out) & Gleichtakt-Eingangssignal (V_cin) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Spannung am Drain Q1 des MOSFET

Wie lautet die Formel zum Finden von Spannung am Drain Q1 des MOSFET?

Die Formel von Spannung am Drain Q1 des MOSFET wird als Output Voltage = -(Gesamtlastwiderstand des MOSFET/(2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: -73.406667 = -(7800/(2*4500))*84.7.

Wie berechnet man Spannung am Drain Q1 des MOSFET?

Mit Gesamtlastwiderstand des MOSFET (R_tl), Ausgangswiderstand (R_out) & Gleichtakt-Eingangssignal (V_cin) können wir Spannung am Drain Q1 des MOSFET mithilfe der Formel - Output Voltage = -(Gesamtlastwiderstand des MOSFET/(2*Ausgangswiderstand))*Gleichtakt-Eingangssignal finden.

Welche anderen Möglichkeiten gibt es zum Berechnen von Ausgangsspannung?

Hier sind die verschiedenen Möglichkeiten zum Berechnen von Ausgangsspannung-

Output Voltage=-(Total Load Resistance of MOSFET/(2*Output Resistance))*Common Mode Input Signal
Output Voltage=-(Transconductance*Critical Voltage)*((Load Resistance*Gate Resistance)/(Gate Resistance+Load Resistance))

Kann Spannung am Drain Q1 des MOSFET negativ sein?

Ja, der in Elektrisches Potenzial gemessene Spannung am Drain Q1 des MOSFET kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Spannung am Drain Q1 des MOSFET verwendet?

Spannung am Drain Q1 des MOSFET wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Spannung am Drain Q1 des MOSFET gemessen werden kann.

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