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Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung Formel

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Das Zero Bias Sidewall Junction Potential ist das eingebaute Potential im Seitenwandübergang bestimmter Transistorstrukturen. Überprüfen Sie FAQs

C j0sw = \sqrt{\frac{[Permitivity-silicon] \cdot [Charge-e]}{2} \cdot (\frac{N A(sw) \cdot N D}{N A(sw) + N D}) \cdot \frac{1}{Φ osw}}

C_j0sw - Null-Bias-Seitenwandübergangspotential?N_A(sw) - Seitenwand-Dotierungsdichte?N_D - Dopingkonzentration des Spenders?Φ_osw - Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen?[Permitivity-silicon] - Permittivität von Silizium?[Charge-e] - Ladung eines Elektrons?

Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung aus:.

1E-7 = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19}{2} \cdot (\frac{0.35 \cdot 3.01}{0.35 + 3.01}) \cdot \frac{1}{3.2E-5}}

1E-7F = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19C}{2} \cdot (\frac{0.35electrons/m³ \cdot 3.01electrons/cm³}{0.35electrons/m³ + 3.01electrons/cm³}) \cdot \frac{1}{3.2E-5V}}

1E-7 = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19}{2} \cdot (\frac{0.35 \cdot 3.01}{0.35 + 3.01}) \cdot \frac{1}{3.2E-5}}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

C j0sw = \sqrt{\frac{[Permitivity-silicon] \cdot [Charge-e]}{2} \cdot (\frac{N A(sw) \cdot N D}{N A(sw) + N D}) \cdot \frac{1}{Φ osw}}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

C j0sw = \sqrt{\frac{[Permitivity-silicon] \cdot [Charge-e]}{2} \cdot (\frac{0.35electrons/m³ \cdot 3.01electrons/cm³}{0.35electrons/m³ + 3.01electrons/cm³}) \cdot \frac{1}{3.2E-5V}}

Nächster Schritt Ersatzwerte für Konstanten

∴

C j0sw = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19C}{2} \cdot (\frac{0.35electrons/m³ \cdot 3.01electrons/cm³}{0.35electrons/m³ + 3.01electrons/cm³}) \cdot \frac{1}{3.2E-5V}}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

C j0sw = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19C}{2} \cdot (\frac{0.35electrons/m³ \cdot 3E+6electrons/m³}{0.35electrons/m³ + 3E+6electrons/m³}) \cdot \frac{1}{3.2E-5V}}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

C j0sw = \sqrt{\frac{11.7 \cdot 1.6E-19}{2} \cdot (\frac{0.35 \cdot 3E+6}{0.35 + 3E+6}) \cdot \frac{1}{3.2E-5}}

Nächster Schritt Auswerten

∴

C j0sw = 1.01249324812588E-07F

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

C j0sw = 1E-7F

Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung Formel Elemente

Variablen

Konstanten

Funktionen

Null-Bias-Seitenwandübergangspotential

Das Zero Bias Sidewall Junction Potential ist das eingebaute Potential im Seitenwandübergang bestimmter Transistorstrukturen.

Symbol: C_j0sw

Messung: KapazitätEinheit: F

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Null-Bias-Seitenwandübergangspotential

Seitenwand-Dotierungsdichte

Die Seitenwand-Dotierungsdichte bezieht sich auf die Konzentration von Dotierstoffatomen entlang der Seitenwände der Transistorstruktur.

Symbol: N_A(sw)

Messung: ElektronendichteEinheit: electrons/m³

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Seitenwand-Dotierungsdichte

Dopingkonzentration des Spenders

Die Dotierungskonzentration des Donors bezieht sich auf die Konzentration der Donoratome, die einem Halbleitermaterial absichtlich hinzugefügt werden.

Symbol: N_D

Messung: ElektronendichteEinheit: electrons/cm³

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Dopingkonzentration des Spenders

Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen

Das eingebaute Potenzial von Seitenwandübergängen bezieht sich auf den Übergang, der entlang der vertikalen oder Seitenwandoberflächen der Transistorstruktur gebildet wird.

Symbol: Φ_osw

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen

Permittivität von Silizium

Die Permittivität von Silizium misst seine Fähigkeit, elektrische Energie in einem elektrischen Feld zu speichern, was in der Halbleitertechnologie von entscheidender Bedeutung ist.

Symbol: [Permitivity-silicon]

Wert: 11.7

Ladung eines Elektrons

Die Ladung eines Elektrons ist eine grundlegende physikalische Konstante, die die elektrische Ladung eines Elektrons darstellt, bei dem es sich um ein Elementarteilchen mit einer negativen elektrischen Ladung handelt.

Symbol: [Charge-e]

Wert: 1.60217662E-19 C

sqrt

Eine Quadratwurzelfunktion ist eine Funktion, die eine nicht negative Zahl als Eingabe verwendet und die Quadratwurzel der gegebenen Eingabezahl zurückgibt.

Syntax: sqrt(Number)

Andere Formeln in der Kategorie MOSFET-Verstärker

ge Sperrschichtkapazität ohne Vorspannung

C j0 = \sqrt{\frac{ε si \cdot [Charge-e]}{2} \cdot (\frac{N A \cdot N D}{N A + N D}) \cdot \frac{1}{Φ o}}

Wie wird Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung ausgewertet?

Der Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung-Evaluator verwendet Zero Bias Sidewall Junction Potential = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Seitenwand-Dotierungsdichte*Dopingkonzentration des Spenders)/(Seitenwand-Dotierungsdichte+Dopingkonzentration des Spenders))*1/Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen), um Null-Bias-Seitenwandübergangspotential, Die Zero Bias Sidewall Junction Capacitance-Formel ist definiert als das eingebaute Potenzial im Seitenwandübergang bestimmter Transistorstrukturen auszuwerten. Null-Bias-Seitenwandübergangspotential wird durch das Symbol C_j0sw gekennzeichnet.

Wie wird Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung zu verwenden, geben Sie Seitenwand-Dotierungsdichte (N_A(sw)), Dopingkonzentration des Spenders (N_D) & Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen (Φ_osw) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung

Wie lautet die Formel zum Finden von Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung?

Die Formel von Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung wird als Zero Bias Sidewall Junction Potential = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Seitenwand-Dotierungsdichte*Dopingkonzentration des Spenders)/(Seitenwand-Dotierungsdichte+Dopingkonzentration des Spenders))*1/Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 4.6E-10 = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((0.35*3010000)/(0.35+3010000))*1/3.2E-05).

Wie berechnet man Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung?

Mit Seitenwand-Dotierungsdichte (N_A(sw)), Dopingkonzentration des Spenders (N_D) & Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen (Φ_osw) können wir Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung mithilfe der Formel - Zero Bias Sidewall Junction Potential = sqrt(([Permitivity-silicon]*[Charge-e])/2*((Seitenwand-Dotierungsdichte*Dopingkonzentration des Spenders)/(Seitenwand-Dotierungsdichte+Dopingkonzentration des Spenders))*1/Eingebautes Potenzial von Seitenwandverbindungen) finden. Diese Formel verwendet auch die Funktion(en) Permittivität von Silizium, Ladung eines Elektrons Konstante(n) und Quadratwurzel (sqrt).

Kann Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung negativ sein?

NEIN, der in Kapazität gemessene Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung verwendet?

Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung wird normalerweise mit Farad[F] für Kapazität gemessen. Kilofarad[F], Millifarad[F], Mikrofarad[F] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Seitenwandübergangskapazität ohne Vorspannung gemessen werden kann.

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