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Sättigungszeit Formel

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Die Sättigungszeit ist die Zeit, die die Ausgangsspannung eines MOSFET benötigt, um einen bestimmten Wert (V) zu erreichen Überprüfen Sie FAQs

T sat = - 2 \cdot \frac{C load}{k n \cdot {(V OH - V T)}^{2}} \cdot \int (1, x, V OH, V OH - V T)

T_sat - Sättigungszeit?C_load - Ladekapazität?k_n - Transkonduktanz-Prozessparameter?V_OH - Hohe Ausgangsspannung?V_T - Grenzspannung?

Sättigungszeit Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Sättigungszeit aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Sättigungszeit aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Sättigungszeit aus:.

5.6381 = - 2 \cdot \frac{9.77}{4.553 \cdot {(3.789 - 5.91)}^{2}} \cdot \int (1, x, 3.789, 3.789 - 5.91)

5.6381s = - 2 \cdot \frac{9.77F}{4.553A/V² \cdot {(3.789V - 5.91V)}^{2}} \cdot \int (1, x, 3.789V, 3.789V - 5.91V)

5.6381 = - 2 \cdot \frac{9.77}{4.553 \cdot {(3.789 - 5.91)}^{2}} \cdot \int (1, x, 3.789, 3.789 - 5.91)

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Sättigungszeit Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Sättigungszeit?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

T sat = - 2 \cdot \frac{C load}{k n \cdot {(V OH - V T)}^{2}} \cdot \int (1, x, V OH, V OH - V T)

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

T sat = - 2 \cdot \frac{9.77F}{4.553A/V² \cdot {(3.789V - 5.91V)}^{2}} \cdot \int (1, x, 3.789V, 3.789V - 5.91V)

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

T sat = - 2 \cdot \frac{9.77}{4.553 \cdot {(3.789 - 5.91)}^{2}} \cdot \int (1, x, 3.789, 3.789 - 5.91)

Nächster Schritt Auswerten

∴

T sat = 5.63810361511811s

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

T sat = 5.6381s

Sättigungszeit Formel Elemente

Variablen

Funktionen

Sättigungszeit

Die Sättigungszeit ist die Zeit, die die Ausgangsspannung eines MOSFET benötigt, um einen bestimmten Wert (V) zu erreichen

Symbol: T_sat

Messung: ZeitEinheit: s

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Sättigungszeit

Ladekapazität

Die Lastkapazität ist die Gesamtkapazität, die mit dem Ausgangsanschluss des Transistors verbunden ist, einschließlich externer Komponenten und der eigenen parasitären Kapazität des MOSFET.

Symbol: C_load

Messung: KapazitätEinheit: F

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Ladekapazität

Transkonduktanz-Prozessparameter

Der Transkonduktanz-Prozessparameter ist eine gerätespezifische Konstante, die die Fähigkeit des Transistors charakterisiert, eine Änderung der Gate-Spannung in eine Änderung des Ausgangsstroms umzuwandeln.

Symbol: k_n

Messung: SteilheitsparameterEinheit: A/V²

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Transkonduktanz-Prozessparameter

Hohe Ausgangsspannung

Die hohe Ausgangsspannung ist der maximale Spannungspegel, den der Transistor an seinem Ausgangsanschluss erreichen kann, wenn er vollständig eingeschaltet ist (im Sättigungsbetrieb).

Symbol: V_OH

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Hohe Ausgangsspannung

Grenzspannung

Die Schwellenspannung ist die minimale Gate-Source-Spannung, die in einem MOSFET erforderlich ist, um ihn „einzuschalten“ und einen signifikanten Stromfluss zu ermöglichen.

Symbol: V_T

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Grenzspannung

int

Mit dem bestimmten Integral kann die Nettofläche mit Vorzeichen berechnet werden. Dabei handelt es sich um die Fläche oberhalb der x-Achse abzüglich der Fläche unterhalb der x-Achse.

Syntax: int(expr, arg, from, to)

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Wie wird Sättigungszeit ausgewertet?

Der Sättigungszeit-Evaluator verwendet Saturation Time = -2*Ladekapazität/(Transkonduktanz-Prozessparameter*(Hohe Ausgangsspannung-Grenzspannung)^2)*int(1,x,Hohe Ausgangsspannung,Hohe Ausgangsspannung-Grenzspannung), um Sättigungszeit, Die Formel für die Sättigungszeit ist definiert als die Zeit, die die Ausgangsspannung eines MOSFET benötigt, um einen bestimmten Wert (V) zu erreichen auszuwerten. Sättigungszeit wird durch das Symbol T_sat gekennzeichnet.

Wie wird Sättigungszeit mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Sättigungszeit zu verwenden, geben Sie Ladekapazität (C_load), Transkonduktanz-Prozessparameter (k_n), Hohe Ausgangsspannung (V_OH) & Grenzspannung (V_T) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Sättigungszeit

Wie lautet die Formel zum Finden von Sättigungszeit?

Die Formel von Sättigungszeit wird als Saturation Time = -2*Ladekapazität/(Transkonduktanz-Prozessparameter*(Hohe Ausgangsspannung-Grenzspannung)^2)*int(1,x,Hohe Ausgangsspannung,Hohe Ausgangsspannung-Grenzspannung) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 5.638104 = -2*9.77/(4.553*(3.789-5.91)^2)*int(1,x,3.789,3.789-5.91).

Wie berechnet man Sättigungszeit?

Mit Ladekapazität (C_load), Transkonduktanz-Prozessparameter (k_n), Hohe Ausgangsspannung (V_OH) & Grenzspannung (V_T) können wir Sättigungszeit mithilfe der Formel - Saturation Time = -2*Ladekapazität/(Transkonduktanz-Prozessparameter*(Hohe Ausgangsspannung-Grenzspannung)^2)*int(1,x,Hohe Ausgangsspannung,Hohe Ausgangsspannung-Grenzspannung) finden. Diese Formel verwendet auch Bestimmtes Integral (int) Funktion(en).

Kann Sättigungszeit negativ sein?

Ja, der in Zeit gemessene Sättigungszeit kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Sättigungszeit verwendet?

Sättigungszeit wird normalerweise mit Zweite[s] für Zeit gemessen. Millisekunde[s], Mikrosekunde[s], Nanosekunde[s] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Sättigungszeit gemessen werden kann.

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