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Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration Formel

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Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet. Überprüfen Sie FAQs

I sat = \frac{A E \cdot [Charge-e] \cdot D n \cdot {(n i1)}^{2}}{W base \cdot N B}

I_sat - Sättigungsstrom?A_E - Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs?D_n - Elektronendiffusivität?n_i1 - Intrinsische Trägerkonzentration?W_base - Breite der Basisverbindung?N_B - Dopingkonzentration der Base?[Charge-e] - Ladung eines Elektrons?

Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration aus:.

2.7E-12 = \frac{8 \cdot 1.6E-19 \cdot 0.8 \cdot {(100000)}^{2}}{0.002 \cdot 19}

2.7E-12mA = \frac{8cm² \cdot 1.6E-19C \cdot 0.8cm²/s \cdot {(1000001/m³)}^{2}}{0.002m \cdot 191/m³}

2.7E-12 = \frac{8 \cdot 1.6E-19 \cdot 0.8 \cdot {(100000)}^{2}}{0.002 \cdot 19}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

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Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

I sat = \frac{A E \cdot [Charge-e] \cdot D n \cdot {(n i1)}^{2}}{W base \cdot N B}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

I sat = \frac{8cm² \cdot [Charge-e] \cdot 0.8cm²/s \cdot {(1000001/m³)}^{2}}{0.002m \cdot 191/m³}

Nächster Schritt Ersatzwerte für Konstanten

∴

I sat = \frac{8cm² \cdot 1.6E-19C \cdot 0.8cm²/s \cdot {(1000001/m³)}^{2}}{0.002m \cdot 191/m³}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

I sat = \frac{0.0008m² \cdot 1.6E-19C \cdot 8E-5m²/s \cdot {(1000001/m³)}^{2}}{0.002m \cdot 191/m³}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

I sat = \frac{0.0008 \cdot 1.6E-19 \cdot 8E-5 \cdot {(100000)}^{2}}{0.002 \cdot 19}

Nächster Schritt Auswerten

∴

I sat = 2.69840272842105E-15A

Nächster Schritt In Ausgabeeinheit umrechnen

∴

I sat = 2.69840272842105E-12mA

Letzter Schritt Rundungsantwort

∴

I sat = 2.7E-12mA

Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration Formel Elemente

Variablen

Konstanten

Sättigungsstrom

Der Sättigungsstrom ist die Leckstromdichte der Diode in Abwesenheit von Licht. Es ist ein wichtiger Parameter, der eine Diode von einer anderen unterscheidet.

Symbol: I_sat

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Sättigungsstrom

Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs

Die Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs ist die Breite in der Richtung senkrecht zur Seite.

Symbol: A_E

Messung: BereichEinheit: cm²

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs

Elektronendiffusivität

Elektronendiffusion ist der Diffusionsstrom ist ein Strom in einem Halbleiter, der durch die Diffusion von Ladungsträgern (Löchern und/oder Elektronen) verursacht wird.

Symbol: D_n

Messung: DiffusivitätEinheit: cm²/s

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Elektronendiffusivität

Intrinsische Trägerkonzentration

Die intrinsische Ladungsträgerkonzentration ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband in intrinsischem Material.

Symbol: n_i1

Messung: TrägerkonzentrationEinheit: 1/m³

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Intrinsische Trägerkonzentration

Breite der Basisverbindung

Die Breite des Basisübergangs ist der Parameter, der angibt, wie breit der Basisübergang eines beliebigen analogen Elektronikelements ist.

Symbol: W_base

Messung: LängeEinheit: m

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Breite der Basisverbindung

Dopingkonzentration der Base

Die Dotierungskonzentration der Base ist die Anzahl der Verunreinigungen, die der Base hinzugefügt werden.

Symbol: N_B

Messung: TrägerkonzentrationEinheit: 1/m³

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Dopingkonzentration der Base

Ladung eines Elektrons

Die Ladung eines Elektrons ist eine grundlegende physikalische Konstante, die die elektrische Ladung eines Elektrons darstellt, bei dem es sich um ein Elementarteilchen mit einer negativen elektrischen Ladung handelt.

Symbol: [Charge-e]

Wert: 1.60217662E-19 C

Andere Formeln in der Kategorie Basisstrom

ge Basisstrom 1 von BJT

I B = \frac{I c}{β}

ge Basisstrom 2 von BJT

I B = (\frac{I sat}{β}) \cdot (e^{\frac{V BE}{V t}})

ge Basisstrom unter Verwendung des Sättigungsstroms in DC

I B = (\frac{I sat}{β}) \cdot e^{\frac{V BC}{V t}} + e s \cdot e^{\frac{V BC}{V t}}

ge Entladen Sie den aktuellen Geräteparameter

I d = \frac{1}{2} \cdot G m \cdot WL \cdot {(V ov - V th)}^{2} \cdot (1 + V A \cdot V DS)

Mehr sehen OpenImg

Wie wird Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration ausgewertet?

Der Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration-Evaluator verwendet Saturation Current = (Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs*[Charge-e]*Elektronendiffusivität*(Intrinsische Trägerkonzentration)^2)/(Breite der Basisverbindung*Dopingkonzentration der Base), um Sättigungsstrom, Der Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration ist der Punkt, an dem eine weitere Erhöhung des Basisstroms nicht zu einer entsprechenden Erhöhung des Kollektorstroms führt auszuwerten. Sättigungsstrom wird durch das Symbol I_sat gekennzeichnet.

Wie wird Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration zu verwenden, geben Sie Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs (A_E), Elektronendiffusivität (D_n), Intrinsische Trägerkonzentration (n_i1), Breite der Basisverbindung (W_base) & Dopingkonzentration der Base (N_B) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration

Wie lautet die Formel zum Finden von Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration?

Die Formel von Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration wird als Saturation Current = (Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs*[Charge-e]*Elektronendiffusivität*(Intrinsische Trägerkonzentration)^2)/(Breite der Basisverbindung*Dopingkonzentration der Base) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 2.7E-9 = (0.0008*[Charge-e]*8E-05*(100000)^2)/(0.002*19).

Wie berechnet man Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration?

Mit Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs (A_E), Elektronendiffusivität (D_n), Intrinsische Trägerkonzentration (n_i1), Breite der Basisverbindung (W_base) & Dopingkonzentration der Base (N_B) können wir Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration mithilfe der Formel - Saturation Current = (Querschnittsfläche des Basis-Emitter-Übergangs*[Charge-e]*Elektronendiffusivität*(Intrinsische Trägerkonzentration)^2)/(Breite der Basisverbindung*Dopingkonzentration der Base) finden. Diese Formel verwendet auch Ladung eines Elektrons Konstante(n).

Kann Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration negativ sein?

NEIN, der in Elektrischer Strom gemessene Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration verwendet?

Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration wird normalerweise mit Milliampere[mA] für Elektrischer Strom gemessen. Ampere[mA], Mikroampere[mA], Centiampere[mA] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Sättigungsstrom unter Verwendung der Dotierungskonzentration gemessen werden kann.

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