FormulaDen.com

Physik Chemie Mathe Chemieingenieurwesen Bürgerlich Elektrisch Elektronik Elektronik und Instrumentierung Materialwissenschaften Mechanisch Fertigungstechnik Finanz Gesundheit

Sättigungsstrom im Transistor Formel

Fx Kopieren

LaTeX Kopieren

Der Sättigungsstrom bezieht sich auf den maximalen Strom, der durch den Transistor fließen kann, wenn er vollständig eingeschaltet ist. Überprüfen Sie FAQs

I sat = \frac{q \cdot A \cdot D n \cdot {n i}^{2}}{Q b}

I_sat - Sättigungsstrom?q - Aufladung?A - Emitterbasis-Verbindungsbereich?D_n - Effektive Verbreitung?n_i - Intrinsische Konzentration?Q_b - Totale Unreinheit?

Sättigungsstrom im Transistor Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Sättigungsstrom im Transistor aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Sättigungsstrom im Transistor aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Sättigungsstrom im Transistor aus:.

2.1175 = \frac{5 \cdot 1.75 \cdot 0.5 \cdot {1.32}^{2}}{3.6E+9}

2.1175A = \frac{5mC \cdot 1.75cm² \cdot 0.5 \cdot {1.321/cm³}^{2}}{3.6E+9cm²}

2.1175 = \frac{5 \cdot 1.75 \cdot 0.5 \cdot {1.32}^{2}}{3.6E+9}

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

Lösung

Kopieren

Aktie

Sie sind hier -

HomeIcon

Heim » Category

Category

Maschinenbau » Category

Category

Elektronik » Category

Category

Integrierte Schaltkreise (IC) » fx Sättigungsstrom im Transistor

Sättigungsstrom im Transistor Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Sättigungsstrom im Transistor?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

I sat = \frac{q \cdot A \cdot D n \cdot {n i}^{2}}{Q b}

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

I sat = \frac{5mC \cdot 1.75cm² \cdot 0.5 \cdot {1.321/cm³}^{2}}{3.6E+9cm²}

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

I sat = \frac{0.005C \cdot 0.0002m² \cdot 0.5 \cdot {1.3E+61/m³}^{2}}{360000m²}

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

I sat = \frac{0.005 \cdot 0.0002 \cdot 0.5 \cdot {1.3E+6}^{2}}{360000}

Letzter Schritt Auswerten

∴

I sat = 2.1175A

Sättigungsstrom im Transistor Formel Elemente

Variablen

Sättigungsstrom

Der Sättigungsstrom bezieht sich auf den maximalen Strom, der durch den Transistor fließen kann, wenn er vollständig eingeschaltet ist.

Symbol: I_sat

Messung: Elektrischer StromEinheit: A

Notiz: Der Wert kann positiv oder negativ sein.

Formeln zum Finden von Sättigungsstrom

Open Variable

Aufladung

Ladung ist eine Eigenschaft einer Materieeinheit, die ausdrückt, inwieweit sie mehr oder weniger Elektronen als Protonen aufweist.

Symbol: q

Messung: Elektrische LadungEinheit: mC

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Aufladung

Open Variable

Emitterbasis-Verbindungsbereich

Der Emitter-Basis-Übergangsbereich ist ein PN-Übergang, der zwischen dem stark dotierten P-Typ-Material (Emitter) und dem schwach dotierten N-Typ-Material (Basis) des Transistors gebildet wird.

Symbol: A

Messung: BereichEinheit: cm²

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Emitterbasis-Verbindungsbereich

Open Variable

Effektive Verbreitung

Die effektive Diffusion ist ein Parameter im Zusammenhang mit dem Diffusionsprozess von Ladungsträgern und wird von den Materialeigenschaften und der Geometrie des Halbleiterübergangs beeinflusst.

Symbol: D_n

Messung: NAEinheit: Unitless

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Effektive Verbreitung

Open Variable

Intrinsische Konzentration

Die intrinsische Konzentration ist die Anzahl der Elektronen im Leitungsband oder die Anzahl der Löcher im Valenzband im intrinsischen Material.

Symbol: n_i

Messung: TrägerkonzentrationEinheit: 1/cm³

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Intrinsische Konzentration

Open Variable

Totale Unreinheit

Die Gesamtverunreinigung definiert die Verunreinigungen, die in Atomen pro Flächeneinheit in einer Basis gemischt sind, oder die Menge der zu einem intrinsischen Halbleiter hinzugefügten Verunreinigung variiert dessen Leitfähigkeitsniveau.

Symbol: Q_b

Messung: BereichEinheit: cm²

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Totale Unreinheit

Open Variable

Andere Formeln in der Kategorie Bipolare IC-Herstellung

ge Verunreinigung mit intrinsischer Konzentration

n i = \sqrt{\frac{n e \cdot p}{t o}}

ge Ohmsche Leitfähigkeit von Verunreinigungen

σ = q \cdot (μ n \cdot n e + μ p \cdot p)

ge Durchbruchspannung des Kollektor-Emitters

V ce = \frac{V cb}{{(i g)}^{\frac{1}{n}}}

ge Leitfähigkeit vom N-Typ

σ = q \cdot (μ n \cdot N d + μ p \cdot (\frac{{n i}^{2}}{N d}))

Mehr sehen OpenImg

OpenImg

Wie wird Sättigungsstrom im Transistor ausgewertet?

Der Sättigungsstrom im Transistor-Evaluator verwendet Saturation Current = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Effektive Verbreitung*Intrinsische Konzentration^2)/Totale Unreinheit, um Sättigungsstrom, Die Formel für den Sättigungsstrom im Transistor ist der Teil des Sperrstroms in einer Halbleiterdiode, der durch die Diffusion von Minoritätsträgern aus den neutralen Bereichen in den Verarmungsbereich verursacht wird. Dieser Strom ist nahezu unabhängig von der Sperrspannung auszuwerten. Sättigungsstrom wird durch das Symbol I_sat gekennzeichnet.

Wie wird Sättigungsstrom im Transistor mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Sättigungsstrom im Transistor zu verwenden, geben Sie Aufladung (q), Emitterbasis-Verbindungsbereich (A), Effektive Verbreitung (D_n), Intrinsische Konzentration (n_i) & Totale Unreinheit (Q_b) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Sättigungsstrom im Transistor

Wie lautet die Formel zum Finden von Sättigungsstrom im Transistor?

Die Formel von Sättigungsstrom im Transistor wird als Saturation Current = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Effektive Verbreitung*Intrinsische Konzentration^2)/Totale Unreinheit ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 2.1175 = (0.005*0.000175*0.5*1320000^2)/360000.

Wie berechnet man Sättigungsstrom im Transistor?

Mit Aufladung (q), Emitterbasis-Verbindungsbereich (A), Effektive Verbreitung (D_n), Intrinsische Konzentration (n_i) & Totale Unreinheit (Q_b) können wir Sättigungsstrom im Transistor mithilfe der Formel - Saturation Current = (Aufladung*Emitterbasis-Verbindungsbereich*Effektive Verbreitung*Intrinsische Konzentration^2)/Totale Unreinheit finden.

Kann Sättigungsstrom im Transistor negativ sein?

Ja, der in Elektrischer Strom gemessene Sättigungsstrom im Transistor kann dürfen negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Sättigungsstrom im Transistor verwendet?

Sättigungsstrom im Transistor wird normalerweise mit Ampere[A] für Elektrischer Strom gemessen. Milliampere[A], Mikroampere[A], Centiampere[A] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Sättigungsstrom im Transistor gemessen werden kann.

Let Others Know

✖

WhatsApp

Copied!