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Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 1 Formel

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Sättigungsspannung 1 von Transistor 1, dh Q1, ist die Spannung zwischen den Kollektor- und Emitteranschlüssen, wenn sowohl die Basis-Emitter- als auch die Basis-Kollektor-Übergänge in Durchlassrichtung vorgespannt sind. Überprüfen Sie FAQs

V CEsat1 = V cc - V max

V_CEsat1 - Sättigungsspannung 1?V_cc - Versorgungsspannung?V_max - Maximale Spannung?

Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 1 Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 1 aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 1 aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 1 aus:.

4.01 = 7.52 - 3.51

4.01V = 7.52V - 3.51V

4.01 = 7.52 - 3.51

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

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Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 1 Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 1?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

V CEsat1 = V cc - V max

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

V CEsat1 = 7.52V - 3.51V

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

V CEsat1 = 7.52 - 3.51

Letzter Schritt Auswerten

∴

V CEsat1 = 4.01V

Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 1 Formel Elemente

Variablen

Sättigungsspannung 1

Symbol: V_CEsat1

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Sättigungsspannung 1

Versorgungsspannung

Die Versorgungsspannung wird auch als die Vorspannung definiert, die an den Operationsverstärker für den Q2-Pin (Transistor 2) angelegt wird. Sie wird auch als Spannung am Kollektor definiert.

Symbol: V_cc

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Versorgungsspannung

Maximale Spannung

Die maximale Spannung in einem Verstärker bezieht sich auf den höchsten Spannungspegel, den der Verstärker verarbeiten kann, ohne seine internen Komponenten zu beschädigen.

Symbol: V_max

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Maximale Spannung

Andere Formeln in der Kategorie Klasse A Ausgangsstufe

ge Lastspannung

V L = V in - V be

ge Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 2

V CEsat2 = V min + V cc

ge Vorstrom des Emitterfolgers

I b = mod \underset{̲}{u} s \frac{(- V cc) + V CEsat2}{R L}

ge Momentane Verlustleistung des Emitterfolgers

P I = V ce \cdot I c

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Wie wird Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 1 ausgewertet?

Der Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 1-Evaluator verwendet Saturation Voltage 1 = Versorgungsspannung-Maximale Spannung, um Sättigungsspannung 1, Die Sättigungsspannung zwischen Kollektor und Emitter am Transistor 1 ist die Formel für die Kollektor- und Emitteranschlüsse unter Bedingungen des Basisstroms oder der Basis-Emitter-Spannung, jenseits derer der Kollektorstrom im Wesentlichen konstant bleibt, wenn der Basisstrom oder die Basisspannung abnimmt auszuwerten. Sättigungsspannung 1 wird durch das Symbol V_CEsat1 gekennzeichnet.

Wie wird Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 1 mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 1 zu verwenden, geben Sie Versorgungsspannung (V_cc) & Maximale Spannung (V_max) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 1

Wie lautet die Formel zum Finden von Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 1?

Die Formel von Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 1 wird als Saturation Voltage 1 = Versorgungsspannung-Maximale Spannung ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 4.01 = 7.52-3.51.

Wie berechnet man Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 1?

Mit Versorgungsspannung (V_cc) & Maximale Spannung (V_max) können wir Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 1 mithilfe der Formel - Saturation Voltage 1 = Versorgungsspannung-Maximale Spannung finden.

Kann Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 1 negativ sein?

NEIN, der in Elektrisches Potenzial gemessene Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 1 kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 1 verwendet?

Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 1 wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 1 gemessen werden kann.

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Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 1 Formel

Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 1 Beispiel

Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 1 Lösung

Sättigungsspannung zwischen Kollektor-Emitter bei Transistor 1 Formel Elemente

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