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Sättigungsspannung des IGBT Formel

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Die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (IGBT) eines Bipolartransistors mit isoliertem Gate ist der Spannungsabfall über dem IGBT, wenn dieser eingeschaltet ist und Strom leitet. Überprüfen Sie FAQs

V c-e(sat)(igbt) = V B-E(pnp)(igbt) + I d(igbt) \cdot (R s(igbt) + R ch(igbt))

V_{c-e(sat)(igbt)} - Sättigungsspannung Kollektor-Emitter (IGBT)?V_{B-E(pnp)(igbt)} - Basis-Emitter-Spannung PNP IGBT?I_d(igbt) - Drain-Strom (IGBT)?R_s(igbt) - Leitfähigkeit Widerstand IGBT?R_ch(igbt) - N-Kanal-Widerstand (IGBT)?

Sättigungsspannung des IGBT Beispiel

Mit Werten

Mit Einheiten

Nur Beispiel

So sieht die Gleichung Sättigungsspannung des IGBT aus: mit Werten.

So sieht die Gleichung Sättigungsspannung des IGBT aus: mit Einheiten.

So sieht die Gleichung Sättigungsspannung des IGBT aus:.

1222.25 = 2.15 + 105 \cdot (1.03 + 10.59)

1222.25V = 2.15V + 105mA \cdot (1.03kΩ + 10.59kΩ)

1222.25 = 2.15 + 105 \cdot (1.03 + 10.59)

Tipp: Verwenden Sie das Bleistiftsymbol ( Pencil

) oben, um Eingabewerte und Einheiten zu bearbeiten.

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Sättigungsspannung des IGBT Lösung

Folgen Sie unserer Schritt-für-Schritt-Lösung zur Berechnung von Sättigungsspannung des IGBT?

Erster Schritt Betrachten Sie die Formel

V c-e(sat)(igbt) = V B-E(pnp)(igbt) + I d(igbt) \cdot (R s(igbt) + R ch(igbt))

Nächster Schritt Ersatzwerte von Variablen

∴

V c-e(sat)(igbt) = 2.15V + 105mA \cdot (1.03kΩ + 10.59kΩ)

Nächster Schritt Einheiten umrechnen

∴

V c-e(sat)(igbt) = 2.15V + 0.105A \cdot (1030Ω + 10590Ω)

Nächster Schritt Bereiten Sie sich auf die Bewertung vor

∴

V c-e(sat)(igbt) = 2.15 + 0.105 \cdot (1030 + 10590)

Letzter Schritt Auswerten

∴

V c-e(sat)(igbt) = 1222.25V

Sättigungsspannung des IGBT Formel Elemente

Variablen

Sättigungsspannung Kollektor-Emitter (IGBT)

Die Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung (IGBT) eines Bipolartransistors mit isoliertem Gate ist der Spannungsabfall über dem IGBT, wenn dieser eingeschaltet ist und Strom leitet.

Symbol: V_{c-e(sat)(igbt)}

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Sättigungsspannung Kollektor-Emitter (IGBT)

Basis-Emitter-Spannung PNP IGBT

Basis-Emitter-Spannung PNP IGBT. Ein IGBT ist ein Hybridgerät, das die Vorteile eines MOSFET und eines BJT kombiniert.

Symbol: V_{B-E(pnp)(igbt)}

Messung: Elektrisches PotenzialEinheit: V

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Basis-Emitter-Spannung PNP IGBT

Drain-Strom (IGBT)

Der Drain-Strom (IGBT) ist der Strom, der durch die Drain-Verbindung von MOSFET und IGBT fließt.

Symbol: I_d(igbt)

Messung: Elektrischer StromEinheit: mA

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Drain-Strom (IGBT)

Leitfähigkeit Widerstand IGBT

Der Leitfähigkeitswiderstand IGBT ist der Widerstand, wenn ein IGBT eingeschaltet ist und Strom leitet.

Symbol: R_s(igbt)

Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: kΩ

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von Leitfähigkeit Widerstand IGBT

N-Kanal-Widerstand (IGBT)

Der N-Kanal-Widerstand (IGBT) ist der Widerstand des Halbleitermaterials im Gerät, wenn der IGBT eingeschaltet ist.

Symbol: R_ch(igbt)

Messung: Elektrischer WiderstandEinheit: kΩ

Notiz: Der Wert sollte größer als 0 sein.

Formeln zum Finden von N-Kanal-Widerstand (IGBT)

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ge Spannungsabfall im IGBT im EIN-Zustand

V ON(igbt) = i f(igbt) \cdot R ch(igbt) + i f(igbt) \cdot R d(igbt) + V j1(igbt)

ge IGBT-Ausschaltzeit

T off(igbt) = T dl(igbt) + t f1(igbt) + t f2(igbt)

ge Emitterstrom des IGBT

I e(igbt) = I h(igbt) + i e(igbt)

ge Eingangskapazität des IGBT

C in(igbt) = C (g-e)(igbt) + C (g-c)(igbt)

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Wie wird Sättigungsspannung des IGBT ausgewertet?

Der Sättigungsspannung des IGBT-Evaluator verwendet Collector to Emitter Saturation Voltage (IGBT) = Basis-Emitter-Spannung PNP IGBT+Drain-Strom (IGBT)*(Leitfähigkeit Widerstand IGBT+N-Kanal-Widerstand (IGBT)), um Sättigungsspannung Kollektor-Emitter (IGBT), Die Sättigungsspannung des IGBT ist der Spannungsabfall am Gerät, wenn es sich im eingeschalteten oder leitenden Zustand befindet. Dieser Spannungsabfall entsteht aufgrund der inhärenten Eigenschaften des IGBT und ist typischerweise geringer als der Spannungsabfall an einem Standard-Bipolartransistor (BJT). Die Sättigungsspannung eines IGBT wird von mehreren Faktoren beeinflusst, darunter dem Nennstrom des IGBT, der Temperatur und dem spezifischen Modell oder Hersteller auszuwerten. Sättigungsspannung Kollektor-Emitter (IGBT) wird durch das Symbol V_{c-e(sat)(igbt)} gekennzeichnet.

Wie wird Sättigungsspannung des IGBT mit diesem Online-Evaluator ausgewertet? Um diesen Online-Evaluator für Sättigungsspannung des IGBT zu verwenden, geben Sie Basis-Emitter-Spannung PNP IGBT (V_{B-E(pnp)(igbt)}), Drain-Strom (IGBT) (I_d(igbt)), Leitfähigkeit Widerstand IGBT (R_s(igbt)) & N-Kanal-Widerstand (IGBT) (R_ch(igbt)) ein und klicken Sie auf die Schaltfläche „Berechnen“.

FAQs An Sättigungsspannung des IGBT

Wie lautet die Formel zum Finden von Sättigungsspannung des IGBT?

Die Formel von Sättigungsspannung des IGBT wird als Collector to Emitter Saturation Voltage (IGBT) = Basis-Emitter-Spannung PNP IGBT+Drain-Strom (IGBT)*(Leitfähigkeit Widerstand IGBT+N-Kanal-Widerstand (IGBT)) ausgedrückt. Hier ist ein Beispiel: 1.1E+6 = 2.15+105*(1.03+10590).

Wie berechnet man Sättigungsspannung des IGBT?

Mit Basis-Emitter-Spannung PNP IGBT (V_{B-E(pnp)(igbt)}), Drain-Strom (IGBT) (I_d(igbt)), Leitfähigkeit Widerstand IGBT (R_s(igbt)) & N-Kanal-Widerstand (IGBT) (R_ch(igbt)) können wir Sättigungsspannung des IGBT mithilfe der Formel - Collector to Emitter Saturation Voltage (IGBT) = Basis-Emitter-Spannung PNP IGBT+Drain-Strom (IGBT)*(Leitfähigkeit Widerstand IGBT+N-Kanal-Widerstand (IGBT)) finden.

Kann Sättigungsspannung des IGBT negativ sein?

NEIN, der in Elektrisches Potenzial gemessene Sättigungsspannung des IGBT kann kann nicht negativ sein.

Welche Einheit wird zum Messen von Sättigungsspannung des IGBT verwendet?

Sättigungsspannung des IGBT wird normalerweise mit Volt[V] für Elektrisches Potenzial gemessen. Millivolt[V], Mikrovolt[V], Nanovolt[V] sind die wenigen anderen Einheiten, in denen Sättigungsspannung des IGBT gemessen werden kann.

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